BAS16-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
超快速开关速度
e3
表面贴装型封装非常适合
自动插入
高电导率
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
16923
机械数据
案例：
SOT23塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
极性：
阴极带
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAS16-V
订购代码
BAS16 -V - GS18或BAS16 - V_GS08 A6
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
非重复性峰值反向
电压
反向重复峰值电压
=工作峰值反向电压
- 阻断电压DC
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
t
p
= 1 s
t
p
=1 s
半波整流
阻性负载和f
≥
50兆赫，上
陶瓷基板
8毫米×10毫米× 0.7毫米
在陶瓷基板
8毫米×10毫米× 0.7毫米
在陶瓷基板
8毫米×10毫米× 0.7毫米
测试条件
符号
V
RM
V
RRM
= V
RWM
= V
R
价值
100
75
单位
V
V
I
FSM
I
FSM
I
FAV
1
2
150
A
A
mA
正向电流
功耗
I
F
P
合计
300
350
mA
mW
文档编号85539
修订版1.5 ， 09 -MAR -06
www.vishay.com
1
BAS16-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结存储
温度范围
测试条件
在陶瓷基板
8毫米×10毫米× 0.7毫米
符号
R
thJA
T
j
= T
英镑
价值
357
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
反向电流
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V ，T
j
= 150 °C
V
R
= 25 V ，T
j
= 150 °C
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= 10 mA至我
R
= 1毫安，
V
R
= 6 V ，R
L
= 100
Ω
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
D
t
rr
民
典型值。
最大
715
855
1
1.25
1
50
30
4
6
单位
mV
mV
V
V
A
A
A
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
10000
I
R
- 反向电流（ NA）
V
R
= 20
V
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
T
j
= 100 °C
10
25 °C
1
0.1
100
10
0.01
14356
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 前进
电压
(V)
0
14357
25
50
75
100 125 150 175 200
T
j
=结温（ ° C）
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
文档编号85539
修订版1.5 ， 09 -MAR -06
BAS16-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85539
修订版1.5 ， 09 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
QQ：2880707522 复制
