BAR50...
硅PIN二极管
电流控制的射频电阻
用于开关和衰减的应用
频率范围高于10兆赫到6千兆赫
特别是作为天线开关有用
在移动通信
在零伏的反向偏置非常低的电容
在freuencies 1 GHz以上（典型值0.15 pF的）
低正向性能及其
极低的谐波
BAR50-05
1
BAR50-02V,
T
S
BAR50-03W,
T
S
结温
工作温度范围
储存温度
1
BAR50-05,
T
S
BAR50-02L
BAR50-02V
BAR50-03W
3
2
D 1
D 2
1
2
TYPE
BAR50-02L*
BAR50-02V
BAR50-03W
BAR50-05*
包
TSLP-2-1
SC79
SOD323
SOT23
CON组fi guration
单一的，无引线
单身
单身
共阴极
L
S
（ NH）
0.4
0.6
1.4
1.8
记号
AB
a
蓝一
OCS
*初步
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
V
R
I
F
P
合计
价值
单位
二极管的反向电压
正向电流
总功耗
BAR50-02L,
T
S
130°C
120°C
116°C
50
100
250
250
250
250
V
mA
mW
60°C
T
j
T
op
T
英镑
150
-55 ... 125
-55 ... 150
°C
Feb-04-2003
BAR50...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 ... 1.8 GHz的， BAR50-02L
V
R
= 0 V,
f
= 1 ... 1.8千兆赫，所有其他
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 0.5毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 1毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
I
R
= 6毫安，测量
I
R
= 3毫安，
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 3毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安，
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 5.6 GHz的
|S
21
|
2
-
-
-
-
-24.5
-20
-18
-12
-
-
-
-
载流子寿命
R
L
= 100
rr
符号
分钟。
C
T
-
-
-
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
pF
0.24
0.2
0.2
0.1
0.15
25
6
5
25
16.5
3
1100
0.5
0.4
-
-
-
-
-
-
40
25
4.5
-
ns
W
I
|S
21
|
2
-
-
-
-
56
-0.56
-0.4
-0.27
-
-
-
-
m
dB
1
BAR50-02L
串联配置，
Z
= 50
3
Feb-04-2003
k
SMD型
硅PIN二极管
BAR50-03W
二极管
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位：mm
特点
电流控制的射频电阻器，用于切换和衰减的应用
频率范围高于10兆赫到6千兆赫
特别是在移动通信天线开关有用
在零电压非常低的电容反向偏压freuencies 1 GHz以上（典型值0.15 pF的）
VLOW着性能及其
极低的谐波
0.475
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
1.0max
0.375
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
IO D E重; V。E RS电子V LTA克é
F RW一个道中④此吨
T O服务た升P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
P·Eラ锡克忒米P·EラTU重新RA N G - é
S到RA克éて米P·EラTU重新RA N G - é
加利 TIO N - S 0劳工处电子凛克P 2 O在T
1 )
T
S
116
S YM BOL
V
R
I
F
P
给T
T
j
T
o
p
伏鲁é
50
100
250
150
-5 5 + 1 2 5
-5 5 + 1 5 0
135
加利IT
V
mA
mW
T
s TG
R
第j个S
K / W
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.3
-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BAR50-03W
电气特性TA = 25
参数
反向电流
正向电压
符号
I
R
V
F
条件
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
二极管电容
C
T
V
R
= 5 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 100 MHz的
V
R
= 0 V ， F = 1 ... 1.8 GHz的，所有其他
V
R
= 0 V ， F = 100 MHz的
反向并联电阻
Rp
V
R
= 0 V ， F = 1 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 1.8 GHz的
I
F
= 0.5毫安， F = 100 MHz的
正向电阻
rf
I
F
= 1毫安， F = 100 MHz的
I
F
= 10 mA时， F = 100 MHz的
载流子寿命
我区宽度
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，测量
rr
二极管
民
典型值
最大
50
单位
nA
V
0.95
0.24
0.2
0.2
0.15
25
6
5
25
16.5
3
1100
56
1.1
0.5
0.4
pF
K
40
25
4.5
ns
ìm
I
R
= 3毫安，R
L
= 100
W
I
I
F
= 3 mA时， F = 1.8 GHz的
插入损耗
|S21|
2
I
F
= 5毫安， F = 1.8 GHz的
I
F
= 18 mA时， F = 1.8 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 0.9 GHz的
隔离
|S21|
2
V
R
= 0 V ， F = 1.8 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 2.45 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 5.6 GHz的
-0.56
-0.4
-0.27
-24.5
-20
-18
-12
dB
dB
记号
记号
蓝一
2
www.kexin.com.cn
BAR50...
硅PIN二极管
电流控制的射频电阻
用于开关和衰减的应用
频率范围高于10兆赫到6千兆赫
特别是作为天线开关有用
在移动通信
在零伏的反向偏置非常低的电容
在freuencies 1 GHz以上（典型值0.15 pF的）
低正向电阻
极低的谐波失真
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BAR50-02L
BAR50-02V
BAR50-03W
TYPE
BAR50-02L
BAR50-02V
BAR50-03W
包
TSLP-2-1
SC79
SOD323
CON组fi guration
单一的，无引线
单身
单身
L
S
（ NH）
0.4
0.6
1.8
记号
AB
a
A
1
2009-05-13
BAR50...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 ... 1.8 GHz的， BAR50-02L
V
R
= 0 V,
f
= 1 ... 1.8千兆赫，所有其他
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 0.5毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 1毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 100兆赫
载流子寿命
I
F
= 10毫安，
I
R
= 6毫安，测量
I
R
= 3毫安，
R
L
= 100
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 3毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安，
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 5.6 GHz的
1
BAR50-02L
符号
分钟。
C
T
-
-
-
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
-
τ
rr
值
典型值。
马克斯。
单位
pF
0.24
0.2
0.2
0.1
0.15
25
6
5
25
16.5
3
1100
0.5
0.4
-
-
-
k
-
-
-
40
25
4.5
-
ns
-
W
I
I
L
-
-
-
-
56
0.56
0.4
0.27
24.5
20
18
12
-
-
-
-
-
-
-
-
m
dB
I
SO
-
-
-
-
串联配置，
Z
= 50
3
2009-05-13
产品speci fi cation
BAR50-03W
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位：mm
特点
电流控制的射频电阻器，用于切换和衰减的应用
频率范围高于10兆赫到6千兆赫
特别是在移动通信天线开关有用
在零电压非常低的电容反向偏压freuencies 1 GHz以上（典型值0.15 pF的）
VLOW着性能及其
极低的谐波
0.475
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
1.0max
0.375
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
IO D E重; V。E RS电子V LTA克é
F RW一个道中④此吨
T O服务た升P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
P·Eラ锡克忒米P·EラTU重新RA N G - é
S到RA克éて米P·EラTU重新RA N G - é
加利 TIO N - S 0劳工处电子凛克P 2 O在T
1 )
T
S
116
S YM BOL
V
R
I
F
P
给T
T
j
T
o
p
伏鲁é
50
100
250
150
-5 5 + 1 2 5
-5 5 + 1 5 0
135
加利IT
V
mA
mW
T
s TG
R
第j个S
K / W
+0.05
0.1
-0.02
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.1
1.3
-0.1
1 2
产品speci fi cation
BAR50-03W
电气特性TA = 25
参数
反向电流
正向电压
符号
I
R
V
F
条件
V
R
= 50 V
I
F
= 50毫安
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
二极管电容
C
T
V
R
= 5 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 100 MHz的
V
R
= 0 V ， F = 1 ... 1.8 GHz的，所有其他
V
R
= 0 V ， F = 100 MHz的
反向并联电阻
Rp
V
R
= 0 V ， F = 1 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 1.8 GHz的
I
F
= 0.5毫安， F = 100 MHz的
正向电阻
rf
I
F
= 1毫安， F = 100 MHz的
I
F
= 10 mA时， F = 100 MHz的
载流子寿命
我区宽度
I
F
= 10 mA时，我
R
= 6毫安，测量
rr
民
典型值
最大
50
单位
nA
V
0.95
0.24
0.2
0.2
0.15
25
6
5
25
16.5
3
1100
56
1.1
0.5
0.4
pF
K
40
25
4.5
ns
ìm
I
R
= 3毫安，R
L
= 100
W
I
I
F
= 3 mA时， F = 1.8 GHz的
插入损耗
|S21|
2
I
F
= 5毫安， F = 1.8 GHz的
I
F
= 18 mA时， F = 1.8 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 0.9 GHz的
隔离
|S21|
2
V
R
= 0 V ， F = 1.8 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 2.45 GHz的
V
R
= 0 V ， F = 5.6 GHz的
-0.56
-0.4
-0.27
-24.5
-20
-18
-12
dB
dB
记号
记号
蓝一
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
QQ：2880707522 复制
