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BAR80
硅射频开关二极管
在并联结构的设计使用
高分流信号隔离器
分流低插入损耗
3
4
2
1
VSO05553



TYPE
BAR80
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
结温
记号
AAS
1=C
引脚配置
2=A
3=C
4=A
包
MW-4
符号
V
R
I
F
T
j
T
op
T
英镑
价值
35
100
150
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
°C
工作温度范围
储存温度
1
Aug-17-2001
BAR80
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 20 V
正向电压
I
F
= 100毫安
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 3 V,
f
= 1兆赫
正向电阻
I
F
= 5毫安，
f
= 100兆赫
串联电感芯片到地
应用信息
分流信号隔离器
分流器插入损耗
S
I
单位
马克斯。
20
1
nA
V
典型值。
-
-
I
R
V
F
-
0.8
C
T
-
0.6
r
f
L
s
-
-
1
0.92
0.5
0.14
1.6
1.3
0.7
-
pF
-
-
23
0.15
-
-
并联二极管配置
- 一个完美的理由是，以获得最佳的隔离至关重要
- 阳极管脚应作为通道，用于射频

V
R
= 5 V,
f
= 2 GHz时，
R
G
=
R
L
=50

I
F
= 10毫安，
f
= 2 GHz时，
R
G
=
R
L
=50
I
L
2
Aug-17-2001

nH
dB
BAR80
正向电流
I
F
=
f
(T
S
)
160
mA
120
I
F
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F（T
p
)
10
3
10
2
K / W
I
FMAX
/
I
FDC
-
R
thjs
10
2
10
1
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
-5
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -6
10
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
3
Aug-17-2001
BAR80
正向电阻
r
f
=
f
(
I
F
)
f
= 100MHz的
EHD07010
二极管电容
C
T
=
f
(
V
R
)
f
= 1MHz的
EHD07009
10
1
r
f
C
T
2.0
pF
1.6
1.2
10
0
0.8
0.4
10
-1
10
-1
10
0
10
1
mA
10
2
0.0
0
10
20
V
V
R
30
Ι
F
4
Aug-17-2001
BAR 80
l
l
l
硅射频开关二极管
在并联结构的设计使用
海特分流信号隔离器
分流低插入损耗
TYPE
BAR 80
记号
AAS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-A1084
引脚配置
1
2
3
C
A
C
包
4
A
MW-4
1)
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
工作温度范围
存储温度范围
符号
BAR 80
35
100
-55...+125
-55...+150
单位
V
mA
°C
°C
V
R
I
F
T
op
T
英镑
1 ）包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
1
A02版， 95年2月27日
BAR 80
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
反向电流
V
R
= 20 V
正向电压
I
F
= 100毫安
二极管电容
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
V
R
= 3 V ， F = 1兆赫
正向电阻
符号
分钟。
价值
典型值。
-
0.92
1
0.92
0.5
0.14
马克斯。
单位
nA
I
R
-
20
V
F
-
1
V
pF
-
0.6
1.6
1.3
-
0.7
nH
-
-
C
T
f
= 100MHz的
r
f
L
s
I
F
= 5毫安
串联电感接地
应用信息
分流信号隔离器
-
-
23
0.15
-
dB
dB
-
-
I
F
= 10毫安，
f
= 2 GHz时，
R
G
=
R
L
= 50
分流器插入损耗
V
R
= 5 V,
f
= 2 GHz时，
R
G
=
R
L
= 50
IL
并联二极管配置
-A完美地是必要的
以达到最佳的隔离
-The阳极管脚应使用
为通道射频
半导体集团
2
A02版， 95年2月27日
BAR 80
正向电流
I
F
=
f
(T
S,
T
A
)
正向电阻
r
f
= (I
F
)
f
= 100兆赫
mA
I
F
T
S
T
A
T
S
T
A
Dioden电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1兆赫
半导体集团
3
A02版， 95年2月27日
BAR 80
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
f
(t
p
)
K / W
R
thjs
I
F最大
_______
I
F
DC
t
p
t
p
半导体集团
4
A02版， 95年2月27日
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BSM150GXR120DN2
BSM15GD120D
BZW50-82
BM-20658MD
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BTS412B2E3043
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    BAR80
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BAR80
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BAR80
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