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BAR 63 ... W
硅PIN二极管
高速PIN二极管
射频信号的转换
低正向电阻
非常低电容
对于频率高达3 GHz的
3
2
1
VSO05561
BAR 63-04W
BAR 63-05W
BAR 63-06W
TYPE
BAR 63-04W
BAR 63-05W
BAR 63-06W
订购代码标识
G4s
G5s
G6s
Q62702-A1261
Q62702-A1267
Q62702-A1268
引脚配置
1 = A1
1 = A1
1 = C1
2 = C2
2 = A2
2 = C2
3 = C1/2
3 = A1/2
3 = C1 / A2 SOT- 323
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗,
T
S
105 °C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
结 - 环境
1)
符号
价值
50
100
250
150
- 55 ...+150
- 55 ...+150
单位
V
mA
mW
°C
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
thJA
R
thjs
340
180
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63 ... W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
典型值。
-
-
0.95
马克斯。
-
50
1.2
单位
V
( BR )
I
R
V
F
50
-
-
V
A
mV
I
( BR )
= 5 A
反向电流
V
R
= 20 V
正向电压
I
F
= 100毫安
AC特性
二极管电容
C
T
-
-
0.3
0.21
1.2
1
75
1.4
-
0.3
pF
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
正向电阻
r
f
-
-
τ
rr
-
-
2
-
-
-
I
F
= 5毫安,
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安,
f
= 100兆赫
载流子寿命
s
nH
I
F
= 10毫安,
I
R
= 6毫安,
I
R
= 3毫安
串联电感
L
s
半导体集团
半导体集团
2
2
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63 ... W
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
*安装在氧化铝
120
mA
100
T
S
90
80
I
F
T
A
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F(T
p
)
10
3
10
3
K / W
-
I
FMAX
/
I
FDC
10
2
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63 ... W
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1MHz的
正向电阻
r
f
=
f
(I
F
)
f
= 100MHz的
0.5
EHD07139
10
2
EHD07138
C
T
pF
0.4
r
f
10
1
0.3
0.2
10
0
0.1
0
0
10
20
V
V
R
30
10
-1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
10毫安
2
Ι
F
半导体集团
半导体集团
4
4
Sep-07-1998
1998-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAR63-W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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