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BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
小信号开关二极管，高压
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管的情况下， SOT- 23 ，
e3
特别适用于自动插入。
这些二极管也可在其他
案例风格，包括：在SOD- 123的情况下与
型号标识BAV19W -V以BAV21W - V时，
迷你MELF情况与型号标识
BAV101到BAV103时， DO-35的情况下与式
指定BAV19 -V到BAV21 - V和SOD-
323例类型指定BAV19WS -V以
BAV21WS-V.
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
16923
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAS19-V
BAS20-V
BAS21-V
类型分化
V
RRM
= 120 V
V
RRM
= 200 V
V
RRM
= 250 V
订购代码
BAS19 -V - GS18或BAS19 -V- GS08
BAS20 -V - GS18或BAS20 -V- GS08
BAS21 -V - GS18或BAS21 -V- GS08
A8
A81
A82
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
www.vishay.com
1
BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
测试条件
部分
BAS19-V
BAS20-V
BAS21-V
反向重复峰值电压
BAS19-V
BAS20-V
BAS21-V
非重复性峰值正向
当前
非重复性峰值正向
浪涌电流
最大正向平均
整流电流
直流正向电流
重复峰值正向电流
功耗
1)
2)
符号
V
R
V
R
V
R
V
RRM
V
RRM
V
RRM
I
FSM
I
FSM
I
F（ AV ）
I
F
I
FRM
P
合计
价值
100
150
200
120
200
250
2.5
0.5
200
1)
200
2)
625
250
2)
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mW
t = 1
s
t=1s
（ AV 。在任何20毫秒期）
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
脉冲的条件下测定;脉冲时间= T
p
≤
0.3毫秒
设备上的玻璃基板，见下页的布局
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
430
1)
150
- 65至+ 150
单位
°C
°C
°C
设备上的玻璃基板，见下页的布局
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
动态正向电阻
二极管电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= V
RMAX
V
R
= V
RMAX
, T
j
= 150 °C
I
F
= 10毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= I
R
= 30毫安，R
L
= 100
,
I
rr
= 3毫安
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
r
f
C
合计
t
rr
5
5
50
民
典型值。
最大
1.0
1.25
100
100
单位
V
V
nA
A
pF
ns
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2
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
测试电路和波形
Ω
测试CIR
CUIT
输入信号
-
-
-
-
总的脉冲持续时间
占空比
上升反向脉冲时间
反向脉冲持续时间
TP（合计）= 2
s
δ
= 0.0025
t
r
= 0.6ns
t
p
= 100ns的
t
r
= 0.35ns
<为1pF
输入信号
波形;
IR = 3毫安
示波器 - 上升时间
- cicuit capitance *
* C =示波器输入capactitance +寄生电容
18098
输出信号
布局的R
thJA
TEST
厚度：
玻纤1.5毫米（ 0.059英寸）
铜导线0.3毫米（ 0.012英寸）
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
12 (0.47)
15 (0.59)
0.8 (0.03)
2 (0.8)
1 (0.4)
2 (0.8)
5 (0.2)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
17451
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
www.vishay.com
3
BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
1.15 (.045)
2.6 (.102)
2.35 (.092)
ISO方法E
0.175 (.007)
0.098 (.005)
0.1（ 0.004 ）最大。
0.4 (.016)
0.4 (.016)
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
贴装焊盘布局
0.52 (0.020)
0.9 (0.035)
1.43 (.056)
1.20(.047)
2.0 (0.079)
0.95 (.037)
0.95 (.037)
0.95 (0.037)
0.95 (0.037)
17418
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4
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
0.95 (.037)
BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
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5
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