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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D088
BAS19 ; BAS20 ; BAS21
通用二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据09月10日
1999年5月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
特点
小型塑料SMD封装
开关速度:最大。 50纳秒
一般应用
连续反向电压:
最大。 100 V ; 150 V ; 200 V
反向重复峰值电压:
最大。 120 V ; 200 V ; 250 V
重复峰值正向电流:
最大。 625毫安。
应用
通用开关在如
表面贴装电路。
描述
该BAS19 , BAS20 , BAS21是
通用二极管制作
平面技术,并封装
小型SOT23塑料SMD
包。
手册, halfpage
2
BAS19 ; BAS20 ; BAS21
钉扎
记号
CODE
(1)
JP ?
JR *
JS *
1
2
3
描述
阳极
没有连接
阴极
记号
类型编号
BAS19
BAS20
BAS21
1.
= P :香港制造。
= T:在马来西亚。
1
2
北卡罗来纳州
3
3
MAM185
1
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
1999年5月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RRM
BAS19
BAS20
BAS21
V
R
连续反向电压
BAS19
BAS20
BAS21
I
F
I
FRM
I
FSM
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
见图2 ;注1
参数
反向重复峰值电压
条件
BAS19 ; BAS20 ; BAS21
分钟。
马克斯。
120
200
250
100
150
200
200
625
V
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
t = 100
s
T = 10毫秒
65
9
3
1.7
250
+150
150
A
A
A
mW
°C
°C
P
合计
T
英镑
T
j
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
1999年5月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
BAS19
BAS20
BAS21
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
见图5
V
R
= 100 V
V
R
= 100V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
条件
BAS19 ; BAS20 ; BAS21
马克斯。
1
1.25
100
100
100
100
100
100
5
50
V
V
单位
nA
A
nA
A
nA
A
pF
ns
从我开机时,
F
= 30 mA至
I
R
= 30毫安;
L
= 100
;
在测
I
R
= 3毫安;参见图8
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
330
500
单位
K / W
K / W
1999年5月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
图形数据
BAS19 ; BAS20 ; BAS21
手册, halfpage
300
MBG442
手册, halfpage
600
IF
MBG384
IF
(MA )
200
(MA )
(1)
(2)
(3)
400
100
200
0
0
100
TAMB (
o
C)
200
0
0
1
VF ( V)
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
当前环境温度的函数。
Fig.3
正向电流为一个函数
正向电压。
10
2
手册,全页宽
IFSM
(A)
MBG703
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP (微秒)
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1999年5月26日
5
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