BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
小信号开关二极管，高压
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管的情况下， SOT- 23 ，
e3
特别适用于自动插入。
这些二极管也可在其他
案例风格，包括：在SOD- 123的情况下与
型号标识BAV19W -V以BAV21W - V时，
迷你MELF情况与型号标识
BAV101到BAV103时， DO-35的情况下与式
指定BAV19 -V到BAV21 - V和SOD-
323例类型指定BAV19WS -V以
BAV21WS-V.
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
16923
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAS19-V
BAS20-V
BAS21-V
类型分化
V
RRM
= 120 V
V
RRM
= 200 V
V
RRM
= 250 V
订购代码
BAS19 -V - GS18或BAS19 -V- GS08
BAS20 -V - GS18或BAS20 -V- GS08
BAS21 -V - GS18或BAS21 -V- GS08
A8
A81
A82
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
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BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
测试电路和波形
Ω
测试CIR
CUIT
输入信号
-
-
-
-
总的脉冲持续时间
占空比
上升反向脉冲时间
反向脉冲持续时间
TP（合计）= 2
s
δ
= 0.0025
t
r
= 0.6ns
t
p
= 100ns的
t
r
= 0.35ns
<为1pF
输入信号
波形;
IR = 3毫安
示波器 - 上升时间
- cicuit capitance *
* C =示波器输入capactitance +寄生电容
18098
输出信号
布局的R
thJA
TEST
厚度：
玻纤1.5毫米（ 0.059英寸）
铜导线0.3毫米（ 0.012英寸）
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
12 (0.47)
15 (0.59)
0.8 (0.03)
2 (0.8)
1 (0.4)
2 (0.8)
5 (0.2)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
17451
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
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BAS19 -V / 20 -V / 21 -V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85540
修订版1.5 ， 22月， 05
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