BAS116TT1G
开关二极管
特点
低漏电流的应用
中速开关时间
可在8毫米磁带和卷轴
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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3
阴极
1
阳极
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
最大
75
200
500
单位
V
mA
mA
1
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
555
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
3
2
CASE 463
SOT416
方式2
1
AE
M
G
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
记号
图
AE MG
G
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ）
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR-4板（注2）
T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
订购信息
设备
包
SOT416
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
360
2.9
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
BAS116TT1G
R
qJA
T
J
, T
英镑
345
55
to
+150
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年9月
第1版
1
出版订单号：
BAS116TT1/D
BAS116TT1G
包装尺寸
SC75/SOT416
CASE 463-01
本期
E
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
e
1
D
b
3 PL
0.20 (0.008)
M
D
H
E
0.20 (0.008) E
暗淡
A
A1
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.70
0.80
0.90
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.30
0.10
0.15
0.25
1.55
1.60
1.65
0.70
0.80
0.90
1.00 BSC
0.10
0.15
0.20
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.031 0.035
0.002 0.004
0.008 0.012
0.006 0.010
0.063 0.067
0.031 0.035
0.04 BSC
0.004 0.006 0.008
0.061 0.063 0.065
民
0.027
0.000
0.006
0.004
0.059
0.027
C
A
L
A1
方式2 ：
PIN 1.阳极
2， N / C
3.阴极
焊接足迹*
0.356
0.014
1.803
0.071
0.787
0.031
0.508
0.020
1.000
0.039
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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3
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