BAS19LT1G ， BAS20LT1G ，
BAS21LT1G ， BAS21DW5T1G
高压
开关二极管
特点
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
连续反向电压
BAS19
BAS20
BAS21
反向重复峰值电压
BAS19
BAS20
BAS21
连续正向电流
峰值正向浪涌电流
结温和存储温度
范围
功率耗散（注1 ）
静电放电
符号
V
R
价值
120
200
250
120
200
250
200
625
55
to
+150
385
HM < 500
MM < 400
单位
VDC
http://onsemi.com
高压
开关二极管
SOT23
3
阴极
SC88A
5
阴极
4
阴极
1
阳极
3
阳极
1
阳极
V
RRM
VDC
I
F
I
FM （浪涌）
T
J
, T
英镑
P
D
ESD
MADC
MADC
°C
mW
V
V
标记DIAGRAMS
3
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
风格8
1
3
JX M
G
G
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.安装在FR- 5局= 1.0 X 0.75 X 0.062英寸
5
3
1
SC- 88A （ SOT- 353 ）
CASE 419A
4
JX M
G
G
1
2
3
x
= P，R或S的
P
= BAS19LT1
R
= BAS20LT1
S
= BAS21LT1或BAS21DW5T1
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能会有所不同
取决于制造地点。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
启示录12
1
出版订单号：
BAS19LT1/D
BAS19LT1G ， BAS20LT1G ， BAS21LT1G ， BAS21DW5T1G
热特性（ SOT -23 ）
特征
器件总功耗FR- 5局
（注2 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境（ SOT -23 ）
器件总功耗氧化铝基板
（注3）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
热特性（ SC- 88A ）
特征
功率耗散（注4 ）
热阻
结到环境
减免上述25℃
最高结温
工作结存储温度范围
2， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
3.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
4.安装在FR- 5局= 1.0× 0.75× 0.062英寸
符号
P
D
R
qJA
最大
385
328
3.0
150
55
+150
单位
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
°C
T
JMAX
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向电压漏电流
(V
R
= 100伏）
(V
R
= 150伏）
(V
R
= 200伏）
(V
R
= 100伏，T
J
= 150°C)
(V
R
= 150伏，T
J
= 150°C)
(V
R
= 200伏，T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
MADC ）
(I
BR
= 100
MADC ）
(I
BR
= 100
MADC ）
正向电压
(I
F
= 100 MADC ）
(I
F
= 200 MADC ）
二极管电容（V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向恢复时间（I
F
= I
R
= 30 MADC ，我
R（ REC ）
= 3.0 MADC ，R
L
= 100)
BAS19
BAS20
BAS21
BAS19
BAS20
BAS21
BAS19
BAS20
BAS21
符号
I
R
民
120
200
250
最大
0.1
0.1
0.1
100
100
100
VDC
1.0
1.25
5.0
50
pF
ns
单位
MADC
V
（ BR ）
VDC
V
F
C
D
t
rr
http://onsemi.com
2
BAS19LT1G ， BAS20LT1G ， BAS21LT1G ， BAS21DW5T1G
820
W
+10 V
2.0 k
100
mH
0.1
mF
D.U.T.
50
W
产量
脉冲
发电机
50
W
输入
采样
示波器
V
R
输入信号
90%
I
R
I
R（ REC ）
= 3.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 30毫安;实测
在我
R（ REC ）
= 3.0 mA）的
I
F
0.1
mF
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
注意事项： 1. 2.0千瓦的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为30 mA 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
是等于30毫安。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
150°C
IF ，正向电流（mA ）
125°C
10
85°C
55°C
25°C
10 150°C
IR ，反向电流（ μA ）
125°C
1.0
85°C
0.1
55°C
0.01
25°C
0.001
20
1.0
-55°C
-40°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
F
，正向电压（ V）
0.8
0.9
1.0
50
80
170
200
110
140
V
R
，反向电压（V）的
230
260
图2. V
F
与我
F
图3.我
R
与V
R
1.6
帽
CD ，二极管电容（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
R
，反向电压（V）的
图4.电容
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3
BAS19LT1G ， BAS20LT1G ， BAS21LT1G ， BAS21DW5T1G
订购信息
设备
BAS19LT1G
BAS19LT3G
BAS20LT1G
BAS21LT1G
BAS21LT3G
BAS21DW5T1G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SC88A
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
BAS19LT1G ， BAS20LT1G ， BAS21LT1G ， BAS21DW5T1G
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
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