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日前，Vishay
BAS281 / 283分之282
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
9612009
应用
通用和开关肖特基势垒二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例： QuadroMELF
玻璃柜（ SOD- 80 ）
重量：
约。 33.7毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS281
BAS282
BAS283
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS281 - GS18或BAS281 - GS08
BAS282 - GS18或BAS282 - GS08
BAS283 - GS18或BAS283 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
BAS281
BAS282
BAS283
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 1 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85500
修订版1.6 ， 03 -MAR -04
www.vishay.com
1
BAS281 / 283分之282
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
日前，Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
P - 反向功率耗散（MW ）
R
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
R
thJA
= 540 K / W
I
R
- 反向电流（
A
)
V
R
= 60 V
1000
V
R
= V
RRM
100
P
R
- 限制在100％ V
R
10
P
R
- 限制@ 80 ％V
R
1
125
150
15795
0.1
25
50
75
100
125
150
15794
T
j
- 结温（
°
C )
T
j
- 结温（
°
C )
图。 1最大。反向功率耗散与结温
图。 2反向电流与结温
www.vishay.com
2
文档编号85500
修订版1.6 ， 03 -MAR -04
日前，Vishay
BAS281 / 283分之282
威世半导体
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（ A）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
15797
F = 1 MHz的
100
T
j
= 150
°C
10
T
j
= 25
°C
1
0.1
0.01
0
0.5
1
1.5
2.0
1
10
100
15796
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3正向电流与正向电压
图。 4二极管电容与反向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
(0
7
1.
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
.0
阴极indification
玻璃
> ，R 3 （R 0.12）
0.47最大。 （ 0.02 ）
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 （ 0.098 ）最大
1.25 （ 0.049 ）分
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
G
la
ss
7)
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 （ 0.197 ）参考
96 12071
文档编号85500
修订版1.6 ， 03 -MAR -04
2 （ 0.079 ）分
www.vishay.com
3
BAS281 / 283分之282
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
www.vishay.com
4
文档编号85500
修订版1.6 ， 03 -MAR -04
BAS281 / 283分之282
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612009
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
QuadroMELF玻璃的情况下SOD80
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS281
BAS282
BAS283
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS281 - GS18或BAS281 - GS08
BAS282 - GS18或BAS282 - GS08
BAS283 - GS18或BAS283 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
BAS281
BAS282
BAS283
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 1 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85500
修订版1.7 ， 17 -MAR -06
www.vishay.com
1
BAS281 / 283分之282
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
R
thJA
= 540千瓦
10
8
6
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
1000
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
12
10
1
0.1
25
15795
50
75
100
125
150
15794
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
文档编号85500
修订版1.7 ， 17 -MAR -06
BAS281 / 283分之282
威世半导体
1000
2.0
100
T
j
=150 °C
10
T
j
= 25 °C
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
F
- 正向电流（ A）
1
0.1
0.01
0
15796
0
0.5
1
1.5
2.0
15797
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
12071
文档编号85500
修订版1.7 ， 17 -MAR -06
www.vishay.com
3
BAS281 / 283分之282
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85500
修订版1.7 ， 17 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
BAS285
威世德律风根
肖特基二极管
特点
D
对综合保护环
静电放电
D
极低的正向电压
应用
应用中一个非常低的正向电压
需要
96 12009
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
t
p
= 10毫秒
t
p
≤
1 s
TYPE
符号
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
T
j
T
英镑
价值
30
5
300
200
200
125
–65...+150
单位
V
A
mA
mA
mA
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
测试条件
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
V
R
= 25V ，T
p
=300
m
s
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
TYPE
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值
最大
240
320
400
500
800
2.3
10
单位
mV
mV
mV
mV
mV
m
A
pF
反向电流
二极管电容
文档编号85501
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS285
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
200
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
15822
1000
V
R
= 30 V
I
F
- 正向电流（ A）
100
T
j
= 150°C
R
thJA
=
540K/W
P
R
-limit
@100%V
R
T
j
= 25°C
10
P
R
-limit
@80%V
R
1
0.1
50
75
100
125
150
15824
0
0.5
1.0
1.5
T
j
- 结温（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功耗对比
结温
1000
V
R
= V
RRM
图3.正向电流与正向电压
10
9
C
D
- 二极管电容（pF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
15825
f=1MHz
I
R
- 反向电流（
m
A )
100
10
1
25
15823
50
75
100
125
150
1.0
10.0
100.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85501
第3版， 01 -APR- 99
BAS285
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12071
文档编号85501
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (4)
BAS285
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85501
第3版， 01 -APR- 99
BAS281 ， BAS282 ， BAS283
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
9612009
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
QuadroMELF SOD- 80
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS281
BAS282
BAS283
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS281 - GS18或BAS281 - GS08
BAS282 - GS18或BAS282 - GS08
BAS283 - GS18或BAS283 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS281
BAS282
BAS283
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85500
修订版1.8 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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1
BAS281 ， BAS282 ， BAS283
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
15794
1000
I
R
- 反向电流（ μA ）
12
V
R
=
V
RRM
100
10
1
50
75
100
125
150
15795
0.1
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功耗对比
结温
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
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修订版1.8 ， 23 10年7月
BAS281 ， BAS282 ， BAS283
威世半导体
1000
2.0
100
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 25 °C
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
F
- 正向电流（mA ）
1
0.1
0.01
0
15796
0
0.5
1
1.5
2.0
15797
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
QuadroMELF SOD- 80
1.
7
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 （ 0.049 ）分钟。
2.5 （ 0.098 ）最大。
> R3 （ R0.118 ）
玻璃
gl
0
作为67 ）
s
阴极鉴定
(0
.
5 （ 0.197 ）参考。
96 12071
文档编号85500
修订版1.8 ， 23 10年7月
2 （ 0.079 ）分钟。
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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3
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
BAS281 ， BAS282 ， BAS283
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
9612009
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
QuadroMELF SOD- 80
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS281
BAS282
BAS283
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS281 - GS18或BAS281 - GS08
BAS282 - GS18或BAS282 - GS08
BAS283 - GS18或BAS283 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS281
BAS282
BAS283
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85500
修订版1.8 ， 23 10年7月
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BAS281 ， BAS282 ， BAS283
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
15794
1000
I
R
- 反向电流（ μA ）
12
V
R
=
V
RRM
100
10
1
50
75
100
125
150
15795
0.1
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功耗对比
结温
图2.反向电流与结温
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BAS281 ， BAS282 ， BAS283
威世半导体
1000
2.0
100
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 25 °C
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
F
- 正向电流（mA ）
1
0.1
0.01
0
15796
0
0.5
1
1.5
2.0
15797
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
QuadroMELF SOD- 80
1.
7
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 （ 0.049 ）分钟。
2.5 （ 0.098 ）最大。
> R3 （ R0.118 ）
玻璃
gl
0
作为67 ）
s
阴极鉴定
(0
.
5 （ 0.197 ）参考。
96 12071
文档编号85500
修订版1.8 ， 23 10年7月
2 （ 0.079 ）分钟。
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QuadroMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
> R3 （ R0.118 ）
玻璃
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 （ 0.049 ）分钟。
2.5 （ 0.098 ）最大。
(0
.0
gl
作为67 ）
s
阴极鉴定
1.
7
5 （ 0.197 ）参考。
96 12071
文档编号： 84025
修订版1.2 12 -JAN- 07
如有技术问题，请联系： EMI-filter@vishay.com
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2 （ 0.079 ）分钟。
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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修订： 11 -MAR- 11
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B43254A1277M000
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B43540E2277M080
B43505A2227M002
BD8919F-E2
BCX56-6
BU407H
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