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BAS 28W
硅开关二极管阵列
对于高速开关应用
电气绝缘二极管
3
4
2
1
VPS05605
TYPE
BAS 28W
订购代码标识
JTS
Q62702-A3466
引脚配置
1 = 2 C1 C2 = 3 = 4 A2 = A1 SOT- 343
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
正向电流浪涌, T = 1
s
总功耗,
T
S
= 103 °C
结温
储存温度
符号
价值
75
85
200
4.5
250
150
- 65 ...+150
mA
A
mW
°C
单位
V
V
R
V
RM
I
F
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
结 - 环境
1)
R
thJA
R
thjs
460
190
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在环氧印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5平方厘米铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Mar-16-1998
1998-11-01
BAS 28W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
( BR )
V
F
85
V
mV
I
( BR )
= 10 A
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
反向电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1250
1
A
I
R
I
R
-
V
R
= 75 V
反向电流
V
R
= 25 V,
T
A
= 150 °C
V
R
= 75 V,
T
A
= 150 °C
AC特性
二极管电容
-
-
-
-
30
50
C
D
t
rr
-
-
-
-
2
6
pF
ns
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= 10毫安,
I
R
= 10毫安,
R
L
= 100
,
在测
I
R
= 1毫安
反向恢复时间测试电路
D.U.T.
Ι
F
示波器
EHN00019
脉冲发生器:
t
p
= 100ns的,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ,
R
i
= 50
示波器:
R
= 50,
t
r
= 0.35ns ,
C
1pF
半导体集团
半导体集团
2
2
Mar-16-1998
1998-11-01
BAS 28W
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
正向电流
I
F
=
F V
F
)
T
A
= 25°C
BAS 28
EHB00035
300
5
150
Ι
F
mA
mA
200
I
F
T
S
150
100
典型值
最大
T
A
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
0
0.5
1.0
V
1.5
T
A
,T
S
V
F
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F(T
p
)
10
3
10
2
K / W
I
FMAX
/
I
FDC
-
R
thjs
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Mar-16-1998
1998-11-01
BAS 28W
正向电压
V
F
=
f
(T
A
)
反向电流
I
R
=
f
(T
A
)
1.0
V
BAS 28
EHB00037
10
nA
5
BAS 28
EHB00034
V
F
Ι
F
= 100毫安
Ι
R
10
4
V
R
= 70 V
10毫安
1毫安
0.1毫安
5
马克斯。
70 V
0.5
10
5
3
25 V
10
5
2
典型值。
0
0
50
100
C
150
10
1
0
50
100
C
150
T
A
T
A
半导体集团
半导体集团
4
4
Mar-16-1998
1998-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS28WQ62702A3466
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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