SPICE模型： BAS116T BAW156T BAV170T BAV199T
LEAD -FREE
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
表面贴装小漏二极管
SOT-523
A
C
顶视图
B C
E
G
H
特点
·
·
·
·
超小型表面贴装封装
非常低的漏电流
无铅/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
暗淡
A
B
C
D
G
H
K
N
M
民
0.15
0.75
1.45
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
0.45
0°
最大
0.30
0.85
1.75
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
0.65
8°
典型值
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
0.50
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
极性：见下面图表
标记：见下面的图表&第3页
重0.002克数（大约）
订购信息：见第3页
J
B
J
K
L
M
N
a
D
L
尺寸：mm
BAS116T标记： 50
BAW156T标记： 53
BAV170T标记： 51
BAV199T标记： 52
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ms的
@ T = 1.0ms的
@ T = 1.0S
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
单二极管
双二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FRM
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
85
60
215
125
500
4.0
1.0
0.5
150
833
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
A
mW
° C / W
°C
注：1.装置安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.没有故意添加铅。
DS30258牧师10 - 2
1第3
www.diodes.com
BAS116T ， BAW156T ， BAV170T ， BAV199T
Diodes公司
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注3 ）
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
85
典型值
2
最大
0.90
1.0
1.1
1.25
5.0
80
3.0
单位
V
V
nA
nA
pF
ms
测试条件
I
R
= 100毫安
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
j
= 150°C
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
泄漏电流（注3）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
I
R
C
T
t
rr
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
200
I
F
，正向电流（mA）
250
1000
P
D
，功耗（毫瓦）
100
150
10
100
1.0
50
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功率降额曲线
10
V
R
= 75V
160
140
I
R
，反向电流（ NA）
T
A
，环境温度（ ° C）
120
100
80
60
40
20
0
0.00
0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40
V
F（ AVE ）
，平均正向电压（ V）
图。 4典型正向电压随环境温度
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 150毫安
1
0.1
0
50
100
150
200
T
A
，环境温度（
°C
)
图。 3典型的反向特性
DS30258牧师10 - 2
2 3
www.diodes.com
BAS116T ， BAW156T ， BAV170T ， BAV199T
订购信息
设备
BAS116T-7-F
BAW156T-7-F
BAV170T-7-F
BAV199T-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XX =产品型号标识代码（见第1页，如50 = BAS116T ）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2001
M
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
三月
3
2004
R
APR
4
2005
S
五月
5
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30258牧师10 - 2
3 3
www.diodes.com
BAS116T ， BAW156T ， BAV170T ， BAV199T
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
表面贴装小漏二极管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
超小型表面贴装封装
非常低的漏电流
无铅/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
"Green"设备（注3和4）
机械数据
SOT-523
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
极性：见下面图表
标识信息：请参见下面的图表和第3页
订购信息：见第2页
重量： 0.002克（近似值）
顶视图
BAS116T标记： 50
BAW156T标记： 53
BAV170T标记： 51
BAV199T标记： 52
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
单二极管
双二极管
@ T =是1.0μs
@ T = 1.0ms的
@ T = 1.0S
I
FM
I
FRM
I
FSM
价值
85
60
215
125
500
4.0
1.0
0.5
单位
V
V
mA
mA
A
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
重复峰值正向电流
非重复峰值正向浪涌电流
热特性
特征
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
150
833
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
反向击穿电压（注5 ）
正向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
85
典型值
最大
0.90
1.0
1.1
1.25
5.0
80
3.0
单位
V
V
测试条件
I
R
= 100μA
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
j
= 150°C
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
泄漏电流（注5 ）
总电容
反向恢复时间
注：1 。
2.
3.
4.
I
R
C
T
t
rr
2
nA
nA
pF
μs
设备安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素和锑
2
O
3
阻燃剂。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
文件编号： DS30258牧师12 - 2
1第3
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
I
F
，正向电流（mA）
250
1,000
P
D
，功耗（毫瓦）
200
100
150
10
100
1.0
50
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功率降额曲线
0.01
0
2.0
0.4
1.2
1.6
0.8
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
10
160
140
I
R
，反向电流（ NA）
120
100
1
80
60
40
20
0.1
0
50
100
150
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 3典型的反向特性
200
0
0.00
0.80 1.00 1.20 1.40
0.20 0.40 0.60
V
F（ AVE ）
，平均正向电压（ V）
图。 4典型正向电压与环境温度
订购信息
产品型号
BAS116T-7-F
BAW156T-7-F
BAV170T-7-F
BAV199T-7-F
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
文件编号： DS30258牧师12 - 2
2 3
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
标识信息
XX =产品型号标识代码（见第1页，如50 = BAS116T ）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2001
M
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
MAR
3
2004
R
APR
4
2005
S
五月
5
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
G
H
K
M
N
J
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BAS116T ， BAW156T ，
BAV170T ， BAV199T
文件编号： DS30258牧师12 - 2
3 3
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
