SPICE模型： BAS16TW
LEAD -FREE
MMBD4148TW / BAS16TW
表面贴装快速开关二极管阵列
A
特点
·
·
·
·
·
开关速度快
超小型表面贴装封装
对于通用开关应用
高电导
无铅/符合RoHS （注3 ）
G
H
K
M
顶视图
B C
SOT-363
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
K
L
M
a
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。请参阅订购信息，注意5，
第2页
极性：见图
标记： KA2 （见第2页）
重量： 0.006克（近似值）
C
1
0.65标称
J
D
C
2
C
3
F
L
A
1
A
2
A
3
尺寸：mm
顶视图
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
平均整流器ED输出电流（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
@ T = 1.0ms的
@ T = 1.0S
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
O
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
100
75
53
300
150
2.0
1.0
200
625
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
A
mW
° C / W
°C
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注2 ）
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
75
最大
0.715
0.855
1.0
1.25
1.0
50
30
25
2.0
4.0
单位
V
V
mA
mA
mA
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 1毫安
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
j
= 150°C
V
R
= 25V ，T
j
= 150°C
V
R
= 20V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
反向电流（注2 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
I
R
C
T
t
rr
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
DS30154牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBD4148TW / BAS16TW
Diodes公司
I
F
，正向电流（A）
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
1
10000
T
A
= 150C
T
A
= 125C
1000
0.1
T
A
= 150C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
T
A
= 0C
T
A
= -40C
100
T
A
= 75C
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
0.01
1
T
A
= -40C
0.001
0
0.5
1.0
1.5
V
F
，正向电压（ V）
图。 1正向特性
2.0
1.8
C
T
，总电容（PF ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
20
30
40
F = 1.0MHz的
0.1
0
20
40
60
80
100
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 2典型的反向特性
300
P
d
,
功耗（MW ）
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型的电容与反向电压
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4功率降额曲线
订购信息
设备
（注4 ）
包装
SOT-363
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
MMBD4148TW-7-F
BAS16TW-7-F
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KA2
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2000
L
2001
M
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
三月
3
2004
R
APR
4
KA2 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
YM
2005
S
五月
5
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DS30154牧师9 - 2
2 3
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MMBD4148TW / BAS16TW
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30154牧师9 - 2
3 3
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MMBD4148TW / BAS16TW
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BAS16TW
MMBD4148TW
特点
耗散功率： 200mW的（T
AMB
=25 )
Forwardcurrent ： 150毫安
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
200mW的开关
二极管
最大额定值
工作温度： -55至+150
存储温度： -55至+150
G
SOT-363
B
C
除非另有说明电气特性@ 25℃
反向电压
山顶前进
当前
最大
瞬时
正向电压
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
二极管电容
反向恢复
时间
V
R
I
F
75V
150mA
0.715V
0.855
1.0V
1.25V
1.0 A
0.025 A
2pF
4ns
I
R
=100
A
A
H
V
F
I
FM
=1mA;
I
FM
=10mA;
I
FM
=50mA;
I
FM
=150mA;
V
R
=75Volts
V
R
=20Volts
K
J
D
M
L
I
R
尺寸
英寸
MM
民
最大
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
C
D
T
rr
在测
1.0MHz的，V
R
=0V
I
F
=I
R
=10mA,
R
L
= 100欧姆
Irr=0.1I
R
6
4
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
民
.006
.045
.085
.026
.047
.071
---
.035
.010
.003
最大
.014
.053
.096
.055
.087
.004
.043
.018
.006
记
标记： KA2
A
1
3
修改：
A
www.mccsemi.com
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修改：
A
2 2
2011/01/01
BAS16TW
公司Bauelemente
特点
多芯片开关二极管阵列
符合RoHS产品
·
·
·
·
的" - C"后缀指定卤素&无铅
.055(1.40)
.047(1.20)
SOT-363
开关速度快
表面贴装型封装非常适合
自动插入
对于通用开关应用
高电导
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.053(1.35)
.045(1.15)
8
o
0
o
.096(2.45)
.085(2.15)
.018(0.46)
.010(0.26)
A
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
VR
IF
IFM （浪涌）
价值
75
150
400
单位
VDC
MADC
MADC
.043(1.10)
.035(0.90)
尺寸以英寸（毫米）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
200
1.8
R
q
JA
PD
556
250
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
BAS16TW = KA2
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
反向电压漏电流
（ VR = 75 VDC ）
（ VR = 75 VDC ， TJ = 150 ° C）
（ VR = 25伏直流电， TJ = 150 ° C）
反向击穿电压
（ IBR = 100
μAdc ）
正向电压
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 MADC ）
（ IF = 50 MADC ）
（ IF = 150 MADC ）
二极管电容
（VR = 0中，f = 1.0 MHz）的
正向恢复电压
（ IF = 10 MADC ， TR = 20纳秒）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ，RL = 100
)
存储电荷
（ IF = 10 MADC为VR = 5.0伏， RL = 500
)
1.FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.062英寸
http://www.SeCoSGmbH.com
IR
—
—
—
V（ BR ）
VF
—
—
—
—
CD
VFR
TRR
QS
—
—
—
—
715
855
1000
1250
2.0
1.75
4.0
45
75
1.0
50
30
—
μAdc
VDC
mV
pF
VDC
ns
pC
2.Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006年修订版
B
第1页2
BAS16TW
公司Bauelemente
多芯片开关二极管阵列
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
DUT
50
产量
脉冲
发电机
50
输入
采样
示波器
VR
输入信号
90%
IR
I
R（ REC ） = 1.0毫安
输出脉冲
（IF = IR = 10毫安;
测
在我
R（ REC ） = 1.0 mA）的
IF
0.1
F
tr
10%
tp
t
IF
TRR
t
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为10 mA的正向电流（ IF ） 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使红外光谱（峰值）等于10毫安。
注意事项：
3. TP TRR
图1.恢复时间等效测试电路
100
10
TA = 150℃
IF ，正向
电流（mA ）
（MA ）
TA = 85°C
10
TA = - 40°C
IR ，反向
当前
(A)
1.0
TA = 125°C
0.1
TA = 85°C
1.0
TA = 25°C
TA = 55°C
0.01
TA = 25°C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向
电压（V）的
1.0
1.2
0.001
0
10
20
30
VR ，反向
电压（V）的
40
50
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
CD ，二极管
电容
（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
VR ，反向
电压（V）的
6
8
图4.电容
http://www.eris.com.tw
电子邮件： eris@eris.com.tw
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006年修订版
B
页面
2
2
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
表面贴装开关二极管
电压
特点
·快速开关速度。
表面贴装型封装非常适合自动插入
高电导率
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
100伏
动力
200mWatts
机械数据
案例： SOT -363 ，塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
重量：约0.006克
最大额定值和电气特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
参数
标识代码
反向电压
峰值反向电压
整流电流（平均值） ，半波整流
阻性负载和f>50Hz
峰值正向浪涌电流， 1.0
s
功率耗散减免上述25
O
C
符号
-
V
R
V
RM
I
O
I
FS M
P
合计
BAS16TW
16T
BAW56DW
JC
75
100
150
4.0
200
0.715@I
F
=0.001A
0.855@I
F
=0.01A
1.0@I
F
=0.05A
1.25@I
F
=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55到+150
Fig.48
Fig.51
Fig.52
Fig.32
O
BAV70DW
JA
BAV99S
JB
单位
-
V
V
mA
A
mW
最大正向电压
最大DC反向电流在25V
75V
最大结电容（注1 ）
最大反向恢复时间（注2 ）
典型热阻
结温范围
线路图
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
θ
JA
T
J
A
pF
ns
C / W
O
C
注： 1，反向偏置电压= 0 F = 1MHz的
2. I
F
= 10mA至我
R
=为1mA。 V
R
= 6V 。负载= 100Ω
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE 。 1
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
1000
10
T
J
= 125 C
O
正向电流，为m的
100
Reve酒店RSE币种耳鼻喉科，
m
A
1.0
10
0.1
T
J
= 75 C
O
1
0.01
T
J
= 25 C
0 .0 0 1
O
0 .1
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1 .0
1 .2
1 .4
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
图1 - 典型正向特性
反向电压，伏
图2 - 典型的反向特性
P
D
，鲍威 Dissip ATION ，MW
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
环境温度（
o
C)
图3 ，功耗降低曲线
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
Fig.48
REV.0.0-JAN.6.2009
Fig.51
Fig.52
Fig.32
PAGE 。 2
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE 。 3
BAS16TW/MMBD4148TW
开关二极管
SOT-363
特点
开关速度快
对于通用开关应用
高电导
标记：
BAS16TW KA2 · MMBD4148TW KA2
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值@T
A
=25℃
参数
非重复性峰值反向电压
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
隔直
电压
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
O
I
FSM
Pd
R
θJA
T
j
T
英镑
53
300
150
2.0
1.0
200
625
150
-65~+150
mW
K / W
℃
℃
V
mA
mA
A
75
V
范围
100
单位
V
RMS反向电压
正向连续电流
平均整流输出电流
峰值正向浪涌电流@ =是1.0μs
@=1.0s
功耗
热阻结到环境
结温
储存温度
电气额定值@T
A
=25℃
参数
反向击穿电压
符号
V
（ BR ）R
V
F1
正向电压
V
F2
V
F3
V
F4
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
I
R1
I
R2
C
T
t
rr
分钟。
75
0.715
0.855
1.0
1.25
1
25
2
4
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
μA
nA
pF
ns
条件
I
R
=10μA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100
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