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日前，Vishay
BAR64V-04
威世半导体
RF PIN二极管 - 双通道，系列采用SOT -23
描述
低反向电容PIN特点
二极管BAR64V - 04被设计为RF信号
开关和调优。作为前进的函数
偏置电流的正向电阻（射频）可以是
调整在很宽的范围内。长载流子寿命
提供了信号的低信号失真超过10 MHz的最高
到3GHz 。典型应用该PIN二极管
开关和衰减器在无线，移动和TV-
系统。
2
1
1
2
18256
3
3
特点
高反向电压
小反向电容
高击穿电压
机械数据
案例：
塑料外壳（ SOT -23 ）
重量：
约。 8.1毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
应用
对于频率高达3 GHz的
RF信号调谐
信号衰减器和开关
移动，无线和电视的应用
零件表
部分
BAR64V-04
订购代码
BAR64V -04 - GS18或BAR64V - 04- GS08
D4
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
R
I
F
T
j
T
英镑
价值
100
100
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向电流
正向电压
测试条件
I
R
= 10
A
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
符号
V
R
I
R
V
F
民
100
50
1.1
典型值。
最大
单位
V
nA
V
文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
BAR64V-04
威世半导体
参数
二极管电容
测试条件
F = 1MHz时， V
R
= 0
F = 1MHz时， V
R
= 1 V
F = 1MHz时， V
R
= 20 V
正向电阻
F = 100 MHz时，我
F
= 1毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 10毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 100毫安
载流子寿命
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，我
R
= 3毫安
符号
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
t
rr
民
典型值。
0.5
0.37
0.23
10
2.0
0.8
1.8
0.5
0.35
20
3.8
1.35
最大
日前，Vishay
单位
pF
pF
pF
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
100.00
100.0
r
f
- 正向电阻（
)
I
F
- 正向电流（mA ）
F = 100 MHz的
10.0
10.00
1.00
1.0
0.10
0.1
0.1
18342
1.0
10
100
0.01
0.5
18326
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电阻与正向电流
图。 3正向电流与正向电压
0.50
C
D
- 二极管电容（pF ）
300
F = 1 MHz的
V
R
- 倒V oltage （ V）
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
4
8
250
200
150
100
50
0
0.01
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20
24
28
18330
0.1
1.0
10
100
1000
18334
V
R
- 倒V oltage （ V）
I
R
- 反向电流（
A
)
图。 2二极管电容与反向电压
图。 4反向电压与反向电流
www.vishay.com
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文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
BAR64V-04
威世半导体
12
10
I
F
- 正向电流（mA ）
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-500
500
I
F
= 10毫安
I
R
= 6毫安
i
rr
= 3毫安
1500
2500
3500
18338
恢复时间（纳秒）
图。 5典型充电曲线恢复
单位：mm包装尺寸（英寸）
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
3
1.43 (.056)
1.33 (.052)
贴装焊盘布局
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
2.0 (0.079)
1
0.95 (.037)
2
0.95 (.037)
最大0.1 （ 0.004）
0.95 (0.037)
0.175 (.007)
0.125 (.005)
0.95 (0.037)
1.15 (.045)
0.95 (.037)
ISO方法A
2.6 (.102)
0.4 (.016)
0.4 (.016)
2.4 (.094)
17418
文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
www.vishay.com
3
BAR64V-04
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
www.vishay.com
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文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
BAR64V-04
威世半导体
RF PIN二极管 - 双通道，系列采用SOT -23
描述
低反向电容PIN特点
二极管BAR64V - 04被设计为RF信号
开关和调优。作为前进的函数
偏置电流的正向电阻（射频）可以是
调整在很宽的范围内。长载流子寿命
提供了信号的低信号失真超过10 MHz的最高
到3GHz 。典型应用该PIN二极管
开关和衰减器在无线，移动和TV-
系统。
2
1
1
2
18256
3
3
特点
高反向电压
小反向电容
高击穿电压
机械数据
案例：
塑料外壳（ SOT -23 ）
重量：
约。 8.1毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
应用
对于频率高达3 GHz的
RF信号调谐
信号衰减器和开关
移动，无线和电视的应用
零件表
部分
BAR64V-04
订购代码
BAR64V -04 - GS18或BAR64V - 04- GS08
D4
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
R
I
F
T
j
T
英镑
价值
100
100
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向电流
正向电压
测试条件
I
R
= 10
A
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
符号
V
R
I
R
V
F
民
100
50
1.1
典型值。
最大
单位
V
nA
V
文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
BAR64V-04
威世半导体
参数
二极管电容
测试条件
F = 1MHz时， V
R
= 0
F = 1MHz时， V
R
= 1 V
F = 1MHz时， V
R
= 20 V
正向电阻
F = 100 MHz时，我
F
= 1毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 10毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 100毫安
载流子寿命
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，我
R
= 3毫安
符号
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
t
rr
民
典型值。
0.5
0.37
0.23
10
2.0
0.8
1.8
0.5
0.35
20
3.8
1.35
最大
日前，Vishay
单位
pF
pF
pF
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
100.00
100.0
r
f
- 正向电阻（
)
I
F
- 正向电流（mA ）
F = 100 MHz的
10.0
10.00
1.00
1.0
0.10
0.1
0.1
18342
1.0
10
100
0.01
0.5
18326
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电阻与正向电流
图。 3正向电流与正向电压
0.50
C
D
- 二极管电容（pF ）
300
F = 1 MHz的
V
R
- 倒V oltage （ V）
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
4
8
250
200
150
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0
0.01
12
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20
24
28
18330
0.1
1.0
10
100
1000
18334
V
R
- 倒V oltage （ V）
I
R
- 反向电流（
A
)
图。 2二极管电容与反向电压
图。 4反向电压与反向电流
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BAR64V-04
威世半导体
12
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I
F
- 正向电流（mA ）
8
6
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2
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-2
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-500
500
I
F
= 10毫安
I
R
= 6毫安
i
rr
= 3毫安
1500
2500
3500
18338
恢复时间（纳秒）
图。 5典型充电曲线恢复
单位：mm包装尺寸（英寸）
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
3
1.43 (.056)
1.33 (.052)
贴装焊盘布局
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
2.0 (0.079)
1
0.95 (.037)
2
0.95 (.037)
最大0.1 （ 0.004）
0.95 (0.037)
0.175 (.007)
0.125 (.005)
0.95 (0.037)
1.15 (.045)
0.95 (.037)
ISO方法A
2.6 (.102)
0.4 (.016)
0.4 (.016)
2.4 (.094)
17418
文档编号85694
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3
BAR64V-04
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
BAR64V-04
威世半导体
RF PIN二极管 - 双通道，系列采用SOT -23
描述
低反向电容PIN特点
二极管BAR64V - 04被设计为RF信号
开关和调优。作为前进的函数
偏置电流的正向电阻（射频）可以是
调整在很宽的范围内。长载流子寿命
提供了信号的低信号失真超过10 MHz的最高
到3GHz 。典型应用该PIN二极管
开关和衰减器在无线，移动和TV-
系统。
2
1
1
2
18256
3
3
特点
高反向电压
小反向电容
高击穿电压
机械数据
案例：
塑料外壳（ SOT -23 ）
重量：
约。 8.1毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
应用
对于频率高达3 GHz的
RF信号调谐
信号衰减器和开关
移动，无线和电视的应用
零件表
部分
BAR64V-04
订购代码
BAR64V -04 - GS18或BAR64V - 04- GS08
D4
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
R
I
F
T
j
T
英镑
价值
100
100
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向电流
正向电压
测试条件
I
R
= 10
A
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
符号
V
R
I
R
V
F
民
100
50
1.1
典型值。
最大
单位
V
nA
V
文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
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1
BAR64V-04
威世半导体
参数
二极管电容
测试条件
F = 1MHz时， V
R
= 0
F = 1MHz时， V
R
= 1 V
F = 1MHz时， V
R
= 20 V
正向电阻
F = 100 MHz时，我
F
= 1毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 10毫安
F = 100 MHz时，我
F
= 100毫安
载流子寿命
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，我
R
= 3毫安
符号
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
t
rr
民
典型值。
0.5
0.37
0.23
10
2.0
0.8
1.8
0.5
0.35
20
3.8
1.35
最大
日前，Vishay
单位
pF
pF
pF
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
100.00
100.0
r
f
- 正向电阻（
)
I
F
- 正向电流（mA ）
F = 100 MHz的
10.0
10.00
1.00
1.0
0.10
0.1
0.1
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1.0
10
100
0.01
0.5
18326
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电阻与正向电流
图。 3正向电流与正向电压
0.50
C
D
- 二极管电容（pF ）
300
F = 1 MHz的
V
R
- 倒V oltage （ V）
0.45
0.40
0.35
0.30
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0.20
0.15
0.10
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0.1
1.0
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100
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18334
V
R
- 倒V oltage （ V）
I
R
- 反向电流（
A
)
图。 2二极管电容与反向电压
图。 4反向电压与反向电流
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修订版1.2 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
BAR64V-04
威世半导体
12
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I
F
- 正向电流（mA ）
8
6
4
2
0
-2
-4
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-8
-500
500
I
F
= 10毫安
I
R
= 6毫安
i
rr
= 3毫安
1500
2500
3500
18338
恢复时间（纳秒）
图。 5典型充电曲线恢复
单位：mm包装尺寸（英寸）
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
3
1.43 (.056)
1.33 (.052)
贴装焊盘布局
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
2.0 (0.079)
1
0.95 (.037)
2
0.95 (.037)
最大0.1 （ 0.004）
0.95 (0.037)
0.175 (.007)
0.125 (.005)
0.95 (0.037)
1.15 (.045)
0.95 (.037)
ISO方法A
2.6 (.102)
0.4 (.016)
0.4 (.016)
2.4 (.094)
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文档编号85694
修订版1.2 ， 26 -APR- 04
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BAR64V-04
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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