乐山无线电公司， LTD 。
开关二极管
该开关二极管具有以下特点：
低漏电流的应用
中速开关时间
可在8毫米磁带和卷轴
使用BAS116LT1责令7英寸/ 3000单元卷轴
使用BAS116LT3订购13英寸/ 10,000件卷轴
3
阴极
1
阳极
1
2
BAS116LT1
3
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
CASE 318-08 ，风格8
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
器件标识
BAS116LT1 = JV
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θJA
P
D
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
I
R
民
––
––
V
（ BR ）
V
F
75
––
—
––
—
—
—
最大
5.0
80
—
900
1000
1100
1250
2.0
3.0
VDC
mV
单位
NADC
开关特性
反向电压漏电流（V
R
= 75 VDC ）
(V
R
= 75 VDC ，T
J
=150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc ）
正向电压（I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 MADC ）
(I
F
= 50 MADC ）
(I
F
= 150 MADC ）
二极管电容（V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10mAdc ， ） （图1）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
C
D
t
rr
pF
s
G4–1/2
乐山无线电公司， LTD 。
BAS116LT1
820
2.0 k
0.1F
t
r
t
t
I
F
t
rr
t
+10 V
p
100
H
I
F
10%
0.1
F
50
产量
脉冲
发电机
D.U.T.
50
输入
采样
示波器
90%
i
R（ REC ）
= 1.0毫安
输入信号
V
R
I
R
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R（ REC ）
= 1.0 mA）的
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为10mA 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
等于10mA的电流。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
G4–2/2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BAS116LT1 / D
开关二极管
该开关二极管具有以下特点：
低漏电流的应用
中速开关时间
可在8毫米磁带和卷轴
使用BAS116LT1责令7英寸/ 3000单元卷轴
使用BAS116LT3订购13英寸/ 10,000件卷轴
BAS116LT1
摩托罗拉的首选设备
3
1
2
3
阴极
1
阳极
CASE 318 - 08 ，风格8
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
VR
IF
IFM （浪涌）
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
BAS116LT1 = JV
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
反向击穿电压（ IBR = 100
μAdc ）
反向电压漏电流（ VR = 75 VDC ）
反向电压漏电流
（ VR = 75 VDC ， TJ = 150 ° C）
正向电压（ IF = 1.0 MADC ）
正向电压
（ IF = 10 MADC ）
正向电压
（ IF = 50 MADC ）
正向电压
（ IF = 150 MADC ）
二极管电容（ VR = 0 V ， F = 1.0兆赫）
反向恢复时间（ IF = IR = 10 MADC ）（图1 ）
1， FR- 5 = 1.0
0.75
2.氧化铝= 0.4
0.3
V（ BR ）
IR
VF
75
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
80
900
1000
1100
1250
2.0
3.0
VDC
NADC
mV
CD
TRR
pF
s
0.062英寸
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
BAS116LT1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
DUT
50
产量
脉冲
发电机
50
输入
采样
示波器
VR
输入信号
90%
IR
IR（ REC ） = 1.0毫安
输出脉冲
（IF = IR = 10毫安;实测
在IR（ REC ） = 1.0 mA）的
IF
0.1
F
tr
10%
tp
t
IF
TRR
t
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为10 mA的正向电流（ IF ） 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使红外光谱（峰值）等于10毫安。
注意事项：
3. TP TRR
图1.恢复时间等效测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BAS116LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BAS116LT1
包装尺寸
A
L
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
B·S
1
2
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
CASE 318-08
ISSUE AF
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 81-3-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
BAS116LT1/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BAS116LT1G
开关二极管
特点
低漏电流的应用
中速开关时间
可在8毫米磁带和卷轴
http://onsemi.com
使用BAS116LT1责令7英寸/ 3000单元卷轴
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
3
阴极
1
阳极
3
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
风格8
标记图
JV M
G
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
JV =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
BAS116LT1G
BAS116LT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
启示录6
1
出版订单号：
BAS116LT1/D
BAS116LT1G
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新标准
31808.
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
3
BAS116LT1/D
BAS116LT1
首选设备
开关二极管
该开关二极管具有以下特点：
低漏电流的应用
中速开关时间
可在8毫米磁带和卷轴
使用BAS116LT1责令7英寸/ 3000单元卷轴
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
3
阴极
1
阳极
记号
图
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
JV
=具体设备守则
M =日期代码
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
风格8
JV M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
BAS116LT1
BAS116LT1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 第4版
出版订单号：
Devicenumber / D
BAS116LT1
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
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