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BAS16TT1
首选设备
硅开关二极管
特点
无铅包装是可用*
http://onsemi.com
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
连续反向电压
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 10
ms
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
最大
75
200
500
单位
V
mA
mA
3
阴极
1
阳极
热特性
特征
器件总功耗,
FR- 4板(注1 )
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻,
结到环境(注1 )
器件总功耗,
FR-4板(注2)
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻,
结到环境(注2 )
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
360
2.9
R
qJA
T
J
, T
英镑
345
-55
+150
mW
555
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
3
2
1
CASE 463
SOT416
方式2
标记图
A6
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
BAS16TT1
BAS16TT1G
SOT416
SOT416
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年5月 - 第2版
出版订单号:
BAS16TT1/D
BAS16TT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
正向电压
(I
F
= 1.0 mA)的
(I
F
= 10 mA)的
(I
F
= 50 mA)的
(I
F
= 150 mA)的
反向电流
(V
R
= 75 V)
(V
R
= 75 V ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25 V ,T
J
= 150°C)
电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10毫安,R
L
= 50
W)
(图1)
存储电荷
(I
F
= 10 mA至V
R
= 6.0 V ,R
L
= 500
W)
(图2)
正向恢复电压
(I
F
= 10毫安,T
r
= 20纳秒) (图3)
符号
V
F
I
R
C
D
t
rr
QS
V
FR
1.0
50
30
2.0
6.0
45
1.75
pF
ns
PC
V
715
866
1000
1250
mA
最大
单位
mV
http://onsemi.com
2
BAS16TT1
1 ns(最大值)
t
10%
t
if
t
rr
50
W
占空比= 2 %
V
F
90%
I
rr
100纳秒
500
W
DUT
图1.反向恢复时间等效测试电路
示波器
R
.
10兆瓦
C
3
7 pF的
V
C
20 ns(最大值)
t
10%
500
W
V
CM
DUT
D1
BAW62
243 pF的
100千瓦
Qa
VCM
+
C
占空比= 2 %
V
f
90%
400纳秒
t
图2.存储电荷的等效测试电路
120纳秒
V
90%
V
1 KW
450
W
V
fr
10%
t
DUT
50
W
占空比= 2 %
2 ns(最大值)
图3.正向恢复电压等效测试电路
http://onsemi.com
3
BAS16TT1
100
IR ,反向电流( μA )
IF ,正向电流(mA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 40°C
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图4.正向电压
图5.漏电流
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图6.电容
R(T ) ,归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1000
图7.归热响应
http://onsemi.com
4
BAS16TT1
包装尺寸
SC416/SC90/SOT75
CASE 463-01
版本C
A
S
2
3
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
最大
0.70
0.90
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
最大
0.028 0.035
0.055 0.071
0.024 0.035
0.006 0.012
0.039 BSC
0.004
0.004 0.010
0.057 0.069
0.004 0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
方式2 :
PIN 1.阳极
2, N / C
3.阴极
http://onsemi.com
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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