【BAS28...硅开关二极管对于高速开关应用电气绝缘二极管无铅（符合RoHS标准）封装1)合格的依据】,IC型号BAS28,BAS28 PDF资料,BAS28经销商,ic,电子元器件-51电子网

BAS28...

硅开关二极管

对于高速开关应用

电气绝缘二极管

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

BAS28/W

＆ QUOT ;

!

,

TYPE

BAS28

BAS28W

参数

二极管的反向电压

峰值反向电压

正向电流

最大正向电流

包

SOT143

SOT343

CON组fi guration

对平行

符号

V

R

V

RM

I

F

I

FM

I

FS

I

FSM

P

合计

330

250

T

j

T

英镑

150

-55 ... 150

价值

80

85

200

-

4.5

-

记号

JTS

单位

V

mA

A

mW

最大额定值

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

正向电流浪涌，

t

= 1 s

非重复性峰值浪涌正向电流

总功耗

BAS28,

T

S

≤

31°C

BAS28W,

T

S

≤

103°C

结温

储存温度

1

含有铅，

°C

包可能是可根据特殊要求

1

2007-04-19

BAS28...

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BAS28

BAS28W

符号

R

thjs

价值

≤

360

≤

190

单位

K / W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

单位

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

85

-

V

击穿电压

V

（ BR ）

I

（ BR ）

= 100 A

反向电流

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V,

T

A

= 150 °C

V

R

= 75 V,

T

A

= 150 °C

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 150毫安

V

F

-

715

855

1000

1200

1250

I

R

-

0.1

30

50

mV

A

AC特性

二极管电容

V

R

= 0 V,

f

= 1兆赫

反向恢复时间

I

F

= 10毫安，

I

R

= 10 mA时，测定

I

R

= 1mA时，

R

L

= 100

反向恢复时间测试电路

D.U.T.

C

T

t

rr

-

2

4

pF

ns

脉冲发生器：

t

p

= 100ns的，

D

= 0.05,

t

r

= 0.6ns ，

R

i

= 50

示波器

Ι

F

EHN00019

示波器：

R

= 50,

t

r

= 0.35ns ，

C

≤

1pF

1

为

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

2007-04-19

BAS28...

反向电流

I

R

=

(T

A

)

V

R

=参数

10

5

nA

正向电压

V

F

=

(T

A

)

I

F

=参数

1.0

V

BAS 28

EHB00037

V

F

10

4

Ι

F

= 100毫安

I

R

10毫安

10

3

0.5

70 V

25 V

1毫安

0.1毫安

10

2

10

1

0

25

50

75

100

°C

150

0

50

100

T

A

C

150

T

A

正向电流

I

F

=

(V

F

)

T

A

= 25 °C

BAS 28

EHB00035

最大正向电流

I

FM

=

(t

p

)

T

A

= 25 °C

BAS28

10

2

BAS 28

EHB00036

150

Ι

F

mA

Ι

FM

A

10

1

D

= 0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

100

典型值

最大

10

0

50

10

-1

t

p

D

=

T

t

p

T

0

0.5

1.0

V

F

1.5

10

-2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

s 10

0

t

3

2007-04-19

BAS28...

正向电流

I

F

=

(T

S

)

BAS28

正向电流

I

F

=

(T

S

)

BAS28W

220

mA

220

mA

180

160

180

160

I

F

120

100

80

60

40

20

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

I

F

140

120

100

80

60

40

20

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

T

S

T

S

许用载荷普尔斯

R

thjs

=

(t

p

)

BAS28W

10

3

允许的脉冲负载

I

FMAX

/

I

FDC

=

(t

p

)

10

2

BAS28W

K / W

I

FMAX

/

I

FDC

-

10

2

10

1

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

R

thjs

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

4

2007-04-19

包装SOT143

BAS28...

包装外形

0.15分钟。

2.9

±0.1

1.9

4

3

B

1

±0.1

0.1最大。

1.3

±0.1

2.4

±0.15

10最大。

1

2

10最大。

0.2

0.8

+0.1

-0.05

0.4

+0.1

-0.05

1.7

0.25

M

B

0.08...0.1

A

5

0...8

0.2

M

A

FOOT PRINT

0.8 1.2 0.8

0.9

1.2

0.8

标记版面（例）

生产厂家

射频s

销1

56

标准包装

盘180毫米= 3.000件/卷

盘330毫米= 10.000件/卷

0.9

1.1

2005年六月

日期代码（ YM ）

BFP181

型号代码

4

0.2

销1

3.15

2.6

8

1.15

5

2007-04-19

BAS28

高速双二极管

第3版 - 2010年7月22日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

两个高速开关二极管编造平面技术，并封装在一个

小SOT143B表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。二极管不

连接。

1.2特点和优点

高开关速度：吨

rr

≤

4纳秒

反向电压： V

R

≤

75 V

重复峰值反向电压： V

RRM

≤

85 V

重复峰值正向电流：I

FRM

≤

500毫安

AEC- Q101对外贸易资质网络编辑

小型SMD封装

1.3应用

高速开关在如表面安装电路

1.4快速参考数据

表1中。

符号

每二极管

I

F

I

R

V

R

t

rr

[1]

[2]

快速参考数据

参数

正向电流

反向电流

反向电压

反向恢复时间

[2]

条件

[1]

民

-

典型值

-

最大

215

1

75

4

单位

mA

μA

V

ns

V

R

= 75 V

设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB）。

从我开机时，

F

= 10 mA至我

R

= 10毫安;

L

= 100

Ω;

测量我

R

= 1毫安。

恩智浦半导体

BAS28

高速双二极管

2.管脚信息

表2中。

针

1

2

3

4

钉扎

描述

阴极（二极管1 ）

阴极（二极管2 ）

阳极（二极管2 ）

阳极（二极管1 ）

1

2

1

2

006aab100

简化的轮廓

4

3

图形符号

4

3

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

BAS28

-

描述

塑料表面贴装封装; 4引线

VERSION

SOT143B

类型编号

4.标记

表4 。

BAS28

[1]

* = - ：香港制造

* = P ：香港制造

* = T：在马来西亚

* = W ：中国制造

标记代码

标识代码

[1]

JT *

类型编号

BAS28

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产品数据表

第3版 - 2010年7月22日

2 12

恩智浦半导体

BAS28

高速双二极管

5.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

每二极管

V

RRM

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

重复峰值

反向电压

正向电流

重复峰值

正向电流

非重复性峰值

正向电流

方波

t

p

= 1

μs

t

p

= 1毫秒

t

p

= 1 s

每个器件

P

合计

T

j

T

英镑

[1]

[2]

[3]

[1]

参数

条件

民

-

最大

85

75

215

500

单位

V

mA

-

[1][2]

4

1

0.5

250

150

+150

A

mW

°C

总功耗

结温

储存温度

设备安装在一FR4印刷电路板。

一个二极管装。

T

j

= 25

°C

前激增。

T

AMB

= 25

°C

-

65

6.热特性

表6 。

符号

R

号（j -a）的

R

日（ J- T）

[1]

热特性

参数

从热阻

结到环境

从热阻

结绑点

条件

在自由空气

[1]

民

-

典型值

-

最大

500

360

单位

K / W

每台设备;一个二极管装

设备安装在一FR4印刷电路板。

BAS28

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产品数据表

第3版 - 2010年7月22日

3 12

恩智浦半导体

BAS28

高速双二极管

7.特点

表7中。

特征

T

AMB

= 25

°

C除非另有规定ED 。

符号

每二极管

V

F

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 150毫安

I

R

反向电流

V

R

= 25 V

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V ;牛逼

j

= 150

°C

V

R

= 75 V ;牛逼

j

= 150

°C

C

d

t

rr

V

FR

[1]

[2]

参数

条件

民

-

[1]

[2]

典型值

-

最大

715

855

1

1.25

30

1

30

50

1.5

4

1.75

单位

mV

V

nA

μA

pF

ns

V

二极管电容

反向恢复时间

正向恢复电压

F = 1兆赫; V

R

= 0 V

-

从我开机时，

F

= 10 mA至我

R

= 10毫安;

L

= 100

Ω;

测量我

R

= 1毫安。

从我开机时，

F

= 10毫安;牛逼

r

= 20纳秒。

300

I

F

（MA ）

(1)

(2)

(3)

mbg382

10

2

I

FSM

(A)

10

mbg704

200

100

1

0

10

1

0

1

V

F

(V)

2

1

10

2

10

3

t

p

(μs)

10

4

(1) T

j

= 150

°C;

典型值

(2) T

j

= 25

°C;

典型值

(3) T

j

= 25

°C;

最大值

基于方波电流。

T

j

= 25

°C;

暴涨前

图1 。

正向电流为正向功能

电压

图2 。

非重复性峰值正向电流为

的脉冲持续时间的功能;最大值

BAS28

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产品数据表

第3版 - 2010年7月22日

4 12

恩智浦半导体

BAS28

高速双二极管

10

5

mga884

0.8

C

d

（PF ）

mbg446

I

R

（ nA的）

10

4

(1)

0.6

10

3

(2)

0.4

(3)

10

2

0.2

10

0

100

T

j

(

°C

)

200

0

4

8

12

V

R

(V)

16

V

R

= V

RMAX

(1) V

R

= 75 V ;最大值

(2) V

R

= 75 V ;典型值

(3) V

R

= 25 V ;典型值

F = 1兆赫;牛逼

j

= 25

°C

图3 。

反向电流交界处的函数

温度

250

I

F

（MA ）

200

图4 。

二极管电容反向的函数

电压;典型值

msa562

150

100

50

0

50

100

150

200

T

AMB

(°C)

图5 。

正向电流为环境温度的函数;降额曲线

BAS28

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第3版 - 2010年7月22日

5 12

SMD型

高速双二极管

BAS28

二极管

单位：mm

特点

小型塑料SMD封装

高开关速度：最大。 4纳秒

连续反向电压：最大。 75 V

重复峰值反向电压：最大。 85 V

重复峰值正向电流：最大。 500毫安。

绝对最大额定值大= 25

参数

反向重复峰值电压

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

符号

V

RMM

V

R

I

F

I

FRM

测试条件

200

100

250

150

方波;牛逼

j

= 25

非重复峰值正向电流

I

FSM

t=1

s

暴涨前

4

1

0.5

-65

250

+150

150

mW

A

民

最大

85

75

210

500

单位

V

mA

T = 1毫秒

t=1s

总功耗

储存温度

结温

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

= 25

www.kexin.com.cn

1

SMD型

BAS28

二极管

电气特性TA = 25

参数

符号

测试条件

I

F

= 1毫安

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

-150毫安

V

R

= 25 V

反向电流

I

R

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V ;牛逼

j

= 150

V

R

= 75 V ;牛逼

j

= 150

二极管电容

反向恢复时间

正向恢复电压

C

d

t

rr

V

fr

F = 1兆赫; V

R

= 0

从我开机时，

F

= 10 mA至我

R

= 10毫安;

R

L

= 100

测量我

R

= 1毫安;

1.75

V

民

最大

715

855

1

1.25

30

1

30

50

1.5

4

单位

mV

V

nA

A

pF

ns

从IF = 10毫安切换时;吨

r

= 20纳秒;

记号

JT

2

www.kexin.com.cn

BAS28...

硅开关二极管

对于高速开关应用

电气绝缘二极管

BAS28/W

4

3

D 1

D 2

1

2

TYPE

BAS28

BAS28W

参数

二极管的反向电压

峰值反向电压

正向电流

包

SOT143

SOT343

CON组fi guration

对平行

符号

V

R

V

RM

I

F

I

FS

P

合计

330

250

T

j

T

英镑

符号

R

thjs

记号

JTS

价值

80

85

200

4.5

mA

A

mW

单位

V

最大额定值

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

正向电流浪涌，

t

= 1 s

总功耗

BAS28W,

T

S

BAS28,

T

S

31°C

103°C

结温

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BAS28

BAS28W

1

为

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

150

-55 ... 150

价值

360

190

°C

单位

K / W

Feb-21-2003

BAS28...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

单位

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

85

-

V

击穿电压

V

（ BR ）

I

（ BR ）

= 100 A

反向电流

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V,

T

A

= 150 °C

V

R

= 75 V,

T

A

= 150 °C

I

R

A

-

0.1

30

50

mV

715

855

1000

1200

1250

2

4

pF

ns

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 150毫安

V

F

-

AC特性

二极管电容

V

R

= 0 V,

f

= 1兆赫

反向恢复时间

I

F

= 10毫安，

I

R

= 10 mA时，测定

I

R

= 1mA时，

R

L

= 100

反向恢复时间测试电路

D.U.T.

C

T

t

rr

EHN00019

2

Ι

F

示波器

示波器：

R

= 50 ,

t

r

= 0.35ns ，

C

1pF

Feb-21-2003

脉冲发生器：

t

p

= 100ns的，

D

= 0.05,

t

r

= 0.6ns ，

R

i

= 50

BAS28...

反向电流

I

R

=

V

R

=参数

10

5

nA

I

F

=参数

1.0

V

BAS 28

V

F

10

4

Ι

F

= 100毫安

I

R

10毫安

10

3

0.5

70 V

25 V

1毫安

0.1毫安

10

2

10

1

0

25

50

75

100

°C

150

0

50

100

T

A

C

150

T

A

T

A

= 25 °C

BAS 28

T

A

= 25 °C

BAS28

EHB00035

150

10

2

BAS 28

Ι

F

mA

Ι

FM

A

10

1

D

= 0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

100

典型值

最大

10

0

50

10

-1

t

p

D

=

T

0

0.5

1.0

V

F

1.5

10

-2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

3

正向电流

I

F

=

(V

F

)

最大正向电流

I

FM

=

(T

A

)

正向电压

V

F

=

(T

A

)

EHB00037

(t

p

)

EHB00036

t

p

T

10

-1

s 10

0

t

Feb-21-2003

BAS28...

正向电流

I

F

=

BAS28

(T

S

)

正向电流

I

F

=

BAS28W

(T

S

)

220

mA

220

mA

180

160

180

160

I

F

120

100

80

60

40

20

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

I

F

140

120

100

80

60

40

20

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

T

S

10

3

10

2

K / W

I

FMAX

/

I

FDC

-

R

thjs

10

2

10

1

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

0 -6

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

t

p

4

BAS28W

许用载荷普尔斯

R

thjs

=

(t

p

)

允许的脉冲负载

I

FMAX

/

I

FDC

=

(t

p

)

BAS28W

-5

10

-4

T

S

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

Feb-21-2003

BAS28

双路，隔离HIGH SPEED

开关二极管

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体BAS28

类型是超高速硅开关

由外延平面制二极管

过程中，在环氧模塑表面贴装

包带隔离的双二极管，设计

用于高速开关应用。

标记代码为A61 。

SOT- 143案例

最大额定值

(TA=25

o

C)

连续反向电压

反向重复峰值电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

正向浪涌电流， TP = 1

微秒。

正向浪涌电流， TP = 1毫秒。

正向浪涌电流， TP = 1秒。

功耗

工作和存储

结温

热阻

符号

VR

VRRM

IF

IFRM

IFSM

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

75

85

250

4000

2000

1000

350

-65到+150

357

单位

V

mA

mW

o

C

o

C / W

电气特性

(TA=25

o

C除非另有说明）

符号

IR

VF

CT

TRR

Qs

VFR

测试条件

民

o

C

VR = 25V ， TA = 150

VR=75V

VR = 75V ， TA = 150

o

C

IF=1.0mA

IF=10mA

IF=50mA

IF=150mA

VR = 0中，f = 1 MHz的

IF = IR = 10毫安， RL = 100Ω ，建议。到1.0毫安

IF = 10毫安， VR = 5.0V ， RL = 500Ω

IF = 10毫安， TR = 20ns的

最大

30

1.0

50

0.715

0.855

1.000

1.250

2.0

6.0

45

1.75

单位

A

V

pF

ns

pC

V

58

以英寸（毫米）的所有尺寸。

前导码：

1 ）阴极1

2 ）阴极2

3 ）阳极2

4 ）阳极1

R2

59

硅开关二极管阵列

q

对于高速切换

q

电绝缘二极管

BAS 28

TYPE

BAS 28

记号

JTS

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-A77

引脚配置

包

1)

SOT-143

最大额定值

参数

反向电压

峰值反向电压

正向电流

正向电流浪涌，

t

= 1

s

总功耗，

T

S

= 31 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

500

≤

360

符号

V

R

V

RM

I

F

I

FS

P

合计

T

j

T

英镑

值

75

85

200

4.5

330

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

A

mW

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BAS 28

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

击穿电压

I

（ BR ）

= 100

A

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 150毫安

反向电流

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V,

T

A

= 150 C

V

R

= 75 V,

T

A

= 150 C

AC特性

二极管电容

V

R

= 0 V,

f

= 1兆赫

反向恢复时间

I

F

= 10毫安，

I

R

= 10毫安，

R

L

= 100

在测

I

R

= 1毫安

反向恢复时间测试电路

C

D

t

rr

–

2

6

pF

ns

V

（ BR ）

V

F

–

I

R

–

1

30

50

–

715

855

1000

1250

A

值

典型值。

马克斯。

单位

85

–

V

mV

脉冲发生器：

t

p

= 100纳秒，

D

= 0.05

t

r

= 0.6纳秒，

R

j

= 50

示波器：

R

= 50

t

r

= 0.35纳秒

C

≤

1 pF的

半导体集团

2

BAS 28

正向电流

I

F

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

反向电流

I

R

=

f

(T

A

)

正向电流

I

F

=

f

(V

F

)

T

A

= 25 C

最大正向电流

I

FM

=

f

(t)

T

A

= 25 C

半导体集团

3

BAS 28

正向电压

V

F

=

f

(T

A

)

半导体集团

4

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D070

BAS28

高速双二极管

产品speci fi cation

取代1996年4月数据

1996年09月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高速双二极管

特点

小型塑料SMD封装

高开关速度：最大。 4纳秒

连续反向电压：

最大。 75 V

反向重复峰值电压：

最大。 85 V

重复峰值正向电流：

最大。 500毫安。

手册， halfpage

BAS28

钉扎

针

1

2

3

4

描述

阴极（K1）

阴极（K2）

阳极（a2）的

阳极（a1）的

描述

该BAS28由两

高速开关二极管

编造平面技术，并

封装在小塑料

SMD SOT143封装。二极管

不连接。

4

3

4

3

应用

高速开关在如

表面贴装电路。

1

顶视图

标识代码：

JTP 。

2

MAM059

Fig.1简化外形（ SOT143 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

RRM

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

参数

反向重复峰值电压

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

方波;牛逼

j

= 25

°C

之前

浪涌;见图4

t = 1

s

T = 1毫秒

t=1s

P

合计

T

英镑

T

j

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

总功耗

储存温度

结温

T

AMB

= 25

°C;

注1

65

4

1

0.5

250

+150

150

A

mW

°C

见图2 ;注1

条件

分钟。

马克斯。

85

75

215

500

V

mA

单位

1996年09月10日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高速双二极管

电气特性

T

j

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

V

F

参数

正向电压

看科幻G.3

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 150毫安

I

R

反向电流

见图5

V

R

= 25 V

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V ;牛逼

j

= 150

°C

V

R

= 75 V ;牛逼

j

= 150

°C

C

d

t

rr

二极管电容

反向恢复时间

F = 1兆赫; V

R

= 0;见图6

从我开机时，

F

= 10 mA至

I

R

= 10毫安;

L

= 100

;

测量我

R

= 1毫安;见图7

从我开机时，

F

= 10毫安;

t

r

= 20纳秒;参见图8

30

1

30

50

1.5

4

715

855

1

条件

分钟。

马克斯。

BAS28

单位

mV

V

nA

A

pF

ns

1.25

V

fr

正向恢复电压

1.75

V

热特性

符号

R

日J- TP

R

日J-一

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结热阻，以配合点

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

360

500

单位

K / W

1996年09月10日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高速双二极管

图形数据

BAS28

MSA562 -1

250

IF

（MA ）

200

手册， halfpage

300

IF

MBG382

（MA ）

(1)

(2)

(3)

200

150

100

50

0

50

100

150

200

TAMB （

o

C)

0

1

VF （ V）

2

设备安装在一FR4印刷电路板。

(1) T

j

= 150

°C;

典型值。

(2) T

j

= 25

°C;

典型值。

(3) T

j

= 25

°C;

最大值。

Fig.2

允许的最大持续前进

当前环境温度的函数。

Fig.3

正向电流为函数

的正向电压。

10

2

手册，全页宽

IFSM

(A)

MBG704

10

1

10

1

基于方波电流。

T

j

= 25

°C

前激增。

10

2

10

3

TP （微秒）

10

4

图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。

1996年09月10日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高速双二极管

BAS28

10

5

IR

（ nA的）

10

4

MGA884

手册， halfpage

0.8

MBG446

Cd

（PF ）

V R = 75 V

0.6

10

3

最大

75 V

0.4

10

2

25 V

0.2

典型值

10

0

100

T J （ ℃）

200

0

4

8

12

VR （ V）

16

0

F = 1兆赫;牛逼

j

= 25

°C.

Fig.5

反向电流的函数

结温。

Fig.6

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

1996年09月10日

5

BL

银河电子

表面贴装开关二极管

特点

连续反向电压： max.75V

高开关速度： 4ns的。

重复峰值正向电流： max.500mA

产品规格

BAS28

Pb

LEAD -FREE

应用

高速开关应用。

4

3

2

1

SOT-143

记号

JT

封装代码

SOT-143

订购信息

型号

BAS28

最大额定值

除非另有规定@ TA = 25 ℃

特征

反向重复峰值电压

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

浪涌电流

t=1μs

t=1ms

t=1s

符号

V

RRM

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

P

d

R

θJA

T

j

T

英镑

范围

85

75

215

500

4

1

0.5

250

500

150

-65到+150

单位

V

mA

A

mW

℃/W

℃

功耗

从结点到环境的热阻

工作结温范围

存储温度范围

文件编号： BL / SSSDJ002

Rev.A的

www.galaxycn.com

1

BL

银河电子

表面贴装开关二极管

产品规格

BAS28

电气特性

除非另有规定@ TA = 25 ℃

特征

反向击穿电压

符号

V

（ BR ）R

民

75

典型值

-

最大

-

0.715

0.855

1.0

1.25

0.03

1.0

1.5

4.0

单位

V

测试条件

I

R

= 100μA

I

F

=1mA

I

F

=10mA

I

F

=50mA

I

F

=100mA

V

R

=25V

V

R

=75V

V

R

=0V,f=1.0MHz

I

F

=I

R

=10mA,I

rr

=0.1*I

R

正向电压

V

F

-

V

反向漏电流

二极管电容

反向恢复时间

I

R

C

d

t

rr

-

μA

pF

ns

典型特征

除非另有规定@ TA = 25 ℃

文件编号： BL / SSSDJ002

Rev.A的

www.galaxycn.com

2

BL

银河电子

表面贴装开关二极管

包装外形

塑料表面贴装封装

产品规格

BAS28

SOT-143

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

民

2.85

1.20

0.78

1.85

0.30

1.64

0.02

2.30

最大

2.95

1.40

0.88

1.95

0.50

1.74

0.1

2.50

1.0典型

0.1典型

尺寸：mm

焊接足迹

单位

：mm

包

设备

BAS28

信息

包

SOT-143

航运

3000 / Tape&Reel

文件编号： BL / SSSDJ002

Rev.A的

www.galaxycn.com

3

产品speci fi cation

BAS28

单位：mm

特点

小型塑料SMD封装

高开关速度：最大。 4纳秒

连续反向电压：最大。 75 V

重复峰值反向电压：最大。 85 V

重复峰值正向电流：最大。 500毫安。

绝对最大额定值大= 25

参数

反向重复峰值电压

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

符号

V

RMM

V

R

I

F

I

FRM

测试条件

200

100

250

150

方波;牛逼

j

= 25

非重复峰值正向电流

I

FSM

t=1

s

暴涨前

4

1

0.5

-65

250

+150

150

mW

A

民

最大

85

75

210

500

单位

V

mA

T = 1毫秒

t=1s

总功耗

储存温度

结温

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

= 25

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

产品speci fi cation

BAS28

电气特性TA = 25

参数

符号

测试条件

I

F

= 1毫安

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

-150毫安

V

R

= 25 V

反向电流

I

R

V

R

= 75 V

V

R

= 25 V ;牛逼

j

= 150

V

R

= 75 V ;牛逼

j

= 150

二极管电容

反向恢复时间

正向恢复电压

C

d

t

rr

V

fr

F = 1兆赫; V

R

= 0

从我开机时，

F

= 10 mA至我

R

= 10毫安;

R

L

= 100

测量我

R

= 1毫安;

1.75

V

民

最大

715

855

1

1.25

30

1

30

50

1.5

4

单位

mV

V

nA

A

pF

ns

从IF = 10毫安切换时;吨

r

= 20纳秒;

记号

JT

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2