BAR63...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗
BAR63-02L,
T
S
≤
118°C
BAR63-02V ， -02W ， BAR63-03W ，
T
S
≤
115°C
BAR63-04...BAR63-06,
T
S
≤
55°C
BAR63-04S,
T
S
≤
115°C
BAR63-04W...BAR63-06W,
T
S
≤
105°C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAR63-02L
BAR63-02V ， BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04...BAR63-06
BAR63-04S
BAR63-04W...BAR63-06W
符号
R
thjs
符号
V
R
I
F
P
合计
价值
50
100
250
250
250
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
op
T
英镑
150
-55 ... 125
-55 ... 150
°C
价值
≤
125
≤
140
≤
155
≤
380
≤
180
≤
180
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
击穿电压
I
（ BR ）
= 5 A
反向电流
V
R
= 35 V
正向电压
I
F
= 100毫安
1
为
单位
马克斯。
-
10
1.2
V
nA
V
典型值。
-
-
0.95
V
（ BR ）
I
R
V
F
50
-
-
计算
R
thJA
请参考技术资料
2
2007-04-19
BAR63...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V ， 100 MHz的... 1.8 GHz的
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 5毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 100兆赫
载流子寿命
I
F
= 10毫安，
I
R
= 6毫安，测量
I
R
= 3毫安，
R
L
= 100
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 1毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安，
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 GHz的
1
BAR63-02L
单位
马克斯。
pF
典型值。
C
T
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
1.2
1
75
2
-
-
500
15
5
-
-
-
0.21
0.3
0.3
-
k
τ
rr
-
ns
W
I
I
L
-
-
-
-
4.5
0.15
0.11
0.1
-
-
-
-
m
dB
I
SO
-
-
-
17.9
12.3
10
-
-
-
串联配置，
Z
= 50
3
2007-04-19
BAR63...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗
BAR63-02V ， -02W ， BAR63-03W ，
T
S
BAR63-04S,
T
S
115°C
105°C
待定
T
j
T
op
T
英镑
符号
R
thjs
符号
V
R
I
F
P
合计
118°C
115°C
55°C
价值
50
100
250
250
250
250
250
250
150
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
mW
BAR63-02L,
T
S
BAR63-04...BAR63-06,
T
S
BAR63-04W...BAR63-06W,
T
S
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAR63-02L
BAR63-02V ， BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04...BAR63-06
BAR63-04S
BAR63-04W...BAR63-06W
BAR63-07L4
1
为
BAR63-07L4,
T
S
°C
价值
125
单位
K / W
计算
R
thJA
请参考技术资料
2
140
155
380
180
180
待定
Jun-27-2003
BAR63...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V ， 100 MHz的... 1.8 GHz的
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 5毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
I
R
= 6毫安，测量
I
R
= 3毫安，
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 1毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安，
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1.8兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 MHz的
|S
21
|
2
-
-
-
-17.9
-12.3
-10
-
-
-
载流子寿命
R
L
= 100
rr
单位
马克斯。
pF
典型值。
C
T
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
-
1.2
1
75
2
-
-
500
15
5
-
-
-
0.21
0.3
0.3
-
ns
W
I
|S
21
|
2
-
-
-
-
4.5
-0.15
-0.11
-0.1
-
-
-
-
m
dB
1
BAR63-02L
串联配置，
Z
= 50
4
Jun-27-2003
k
BAR 63-02W
硅PIN二极管
高速开关PIN二极管
的RF信号的
低正向电阻，小电容
小电感
非常低电容
对于频率高达3 GHz的
2
1
VES05991
TYPE
BAR 63-02W
订购代码标识
G
Q62702-A1211
引脚配置
1=C
2=A
包
SCD-80
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
结 - 环境
1)
符号
价值
50
100
250
150
-55 ...+150
-55 ...+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
thJA
R
thjs
≤
220
≤
140
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63-02W
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
* ） ：装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
120
mA
5
100
90
80
T
S
I
F
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
T
A
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F（T
p
)
10
3
10
1
K / W
I
FMAX
/
I
FDC
10
2
-
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Sep-07-1998
1998-11-01
BAR 63-02W
二极管电容
C
T
= f
(V
R
)
f
= 1MHz的
正向电阻
r
f
=
F（我
F
)
f
= 100MHz的
10
3
欧姆
0.6
pF
10
2
0.4
C
T
R
F
10
1
10
0
10
-1 -2
10
0.3
0.2
0.1
0.0
0
5
10
15
20
V
30
10
-1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
V
R
I
F
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
T
A
= 25°C
10
3
mA
10
2
10
1
I
F
10
0
10
-1
10
-2
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1.0
V
F
半导体集团
半导体集团
4
4
Sep-07-1998
1998-11-01
QQ：2880707522 复制
