BAS3007A...
低VF肖特基二极管阵列
反向电压: 30 V
正向电流: 0.9
小的二极管阵列四极性独立,
反接保护和低损耗
桥式整流
极低的正向电压:
0.5 V (典型值) 。 @ 0.7 A (每个二极管)
快速开关
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
BAS3007A-RPP
+
D4
4
D3
3
~
D2
-
D1
1
2
~
TYPE
BAS3007A-RPP
参数
二极管的反向电压
2)
峰值反向电压
2)
RMS反向电压
2)
正向电流
2)
T
S
≤
46°C
T
S
≤
82°C
包
SOT143
CON组fi guration
桥
符号
V
R
V
RM
V
R( RMS )
I
F
900
700
I
FSM
T
j
T
英镑
5
150
-65 ... 150
价值
30
30
21
记号
E1s
单位
V
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
mA
非重复性峰值浪涌正向电流
(t
≤
10毫秒)
结温
储存温度
1
含有铅,
A
°C
包可能是可根据特殊要求
2
为
T
> 25 ° C的降额
V
和
I
已被考虑。请参阅附图的曲线。
A
R
F
1
2007-11-20
BAS3007A...
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
95
单位
K / W
单位
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
反向电流(每二极管)
2)
I
R
V
R
= 12 V
V
R
= 30 V
正向电压(每二极管)
2)3)
I
F
= 100毫安
I
F
= 350毫安
I
F
= 500毫安
I
F
= 700毫安
I
F
= 900毫安
V
F
-
-
-
-
-
0.35
0.4
0.45
0.5
0.6
0.4
0.5
0.55
0.6
0.7
-
-
-
-
30
350
A
V
AC特性
二极管电容(每二极管)
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
1
为
C
T
-
9
15
pF
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
测试,
t
p
= 300 s;
D
= 0.01
2
脉冲
3
当
作为所示的反向极性保护( RPP ,见第4页) ,提供给电路的电压
被保护将低于电源电压2二极管滴。换言之,电源电流
将通过两个二极管。
2
2007-11-20
BAS3007A...
正向电流
I
F
=
(T
S
)
电流流过两个芯片
每包的同时(每个阵列)
1000
mA
800
700
I
F
600
500
400
300
200
100
0
0
90 105 120
°C
15
30
45
60
75
150
T
S
应用实例
BAS3007A-RPP
先进的反向极性保护( RPP ) :由于二极管的方向,电路在适当的
将被保护免受损坏,并也将正常工作的事件反向极性是
适用于引脚2和3的BAS3007A - RPP的。
地
2
1
反接
保护电路
3
4
+ VS
地面/
+ VS
DC插头至
电源
+ VS /
地
4
2007-11-20