恩智浦半导体
BAS21W系列
高压开关二极管
4.标记
表5 。
BAS21W
BAS21AW
BAS21SW
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[1]
X4*
X6*
X5*
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 100
s
t
p
= 10毫秒
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[3]
[1]
[2]
参数
条件
民
-
-
-
-
最大
250
225
125
625
单位
V
mA
mA
mA
-
-
-
[4]
9
3
1.7
200
150
+150
+150
A
A
A
mW
°C
°C
°C
总功耗
结温
环境温度
储存温度
单二极管装。
双二极管装。
T
j
= 25
°C
前激增。
T
AMB
≤
25
°C
-
-
55
65
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
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产品数据表
牧师01 - 2009年10月9日
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BAS21W系列
高压开关二极管
6.热特性
表7中。
符号
每个器件
R
号(j -a)的
R
日(J -SP )
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
625
300
单位
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
I
R
C
d
t
rr
[1]
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
民
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
1.0
1.25
100
100
2
50
单位
V
V
nA
A
pF
ns
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
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