添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第319页 > BAS16HT1
BAS16HT1
首选设备
开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
1
阴极
2
阳极
http://onsemi.com
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
1, FR- 4最小焊盘。
符号
P
D
最大
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-55
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
SOD323
CASE 477
风格1
标记图
A6 M
符号
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,
R
L
= 500
)
I
R
V
( BR )
V
F
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
45
pF
VDC
ns
pC
75
1.0
50
30
VDC
mV
μAdc
A6
M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
BAS16HT1
BAS16HT1G
SOD323
SOD323
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号:
BAS16HT1/D
BAS16HT1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
D.U.T.
90%
50
输入
采样
示波器
V
R
I
R
输入信号
i
R( REC )
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
I
F
0.1
F
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项: 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10毫安。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10毫安。
注意事项:
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
IF ,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ,反向电流( μA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
http://onsemi.com
2
BAS16HT1
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
ISSUE摹
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
4.尺寸A和B不包括塑模
FLASH中,突出或毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.15 REF
b
0.25
0.32
0.4
C
0.089
0.12 0.177
D
1.60
1.70
1.80
E
1.15
1.25
1.35
L
0.08
H
E
2.30
2.50
2.70
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
英寸
喃最大
0.035 0.040
0.002 0.004
0.006 REF
0.010 0.012 0.016
0.003 0.005 0.007
0.062 0.066 0.070
0.045 0.049 0.053
0.003
0.090 0.098 0.105
H
E
D
b
1
2
E
0.031
0.000
A3
A
L
注5
C
注3
A1
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
BAS16HT1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BAS16HT1/D
BAS16HT1
首选设备
开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
1
阴极
2
阳极
http://onsemi.com
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
1, FR- 4最小焊盘。
符号
P
D
最大
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-55
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
SOD323
CASE 477
风格1
标记图
A6 M
符号
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,
R
L
= 500
)
I
R
V
( BR )
V
F
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
45
pF
VDC
ns
pC
75
1.0
50
30
VDC
mV
μAdc
A6
M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
BAS16HT1
BAS16HT1G
SOD323
SOD323
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号:
BAS16HT1/D
BAS16HT1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
D.U.T.
90%
50
输入
采样
示波器
V
R
I
R
输入信号
i
R( REC )
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
I
F
0.1
F
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项: 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10毫安。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10毫安。
注意事项:
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
IF ,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ,反向电流( μA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
http://onsemi.com
2
BAS16HT1
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
ISSUE摹
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
4.尺寸A和B不包括塑模
FLASH中,突出或毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.15 REF
b
0.25
0.32
0.4
C
0.089
0.12 0.177
D
1.60
1.70
1.80
E
1.15
1.25
1.35
L
0.08
H
E
2.30
2.50
2.70
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
英寸
喃最大
0.035 0.040
0.002 0.004
0.006 REF
0.010 0.012 0.016
0.003 0.005 0.007
0.062 0.066 0.070
0.045 0.049 0.053
0.003
0.090 0.098 0.105
H
E
D
b
1
2
E
0.031
0.000
A3
A
L
注5
C
注3
A1
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
BAS16HT1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BAS16HT1/D
BAS16HT1
首选设备
开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
1
阴极
2
阳极
http://onsemi.com
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
1, FR- 4最小焊盘。
符号
P
D
最大
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-55
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
SOD323
CASE 477
风格1
2
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
标记图
开关特性
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,
R
L
= 500
)
I
R
V
( BR )
V
F
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
45
pF
VDC
ns
pC
75
1.0
50
30
VDC
mV
μAdc
A6
M
A6 M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
BAS16HT1
SOD323
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年2月 - 第3版
出版订单号:
BAS16HT1/D
BAS16HT1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
D.U.T.
90%
50
输入
采样
示波器
V
R
I
R
输入信号
i
R( REC )
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
I
F
0.1
F
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项: 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10毫安。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10毫安。
注意事项:
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
IF ,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ,反向电流( μA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
http://onsemi.com
2
BAS16HT1
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
版本D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F
绘制带焊料镀层。
4.尺寸A和B不包括
毛边,突出或
毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
L
MILLIMETERS
最大
1.60
1.80
1.15
1.35
0.80
1.00
0.25
0.40
0.15 REF
0.00
0.10
0.089
0.177
2.30
2.70
0.075
英寸
最大
0.063
0.071
0.045
0.053
0.031
0.039
0.010
0.016
0.006 REF
0.000
0.004
0.0035 0.0070
0.091
0.106
0.003
K
A
D
1
2
B
E
C
L
注5
J
注3
H
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
BAS16HT1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BAS16HT1/D
BAS16HT1
首选设备
开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
1
阴极
2
阳极
http://onsemi.com
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
1, FR- 4最小焊盘。
符号
P
D
最大
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-55
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
SOD323
CASE 477
风格1
2
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
标记图
开关特性
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,
R
L
= 500
)
I
R
V
( BR )
V
F
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
45
pF
VDC
ns
pC
75
1.0
50
30
VDC
mV
μAdc
A6
M
A6 M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
BAS16HT1
SOD323
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年2月 - 第3版
出版订单号:
BAS16HT1/D
BAS16HT1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
D.U.T.
90%
50
输入
采样
示波器
V
R
I
R
输入信号
i
R( REC )
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
I
F
0.1
F
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项: 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10毫安。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10毫安。
注意事项:
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
IF ,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ,反向电流( μA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
http://onsemi.com
2
BAS16HT1
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
版本D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F
绘制带焊料镀层。
4.尺寸A和B不包括
毛边,突出或
毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
L
MILLIMETERS
最大
1.60
1.80
1.15
1.35
0.80
1.00
0.25
0.40
0.15 REF
0.00
0.10
0.089
0.177
2.30
2.70
0.075
英寸
最大
0.063
0.071
0.045
0.053
0.031
0.039
0.010
0.016
0.006 REF
0.000
0.004
0.0035 0.0070
0.091
0.106
0.003
K
A
D
1
2
B
E
C
L
注5
J
注3
H
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
BAS16HT1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BAS16HT1/D
乐山无线电公司, LTD 。
开关二极管
BAS16HT1
1
阴极
2
阳极
1
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
2
CASE 477- 02 ,风格1
SOD- 323
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, *
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
** FR- 4最小焊盘
符号
P
D
最大
200
1.57
635
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
DEVICEMARKING
BAS16HT1 = A6
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
OFFCHARACTERISTICS
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,R
L
= 500
)
t
rr
Q
S
6.0
45
ns
pC
C
D
V
FR
V
F
715
855
1000
1250
2.0
1.75
pF
VDC
mV
V
( BR )
符号
I
R
最大
单位
μAdc
75
1.0
50
30
VDC
S7–1/2
乐山无线电公司, LTD 。
BAS16HT1
820
2.0 k
0.1F
t
r
t
p
10%
t
I
F
t
rr
t
+10 V
100
H
I
F
0.1
F
50
产量
脉冲
发电机
DUT
50
输入
采样
示波器
90%
i
R( REC )
= 1.0毫安
输入信号
V
R
I
R
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
注意事项: 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10mA 。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10mA的电流。
注意事项:
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
典型特征
100
10
T
A
= 150°C
I
F
,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
I
R
,反向电流( μA )
T
A
= –40°C
1.0
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
0.1
T
A
= 25°C
1.0
T
A
= 55°C
0.01
T
A
= 25°C
0.001
0
10
20
30
40
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
,正向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
C
D
,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
S7–2/2
BAS16HT1
表面贴装开关二极管
反向击穿电压 - 75伏特
SOD-323
1
2
2
阳极
峰值正向电流 - 200毫安
0.106(2.70)
0.091(2.30)
0.071(1.80)
0.063(1.60)
1
2
1
阴极
0.016(0.40)
0.010(0.25)
0.053(1.35)
0.045(1.15)
0.006(0.150)
REF 。
0.025(0.63)
0.033(0.83)
0.063(1.60)
0.112(2.85)
注3
0.007(0.18)
0.004(0.09)
注意事项:
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.039(1.00)
0.031(0.80)
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F的绘画与焊料镀层。
器件标识: BAS16HT1 = A6
*尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
o
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局,T
A
=25 C
o
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
o
o
符号
P
D
R
JA
马克斯。
200
1.57
635
150
单位
mW
o
毫瓦/ C
o
C / W
o
T
J
, T
英镑
C
电气特性
( T
A
= 25°C除非另有说明)
特征
( V
R
= 75VDC )
o
( V
R
= 75VDC ,T
J
=150 C )
o
( V
R
= 25VDC ,T
J
=150 C )
( I
BR
= 100uAdc )
( I
F
= 1.0mAdc )
( I
F
= 10mAdc )
( I
F
= 50mAdc )
( I
F
= 150mAdc )
( V
R
= 0 , F = 1.0MHz的)
( I
F
= 10mAdc , TR = 20ns的)
( I
F
=I
R=
10mAdc ,RL = 50
)
)
符号
分钟。
-
-
-
75
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
1.0
50
30
-
0.72
0.86
1.00
1.25
2.0
1.75
6.0
45
单位
反向电压漏电流
反向击穿电压
I
R
V
( BR )
uAdc
VDC
正向电压
V
F
VDC
结电容
正向恢复电压
反向恢复时间
存储电荷
C
J
V
FR
t
rr
Q
S
pF
VDC
nS
pC
( I
F
= 10mAdc ,到V
R = 5.0VDC ,RL = 500
REV 。 : 0
ZOWIE科技股份有限公司
评级和BAS16HT1特性曲线
图1.恢复时间等效测试电路
820
+10 V
2k
100uH
0.1uF
D.U.T.
产量
脉冲
发电机
50
50 INPUT
采样
示波器
90%
VR
输入信号
IR
IR( REC ) = 1毫安
输出脉冲
( I F = I R = 10毫安;测
在IR( REC ) = 1毫安
I
F
0.1uF
IF
TRR
T
tr
10%
tp
T
注意事项: 1. 2.0K可变电阻调整为10mA的正向电流( IF ) 。
2.输入脉冲进行调整,使红外光谱(峰值)等于10mA电流。
3. TP TRR
图2.正向电压
100
10
图3.泄漏电流
T
A
=150 C
o
IF ,正向电流(mA )
IR ,反向电流( UA)
T
A
=85 C
10
T
A
= -40 C
o
o
T
A
=125 C
1.0
o
T
A
=85 C
0.1
T
A
=55 C
0.01
o
o
o
1.0
T
A
=25 C
o
T
A
=25 C
0.1
0.2
0.001
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
20
30
40
50
VF ,正向电压(伏)
VR ,反向电压(伏)
图4.电容
0.68
CD ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
VR ,反向电压(伏)
REV 。 : 0
ZOWIE科技股份有限公司
查看更多BAS16HT1PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS16HT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BAS16HT1
Onsemi
21+
15000.00
SOD323
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BAS16HT1
ON
22+
262711
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
BAS16HT1
ON
2025+
26820
SC-76
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
BAS16HT1
ONSEMI
24+
18500
SOD-323
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
BAS16HT1
ON
24+
11880
SOT
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BAS16HT1
onsemi
24+
10000
SOD-323
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BAS16HT1
ON/安森美
2443+
23000
SOD323
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BAS16HT1
ONS
24+
8420
SOD-323-2
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BAS16HT1
ONS
2024+
9675
SOD-323-2
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
BAS16HT1
ON Semiconductor
24+
22000
559¥/片,原装正品假一赔百!
查询更多BAS16HT1供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!