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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第401页 > BAR43AFILM
BAR42FILM
BAR43/A/C/SFILM
小信号肖特基二极管
K
北卡罗来纳州
A
A
K1
K2
BAR42FILM
BAR43FILM
A1
K2
BAR43AFILM
K
描述
通用金属硅二极管特色
非常低的导通电压和快速切换。
A2
K1
A1
A2
BAR43SFILM
BAR43CFILM
SOT-23
(塑胶)
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
P
合计
T
英镑
Tj
T
L
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
浪涌不重复正向电流
功率耗散(注1 )
最大存储温度范围
最大工作结温*
在10秒最高温度为焊接
TP = 10ms的正弦
T
AMB
= 25°C
价值
30
100
750
250
- 65 + 150
150
260
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
注1 :
为双二极管, Ptot的是两个二极管的总功耗。
* :
dPtot
1
& LT ;
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
RTH
(
j
a
)
热阻
符号
R
号(j -a)的
测试条件
结到环境*
价值
500
单位
° C / W
*安装在环氧树脂板推荐焊盘布局。
八月2001-埃德: 2B
1/4
BAR42FILM BAR43 / A / C / SFILM
电气特性
静态特性
符号
V
BR
V
F
*
TJ = 25°C
TJ = 25°C
测试条件
I
R
= 100A
BAR 42FILM
BAR 43FILM
所有
I
R
**
TJ = 25°C
TJ = 100℃
脉冲测试: * TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
分钟。
30
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 100毫安
0.26
典型值。
0.35
0.5
马克斯。
0.4
0.65
0.33
0.45
1
500
100
单位
V
V
V
R
= 25V
nA
A
** TP = 5毫秒,
δ
<2%
动态特性
符号
C
TRR
η*
TJ = 25°C
TJ = 25°C
I
rr
= 1毫安
TJ = 25°C
F = 45MHz的
测试条件
V
R
= 1V
I
F
= 10毫安
R
L
= 100
R
L
= 50 K
V
i
= 2V
F = 1MHz的
I
R
= 10毫安
C
L
= 300 pF的
为BAR 43
80
分钟。
典型值。
7
5
马克斯。
单位
pF
ns
%
*检测效益分析
图。 1-1 :
正向压降与前进
电流(典型值,低电平)。
IFM ( A)
2.00E-2
1.80E-2
Tj=100°C
图。 1-2 :
正向压降与前进
电流(典型值,高电平) 。
IFM ( A)
5E-1
Tj=100°C
1.60E-2
1.40E-2
Tj=25°C
1E-1
Tj=50°C
1.20E-2
1.00E-2
8.00E-3
6.00E-3
4.00E-3
2.00E-3
Tj=50°C
1E-2
Tj=25°C
VFM ( V)
VFM ( V)
1E-3
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.00E+0
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
2/4
BAR42FILM BAR43 / A / C / SFILM
图。 2 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+2
Tj=100°C
图。 3 :
反向漏电流与结
温度。
IR( μA )
1E+4
VR=30V
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
Tj=50°C
1E+1
1E+0
1E-1
Tj=25°C
1E-1
VR ( V)
1E-2
0
5
10
15
20
25
30
1E-2
0
25
50
75
100
125
150
TJ ( ° C)
图。 4 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
10
F=1MHz
Tj=25°C
图。 5 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
FR4与recommendedpad布局, E(铜) = 35微米) 。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
δ
= 0.5
5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
2
单脉冲
T
VR ( V)
1
1
2
5
10
20
30
0.01
1E-3
TP (多个)
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
tp
1E+1
1E+2
图。 6 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4,铜厚度:
35m).
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
350
P=0.25W
300
250
200
S(铜)(毫米)
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3/4
BAR42FILM BAR43 / A / C / SFILM
包装机械数据
SOT- 23 (塑料)
E
A
REF 。
e
B
e1
D
S
A1
L
H
c
A
A1
B
c
D
e
e1
E
H
L
S
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
0.89
1.4
0.035
0.055
0
0.1
0
0.004
0.3
0.51
0.012
0.02
0.085
0.18
0.003
0.007
2.75
3.04
0.108
0.12
0.85
1.05
0.033
0.041
1.7
2.1
0.067
0.083
1.2
1.6
0.047
0.063
2.1
2.75
0.083
0.108
0.6典型。
0.024 TYP 。
0.35
0.65
0.014
0.026
FOOT PRINT尺寸
0.9
0.035
0.9
0.035
1.1
0.043
2.35
0.92
1.9
0.075
1.45
0.037
1.1
0.043
mm
0.9
0.035
订货型号
BAR42FILM
BAR43FILM
BAR43AFILM
BAR43CFILM
记号
D94
D95
DB1
DB2
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
重量
0.01g
0.01g
0.01g
0.01g
0.01g
基地数量
3000
3000
3000
3000
3000
配送方式
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
BAR43SFILM
DA5
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2001年意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
4/4
BAR42FILM
BAR43FILM
小信号肖特基二极管
表1 :主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
j
V
F
(最大)
0.1 A
30 V
150°C
0.33和0.40 V
K
Nc
A
K2
K
A
A
K1
A
K2
K1
BAR42FILM
BAR43FILM
A1
K
A2
A1
K
A2
A1
K2
BAR43AFILM
A2
K1
A2
A1
K2
K1
特点和优点
非常小的传导损耗
开关损耗极小
低正向压降
表面安装器件
BAR43CFILM
BAR43ASFILM
SOT23-3L
描述
GENRAL用途金属硅二极管特色
非常低的导通电压和快速切换。
表2 :订购代码
产品型号
BAR42FILM
BAR43FILM
BAR43AFILM
BAR43CFILM
BAR43SFILM
记号
D94
D95
DB1
DB2
DA5
表3 :绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
L
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
浪涌不重复正向电流
功率耗散(注1 )
最大存储温度范围
最大工作结温*
在10秒最高温度为焊接
t
p
= 10ms的正弦
T
AMB
= 25°C
价值
30
0.1
0.75
250
-65到+ 150
150
260
单位
V
A
A
mW
°C
°C
°C
注1 :
双二极管,P
合计
是两个二极管的总损耗。
1
dPtot
-
*: --------------- > -------------------------热失控条件的二极管自己的散热器
DTJ
RTH
(
j
a
)
2005年4月
第3版
1/5
BAR42FILM / BAR43FILM
表4 :热阻
符号
R
号(j -a)的
结到环境( * )
参数
价值
500
单位
° C / W
( * )装在环氧树脂板推荐焊盘布局。
表5 :静态电气特性
符号
V
BR
I
R
*
参数
击穿电压
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
BAR42
V
F
**
正向电压降
T
j
= 25°C
BAR43
所有
脉冲测试:
* TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380微秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
30
典型值
马克斯。
500
100
单位
V
nA
A
I
R
= 100A
V
R
= V
RRM
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 100毫安
0.35
0.50
0.26
0.40
0.65
0.33
0.45
1
V
表6 :动态特性
(T
j
= 25°C)
符号
C
t
rr
η
参数
结电容
反向恢复时间
检测效率
T
j
= 25°C
测试条件
V
R
= 1V
F = 1 MHz的
分钟。
典型值。
7
5
80
马克斯。
单位
pF
ns
%
I
F
= 10毫安我
R
= 10毫安
T
j
= 25 ° C I
rr
= 1毫安
L
= 100
C
L
= 300 pF的F = 45 MHz的
T
j
= 25°C V
i
= 2 V R
L
= 50
图1 :正向压降与前进
电流(典型值,低电平)
I
FM
(A)
2.00E-2
1.80E-2
1.60E-2
1.40E-2
1.20E-2
1.00E-2
8.00E-3
6.00E-3
4.00E-3
2.00E-3
0.00E+0
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
T
j
=50°C
T
j
=25°C
T
j
=100°C
图2 :正向压降与前进
电流(典型值,高电平)
I
FM
(A)
5E-1
1E-1
T
j
=100°C
T
j
=50°C
1E-2
T
j
=25°C
V
FM
(V)
1E-3
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
FM
(V)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
2/5
BAR42FILM / BAR43FILM
图3 :反向漏电流随
施加反向电压(典型值)的
I
R
(A)
1E+2
T
j
=100°C
图4 :反向漏电流随
结温
I
R
(A)
1E+4
1E+3
1E+2
V
R
=30V
1E+1
1E+0
T
j
=50°C
1E+1
1E+0
1E-1
T
j
=25°C
1E-1
1E-2
0
5
10
V
R
(V)
15
20
25
30
V
R
(V)
1E-2
0
25
50
75
100
125
150
图5 :结电容与反向
施加的电压(典型值)的
图6 :热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间(环氧树脂FR4与建议垫
布局, E(铜) = 35微米)
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
C( pF)的
10
F=1MHz
T
j
=25°C
δ
= 0.5
5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
0.10
2
单脉冲
T
V
R
(V)
1
1
2
5
10
20
30
t
p
(s)
0.01
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
1E+1
tp
1E+2
图7 :热阻结到
环境与每一下铜面
铅(环氧树脂印制电路板FR4 ,铜
厚度为35μm )
R
号(j -a)的
( ° C / W)
350
P=0.25W
300
250
200
150
0
5
10
15
S( CU ) (平方毫米)
20
25
30
35
40
45
50
3/5
BAR42FILM / BAR43FILM
图8 : SOT23-3L封装机械数据
A
E
REF 。
A
A1
B
c
D
e
e1
E
H
L
S
e
B
e1
D
S
A1
L
H
c
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
0.89
1.4
0.035
0.055
0
0.1
0
0.004
0.3
0.51
0.012
0.02
0.085
0.18
0.003
0.007
2.75
3.04
0.108
0.12
0.85
1.05
0.033
0.041
1.7
2.1
0.067
0.083
1.2
1.6
0.047
0.063
2.1
2.75
0.083
0.108
0.6典型。
0.024 TYP 。
0.35
0.65
0.014
0.026
图9 :脚印尺寸
(单位:毫米)
0.95
0.61
1.26
0.73
3.25
表7 :订购信息
订货型号
BAR42FILM
BAR43FILM
BAR43AFILM
BAR43CFILM
BAR43SFILM
记号
D94
D95
DB1
DB2
DA5
重量
基地数量
配送方式
SOT23-3L
0.01 g
3000
磁带&卷轴
环氧会见UL94 , V0
表8 :修订历史记录
日期
Aug-2001
16-Apr-2005
调整
2B
3
最后更新。
布局更新。没有内容的变化。
更改说明
4/5
BAR42FILM / BAR43FILM
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通过暗示,或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
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授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
所有其他名称均为其各自所有者的财产
2005意法半导体 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 比利时 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 捷克 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 -
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAR43AFILM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
BAR43AFILM
ST(意法)
22+
8061
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAR43AFILM
ST
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAR43AFILM
ST专家
NA
74390
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
BAR43AFILM
ST
20+
28000
SOT-23
76¥/片,原装正品,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
BAR43AFILM
ST(意法)
23+
700000
SOT-23-3L
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BAR43AFILM
STMicroelectronics
2421+
32210
SOT-23-3
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BAR43AFILM
ST/意法
24+
21000
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