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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第831页 > BAR63-04W
BAR63...
硅PIN二极管
高速PIN二极管
射频信号的转换
非常低的正向电阻(低插入损耗)
非常低的电容(高隔离)
对于频率高达3GHz

1



BAR63-02..
BAR63-03W
BAR63-04
BAR63-04W
3
BAR63-05
BAR63-05W
3
BAR63-06
BAR63-06W
3
BAR63-07L4
4
3
2
D 1
D 2
D 1
D 2
D 1
D 2
D 1
D 2
1
2
1
2
1
2
1
2
TYPE
BAR63-02L*
BAR63-02V
BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04
BAR63-04W
BAR63-05
BAR63-05W
BAR63-06
BAR63-06W
BAR63-07L4*
*初步数据
TSLP-2-1
SC79
SCD80
SOD323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
TSLP-4-4
CON组fi guration
单一的,无引线
单身
单身
单身
系列
系列
共阴极
共阴极
共阳极
共阳极
对平行,无引线
L
S
( NH)
0.4
0.6
0.6
1.8
1.8
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
0.4
记号
G
G
GG
G
G4s
G4s
G5s
G5s
G6s
G6s
P3s
1
Jun-27-2003
BAR63...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗
BAR63-02V , -02W , BAR63-03W ,
T
S
BAR63-04S,
T
S
115°C
105°C
待定
T
j
T
op
T
英镑
符号
R
thjs



符号
V
R
I
F
P
合计
118°C
115°C
55°C

价值
50
100
250
250
250
250
250
250
150
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
mW
BAR63-02L,
T
S
BAR63-04...BAR63-06,
T
S

BAR63-04W...BAR63-06W,
T
S
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAR63-02L
BAR63-02V , BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04...BAR63-06
BAR63-04S
BAR63-04W...BAR63-06W
BAR63-07L4
1

BAR63-07L4,
T
S
°C
价值
125
单位
K / W
计算
R
thJA
请参考技术资料
2







140
155
380
180
180
待定
Jun-27-2003
BAR63...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
I
( BR )
= 5 A
反向电流
V
R
= 35 V
正向电压
I
F
= 100毫安
V
F
-
0.95
1.2
V
I
R
-
-
10
nA
V
( BR )
50
-
-
V
典型值。
马克斯。
单位
3
Jun-27-2003
BAR63...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V , 100 MHz的... 1.8 GHz的
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 5毫安,
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安,
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安,
I
R
= 6毫安,测量
I
R
= 3毫安,
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 1毫安,
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安,
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安,
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1.8兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 MHz的
|S
21
|
2
-
-
-
-17.9
-12.3
-10
-
-
-
载流子寿命
R
L
= 100
rr
单位
马克斯。
pF
典型值。
C
T
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
-
1.2
1
75
2
-
-
500
15
5
-
-
-
0.21
0.3
0.3
-
ns
W
I
|S
21
|
2
-
-
-
-
4.5
-0.15
-0.11
-0.1
-
-
-
-
m
dB

1
BAR63-02L
串联配置,
Z
= 50
4
Jun-27-2003

k



BAR63...
二极管电容
C
T
=
f
= 1MHz的 - 1.8GHz的
(V
R
)
反向并联电阻
R
P
= (
V
R
)
f
=参数
10
3
千欧
100兆赫
0.5
C
T
pF
0.4
EHD07139
10
2
1 GHz的
1.8 GHz的
0.3
R
p
10
1
0.2
10
0
0.1
0
0
10
20
V
V
R
30
10
-1
0
5
10
15
20
V
f
= 100MHz的
T
A
=参数
EHD07138
10
2
r
f
Ι
F
10
3
mA
10
2
BAR 63 ...
10
1
10
1
10
0
10
0
10
-1
10
-2
10
-1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
10毫安
2
10
-3
0.3
0.5
Ι
F
5


正向电阻
r
f
=
(I
F
)
正向电流
I
F
=
(V
F
)
25 C
40 C
85 C
0.8
1
Jun-27-2003


30
V
R
EHD07171
V
V
F
1.2
BAR 63 ... W
硅PIN二极管
高速PIN二极管
射频信号的转换
低正向电阻
非常低电容
对于频率高达3 GHz的
3
2
1
VSO05561
BAR 63-04W
BAR 63-05W
BAR 63-06W
TYPE
BAR 63-04W
BAR 63-05W
BAR 63-06W
订购代码标识
G4s
G5s
G6s
Q62702-A1261
Q62702-A1267
Q62702-A1268
引脚配置
1 = A1
1 = A1
1 = C1
2 = C2
2 = A2
2 = C2
3 = C1/2
3 = A1/2
3 = C1 / A2 SOT- 323
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗,
T
S
105 °C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
结 - 环境
1)
符号
价值
50
100
250
150
- 55 ...+150
- 55 ...+150
单位
V
mA
mW
°C
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
thJA
R
thjs
340
180
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63 ... W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
典型值。
-
-
0.95
马克斯。
-
50
1.2
单位
V
( BR )
I
R
V
F
50
-
-
V
A
mV
I
( BR )
= 5 A
反向电流
V
R
= 20 V
正向电压
I
F
= 100毫安
AC特性
二极管电容
C
T
-
-
0.3
0.21
1.2
1
75
1.4
-
0.3
pF
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
正向电阻
r
f
-
-
τ
rr
-
-
2
-
-
-
I
F
= 5毫安,
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安,
f
= 100兆赫
载流子寿命
s
nH
I
F
= 10毫安,
I
R
= 6毫安,
I
R
= 3毫安
串联电感
L
s
半导体集团
半导体集团
2
2
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63 ... W
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
*安装在氧化铝
120
mA
100
T
S
90
80
I
F
T
A
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F(T
p
)
10
3
10
3
K / W
-
I
FMAX
/
I
FDC
10
2
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63 ... W
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1MHz的
正向电阻
r
f
=
f
(I
F
)
f
= 100MHz的
0.5
EHD07139
10
2
EHD07138
C
T
pF
0.4
r
f
10
1
0.3
0.2
10
0
0.1
0
0
10
20
V
V
R
30
10
-1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
10毫安
2
Ι
F
半导体集团
半导体集团
4
4
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR63...
硅PIN二极管
高速PIN二极管
射频信号的转换
非常低的正向电阻(低插入损耗)
非常低的电容(高隔离)
对于频率高达3GHz
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
BAR63-02..
BAR63-03W
BAR63-04
BAR63-04W
!
BAR63-05
BAR63-05W
!
BAR63-06
BAR63-06W
!

, 
,
, 
,
, 
,



TYPE
BAR63-02L
BAR63-02V
BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04
BAR63-04W
BAR63-05
BAR63-05W
BAR63-06
BAR63-06W
1
含有铅,
TSLP-2-1
SC79
SCD80
SOD323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
CON组fi guration
单一的,无引线
单身
单身
单身
系列
系列
共阴极
共阴极
共阳极
共阳极
L
S
( NH)
0.4
0.6
0.6
1.8
1.8
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
记号
G
G
GG
G
G4s
G4s
G5s
G5s
G6s
G6s
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-19
BAR63...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗
BAR63-02L,
T
S
118°C
BAR63-02V , -02W , BAR63-03W ,
T
S
115°C
BAR63-04...BAR63-06,
T
S
55°C
BAR63-04S,
T
S
115°C
BAR63-04W...BAR63-06W,
T
S
105°C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAR63-02L
BAR63-02V , BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04...BAR63-06
BAR63-04S
BAR63-04W...BAR63-06W
符号
R
thjs
符号
V
R
I
F
P
合计
价值
50
100
250
250
250
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
op
T
英镑
150
-55 ... 125
-55 ... 150
°C
价值
125
140
155
380
180
180
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
I
( BR )
= 5 A
反向电流
V
R
= 35 V
正向电压
I
F
= 100毫安
1
单位
马克斯。
-
10
1.2
V
nA
V
典型值。
-
-
0.95
V
( BR )
I
R
V
F
50
-
-
计算
R
thJA
请参考技术资料
2
2007-04-19
BAR63...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V , 100 MHz的... 1.8 GHz的
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 5毫安,
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安,
f
= 100兆赫
载流子寿命
I
F
= 10毫安,
I
R
= 6毫安,测量
I
R
= 3毫安,
R
L
= 100
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 1毫安,
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安,
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安,
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 GHz的
1
BAR63-02L
单位
马克斯。
pF
典型值。
C
T
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
1.2
1
75
2
-
-
500
15
5
-
-
-
0.21
0.3
0.3
-
k
τ
rr
-
ns
W
I
I
L
-
-
-
-
4.5
0.15
0.11
0.1
-
-
-
-
m
dB
I
SO
-
-
-
17.9
12.3
10
-
-
-
串联配置,
Z
= 50
3
2007-04-19
BAR63...
二极管电容
C
T
=
(V
R
)
f
= 1MHz的 - 1.8GHz的
反向并联电阻
R
P
=
(V
R
)
f
=参数
10
3
千欧
100兆赫
0.5
C
T
pF
0.4
EHD07139
10
2
1 GHz的
0.3
R
p
10
1
1.8 GHz的
0.2
10
0
0.1
0
0
10
20
V
V
R
30
10
-1
0
5
10
15
20
V
30
V
R
正向电阻
r
f
=
(I
F
)
f
= 100MHz的
正向电流
I
F
=
(V
F
)
T
A
=参数
EHD07138
10
2
r
f
Ι
F
10
3
mA
10
2
BAR 63 ...
EHD07171
10
1
10
1
10
0
10
0
10
-1
25 C
40 C
85 C
10
-2
10
-1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
10毫安
2
10
-3
0.3
0.5
0.8
1
V
V
F
1.2
Ι
F
4
2007-04-19
BAR63...
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAR63-04...BAR63-06
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAR63-02V , BAR63-02W
120
120
mA
mA
80
80
I
F
60
I
F
60
40
40
20
20
0
0
90 105 120
°C
0
0
15
30
45
60
75
150
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAR63-03W
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAR63-04W...BAR63-06W
120
120
mA
mA
80
80
I
F
60
I
F
60
40
40
20
20
0
0
90 105 120
°C
0
0
15
30
45
60
75
150
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
5
2007-04-19
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地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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原装正品现货
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原包装原标现货,假一罚十,
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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