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BAS16HT1
首选设备
开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
1
阴极
2
阳极
http://onsemi.com
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
1, FR- 4最小焊盘。
符号
P
D
最大
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-55
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
SOD323
CASE 477
风格1
标记图
A6 M
符号
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,
R
L
= 500
)
I
R
V
( BR )
V
F
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
45
pF
VDC
ns
pC
75
1.0
50
30
VDC
mV
μAdc
A6
M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
BAS16HT1
BAS16HT1G
SOD323
SOD323
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号:
BAS16HT1/D
BAS16HT1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
D.U.T.
90%
50
输入
采样
示波器
V
R
I
R
输入信号
i
R( REC )
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
I
F
0.1
F
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项: 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10毫安。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10毫安。
注意事项:
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
IF ,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ,反向电流( μA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
http://onsemi.com
2
BAS16HT1
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
ISSUE摹
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
4.尺寸A和B不包括塑模
FLASH中,突出或毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.15 REF
b
0.25
0.32
0.4
C
0.089
0.12 0.177
D
1.60
1.70
1.80
E
1.15
1.25
1.35
L
0.08
H
E
2.30
2.50
2.70
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
英寸
喃最大
0.035 0.040
0.002 0.004
0.006 REF
0.010 0.012 0.016
0.003 0.005 0.007
0.062 0.066 0.070
0.045 0.049 0.053
0.003
0.090 0.098 0.105
H
E
D
b
1
2
E
0.031
0.000
A3
A
L
注5
C
注3
A1
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
BAS16HT1
安森美半导体
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这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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4
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