TRANSYS
电子
L I M I T E
SOT- 523塑料封装二极管
BAS16T/BAW56T/BAV70T/BAV99T
开关二极管
特点
功耗
P
D:
150
毫瓦（环境温度Tamb = 25℃）
SOT-523
正向电流
75μm的
I
F:
反向电压
85
V
V
R
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
BAS16T标记： A2
BAW56T标志： JD
BAV70T标记： JJ
BAV99T标志： JE
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
符号
V
（ BR ）
I
R1
反向电压
漏电流
I
R2
除非另有规定编）
TEST
条件
民
85
2
0.03
715
855
1000
1250
1.5
4
mV
最大
单位
V
I
R
= 100
A
V
R
=75V
V
R
=25V
I
F
=1mA
A
A
前锋
电压
V
F
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
二极管
电容
C
D
t
rr
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
pF
nS
反向恢复时间
典型特征
BAS16T/BAW56T/BAV70T/BAV99T
BAS16T ， BAW56T ，
BAV70T ， BAV99T
表面装载快速开关二极管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
超小型表面贴装封装
开关速度快
对于通用开关应用
高电导
无铅/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注3,4）
机械数据
SOT-523
案例： SOT- 523
外壳材料 - 模压塑料。防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成）
极性：见下面图表
标识信息：请参见下面的图表&第2页
订购信息：见第2页
重量： 0.002克（近似值）
顶视图
BAS16T标记： A2
BAW56T标志： JD
BAV70T标记： JJ
BAV99T标志： JE
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
单二极管
双二极管
@ T =是1.0μs
@ T = 1.0ms的
@ T = 1.0S
I
FM
I
FRM
I
FSM
价值
85
60
155
75
500
4.0
1.0
0.5
单位
V
V
mA
mA
A
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注2 ）
重复峰值正向电流
非重复峰值正向浪涌电流
热特性
特征
功率耗散（注2 ）
热阻结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
150
833
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
反向击穿电压（注5 ）
正向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
85
典型值
最大
0.715
0.855
1.0
1.25
2.0
100
60
30
4.0
单位
V
V
μA
μA
μA
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 100μA
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
J
= 150°C
V
R
= 25V ，T
J
= 150°C
V
R
= 25V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
泄漏电流（注5 ）
总电容
反向恢复时间
注：1 。
2.
3.
4.
I
R
C
T
t
rr
1.5
没有故意添加铅。
设备安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素和锑
2
O
3
阻燃剂。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
BAS16T ， BAW56T ，
BAV70T ， BAV99T
文件编号： DS30260牧师10 - 2
1第3
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
BAS16T ， BAW56T ，
BAV70T ， BAV99T
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
I
F
，正向电流（A）
1
10,000
T
A
= 150C
T
A
= 125C
1,000
0.1
100
T
A
= 75C
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
0.01
1
T
A
= -40C
0.001
1.0
0.5
0
1.5
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性，每元
2.0
1.8
0.1
0
20
40
60
80
100
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 2典型的反向特性，每元
300
C
T
，总电容（PF ）
250
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
10
30
40
0
20
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 3总电容与反向电压，每元
I
F
，正向电流（mA ）
1.6
200
单二极管装
150
100
双二极管装
50
0
0
50
100
150
200
T
s
，焊接点温度
图。 4电流降额曲线，总包
订购信息
产品型号
BAS16T-7-F
BAW56T-7-F
BAV70T-7-F
BAV99T-7-F
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XX =产品型号标识代码（见第1页，如A2 = BAS16T ）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
五月
5
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
BAS16T ， BAW56T ，
BAV70T ， BAV99T
文件编号： DS30260牧师10 - 2
2 3
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
BAS16T ， BAW56T ，
BAV70T ， BAV99T
包装外形尺寸
A
B C
G
H
K
M
N
J
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BAS16T ， BAW56T ，
BAV70T ， BAV99T
文件编号： DS30260牧师10 - 2
3 3
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
