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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第582页 > BAS16DXV6T1
BAS16DXV6T1,
BAS16DXV6T5
首选设备
双开关二极管
特点
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
连续反向电压
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 10
ms
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
最大
75
200
500
单位
V
mA
mA
http://onsemi.com
6
4
1
3
6
54
2
3
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
R
qJA
T
A
= 25°C
符号
P
D
最大
357
（注1 ）
2.9
（注1 ）
350
（注1 ）
最大
500
（注1 ）
4.0
（注1 ）
250
（注1 ）
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
SOT563
CASE 463A
塑料
标记图
A6 MG
G
A6 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
BAS16DXV6T1
BAS16DXV6T1G
BAS16DXV6T5
BAS16DXV6T5G
包
SOT563
SOT563
（无铅）
SOT563
SOT563
（无铅）
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @最低垫
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 第2版
出版订单号：
BAS16DXV6/D
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
正向电压
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 50 mA）的
(I
F
= 150 mA）的
反向电流
(V
R
= 75 V)
(V
R
= 75 V ，T
J
= 150°C)
(V
R
= 25 V ，T
J
= 150°C)
电容
(V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 50
W)
（图1）
存储电荷
(I
F
= 10 mA至V
R
= 6.0 V ，R
L
= 500
W)
（图2）
正向恢复电压
(I
F
= 10毫安，T
r
= 20纳秒） （图3）
符号
V
F
I
R
C
D
t
rr
QS
V
FR
1.0
50
30
2.0
6.0
45
1.75
pF
ns
PC
V
715
855
1000
1250
mA
民
最大
单位
mV
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2
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
1 ns（最大值）
t
10%
t
if
t
rr
50
W
占空比= 2 ％
V
F
90%
I
rr
100纳秒
500
W
DUT
图1.反向恢复时间等效测试电路
示波器
R
.
10兆瓦
C
3
7 pF的
V
C
20 ns（最大值）
t
10%
500
W
V
CM
DUT
D1
BAW62
243 pF的
100千瓦
Qa
VCM
+
C
占空比= 2 ％
V
f
90%
400纳秒
t
图2.存储电荷的等效测试电路
120纳秒
V
90%
V
1 KW
450
W
V
fr
10%
t
DUT
50
W
占空比= 2 ％
2 ns（最大值）
图3.正向恢复电压等效测试电路
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3
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
100
IR ，反向电流（ μA ）
IF ，正向电流（mA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 40°C
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图4.正向电压
图5.漏电流
0.68
CD ，二极管电容（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图6.电容
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图7.归热响应
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4
BAS16DXV6T1 ， BAS16DXV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
本期
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
D
X
A
L
4
6
5
1
2
3
E
Y
H
E
b
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
风格10 ：
PIN 1阴极1
2， N / C
3.阴极2
4.阳极2
5， N / C
6.阳极1
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
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BLM41PG181SN1K
BCN102ABI1.2KJ7
BKP1608HS600TK
BRF1A16E-TR
BCR16LM-14LB
BU4231F-TR
BU4837G
BH91331F
BZW03-C11
BZW03C11
B43252A9107M000
BD5238G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS16DXV6T1
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BAS16DXV6T1
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联系人：何小姐
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