BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
正向电压
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 50 mA）的
(I
F
= 150 mA）的
反向电流
(V
R
= 75 V)
(V
R
= 75 V ，T
J
= 150°C)
(V
R
= 25 V ，T
J
= 150°C)
电容
(V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 50
W)
（图1）
存储电荷
(I
F
= 10 mA至V
R
= 6.0 V ，R
L
= 500
W)
（图2）
正向恢复电压
(I
F
= 10毫安，T
r
= 20纳秒） （图3）
符号
V
F
I
R
C
D
t
rr
QS
V
FR
1.0
50
30
2.0
6.0
45
1.75
pF
ns
PC
V
715
855
1000
1250
mA
民
最大
单位
mV
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2
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
1 ns（最大值）
t
10%
t
if
t
rr
50
W
占空比= 2 ％
V
F
90%
I
rr
100纳秒
500
W
DUT
图1.反向恢复时间等效测试电路
示波器
R
.
10兆瓦
C
3
7 pF的
V
C
20 ns（最大值）
t
10%
500
W
V
CM
DUT
D1
BAW62
243 pF的
100千瓦
Qa
VCM
+
C
占空比= 2 ％
V
f
90%
400纳秒
t
图2.存储电荷的等效测试电路
120纳秒
V
90%
V
1 KW
450
W
V
fr
10%
t
DUT
50
W
占空比= 2 ％
2 ns（最大值）
图3.正向恢复电压等效测试电路
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3
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
100
IR ，反向电流（ μA ）
IF ，正向电流（mA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 40°C
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图4.正向电压
图5.漏电流
0.68
CD ，二极管电容（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图6.电容
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图7.归热响应
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4
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
本期
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
D
X
A
L
4
6
5
1
2
3
E
Y
H
E
b
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
风格10 ：
PIN 1阴极1
2， N / C
3.阴极2
4.阳极2
5， N / C
6.阳极1
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
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5
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