BAR43/A/C/S
BAR43/A/C/S
接线图
BAT43
3
3
3
BAT43A
3
D95
2
1
1
2
1
BAT43C
3
2NC
1
3
2
BAT43S
SOT-23
记号
BAT43 D95 BAT43A DB1
BAT43C DB2 BAT43S DA5
1
2
1
2
肖特基二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
存储温度范围
工作结温
价值
30
200
750
-55到+150
150
单位
V
mA
mA
°C
°C
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
290
430
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 100A
I
F
= 2.0毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 25V
V
R
= 25V ，T
a
= 100°C
I
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
分钟。
30
260
马克斯。
330
450
0.8
0.5
100
5.0
80%
单位
V
mV
mV
V
A
A
ns
I
R
t
rr
反向漏
反向恢复时间
最低探恢复时间我
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
2004仙童半导体公司
BAR43 / A / C / S，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I12
BAR 42 / BAR 43 ， A，C ，S
电气特性
静态特性
符号
V
BR
V
F
*
TJ = 25
°
C
TJ = 25°C
测试条件
I
R
= 100
A
BAR 42
BAR 43
所有
I
R
**
脉冲测试：
分钟。
30
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 100毫安
0.26
典型值。
0.35
0.5
马克斯。
0.4
0.65
0.33
0.45
1
500
100
单位
V
V
TJ = 25°C
TJ = 100
°
C
* TP = 380
s,
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 5毫秒，
δ
<2%
V
R
= 25V
nA
A
动态特性
符号
C
TRR
η*
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 25°C
I
rr
= 1毫安
TJ = 25°C
F = 45MHz的
V
R
= 1V
I
F
= 10毫安
R
L
= 100
R
L
= 50 K
V
i
= 2V
F = 1MHz的
I
R
= 10毫安
C
L
= 300 pF的
为BAR 43
80
分钟。
典型值。
7
马克斯。
5
单位
pF
ns
%
*检测效率。
图。 1-1 ：
正向压降与前进
电流（典型值，低电平）。
IFM （ A）
2.00E-2
1.80E-2
Tj=100°C
图。 1-2 ：
正向压降与前进
电流（典型值，高电平） 。
IFM （ A）
5E-1
Tj=100°C
1.60E-2
1.40E-2
Tj=25°C
1E-1
Tj=50°C
1.20E-2
1.00E-2
8.00E-3
6.00E-3
4.00E-3
2.00E-3
Tj=50°C
1E-2
Tj=25°C
VFM （ V）
VFM （ V）
1E-3
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.00E+0
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
2/4
BAR 42 / BAR 43 ， A，C ，S
图。 2 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）。
IR（ μA ）
1E+2
Tj=100°C
图。 3 ：
反向漏电流与结
温度。
IR（ μA ）
1E+4
VR=30V
1E+3
1E+1
1E+2
1E+0
Tj=50°C
1E+1
1E+0
1E-1
Tj=25°C
1E-1
VR （ V）
1E-2
0
5
10
15
20
25
30
1E-2
0
25
50
TJ （ ° C）
75
100
125
150
网络克。 4 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
10
F=1MHz
Tj=25°C
图。 5 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
FR4与recommendedpad布局， E（铜） = 35微米） 。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.00
δ
= 0.5
5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
2
单脉冲
T
VR （ V）
1
1
2
5
10
20
30
0.01
1E-3
1E-2
1E-1
TP （多个）
1E+0
δ
= TP / T
tp
1E+1
1E+2
图。 6 ：
热阻结到环境
相对于在每个铅（环氧铜表面
printedcircuit板FR4 ，铜厚度为35μm ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
350
P=0.25W
300
250
200
S（铜）（毫米）
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3/4
BAR 42 / BAR 43 ， A，C ，S
包装机械数据
SOT 23 （塑料）
E
A
REF 。
e
B
e1
D
S
A1
L
H
c
A
A1
B
c
D
e
e1
E
H
L
S
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
0.89
1.4
0.035
0.055
0
0.1
0
0.004
0.3
0.51
0.012
0.02
0.085
0.18
0.003
0.007
2.75
3.04
0.108
0.12
0.85
1.05
0.033
0.041
1.7
2.1
0.067
0.083
1.2
1.6
0.047
0.063
2.1
2.75
0.083
0.108
0.6典型。
0.024 TYP 。
0.35
0.65
0.014
0.026
FOOT PRINT尺寸
0.9
0.035
0.9
0.035
1.1
0.043
2.35
0.92
1.9
0.075
1.45
0.037
1.1
0.043
mm
寸
0.9
0.035
订货型号
BAR42
BAR43
BAR43S
BAR43C
记号
D94
D95
DB1
DB2
包
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
重量
0.01g
0.01g
0.01g
0.01g
0.01g
基地数量
3000
3000
3000
3000
3000
配送方式
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
BAR43S
DA5
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照
通过暗示，或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权不明确writtenapproval在lifesupport设备或系统中的关键组件
意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
4/4
BAR43/A/C/S
BAR43/A/C/S
接线图
BAT43
3
3
3
BAT43A
3
D95
2
1
1
2
1
BAT43C
3
2NC
1
3
2
BAT43S
SOT-23
记号
BAT43 D95 BAT43A DB1
BAT43C DB2 BAT43S DA5
1
2
1
2
肖特基二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
存储温度范围
工作结温
价值
30
200
750
-55到+150
150
单位
V
mA
mA
°C
°C
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
290
430
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 100A
I
F
= 2.0毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 25V
V
R
= 25V ，T
a
= 100°C
I
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
分钟。
30
260
马克斯。
330
450
0.8
0.5
100
5.0
80%
单位
V
mV
mV
V
A
A
ns
I
R
t
rr
反向漏
反向恢复时间
最低探恢复时间我
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
2004仙童半导体公司
BAR43 / A / C / S，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I12
BAR43/A/C/S
BAR43/A/C/S
接线图
BAT43
3
3
3
BAT43A
3
D95
2
1
1
2
1
BAT43C
3
2NC
1
3
2
BAT43S
SOT-23
记号
BAT43 D95 BAT43A DB1
BAT43C DB2 BAT43S DA5
1
2
1
2
肖特基二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
存储温度范围
工作结温
价值
30
200
750
-55到+150
150
单位
V
mA
mA
°C
°C
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
290
430
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 100A
I
F
= 2.0毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 25V
V
R
= 25V ，T
a
= 100°C
I
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
分钟。
30
260
马克斯。
330
450
0.8
0.5
100
5.0
80%
单位
V
mV
mV
V
A
A
ns
I
R
t
rr
反向漏
反向恢复时间
最低探恢复时间我
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
2004仙童半导体公司
BAR43 / A / C / S，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I12
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BAR43/A/C/S
特点
低漏电流。
表面贴装SOT- 23封装
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
200mW
肖特基
二极管
V
R
30V
200mA
200mW
-55 ° C至150℃
150°C
最大额定值
工作峰值反向电压
平均正向电流整流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
存储温度范围
工作结温
I
F（ AV ）
P
D
T
英镑
T
j
SOT-23
A
D
C
B
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
参数
符号
马克斯。
0.33V
0.45V
0.80V
0.5uA
30V(min)
5nS
笔记
I
F
=2mA
I
F
=15mA
I
F
=100mA
V
R
= 25V
I
R
=100uA
I
F
=I
R
= 10毫安;我
rr
=1mA
R
L
=100
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
F
E
正向电压
V
F
G
K
H
J
反向电流
反向击穿
电压
反向恢复
时间
I
R
V
（ BR ）
t
rr
尺寸
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
原理图和标记
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
BAR43
3
BAR43A
3
3
1
3
3
2
BAR43S
1
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
.031
.800
1
BAR43C
D95
2
记号
BAR43A DB1
BAR43 D95
BAR43S DA5
BAR43C DB2
1
2
1
2
.037
.950
.037
.950
修改：
A
www.mccsemi.com
1作者：
2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修改：
A
2 2
2011/01/01
BAR43 / A / C / S
肖特基二极管
BAR43
3
BAR43A
3
BAR43C
3
BAR43S
3
1
2
1
2
1
2
1
2
BAR43标识代码： RD
BAR43A标识代码： RE
BAR43C标识代码： RF
BAR43S标识代码： RH
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复性峰值正向浪涌电流时（ T = 1秒）
功耗
热阻，结到环境
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
R
θJA
T
J
T
S
价值
30
200
750
290
430
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
mW
O
C / W
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
反向击穿电压
在我
R
= 100
μA
反向电流
在V
R
= 25 V
正向电压
在我
F
= 2毫安
在我
F
= 15毫安
在我
F
= 100毫安
反向恢复时间
在我
F
= I
R
= 10 mA时，我
RR
= 1毫安，R
L
= 100
符号
V
（ BR ）R
I
R
分钟。
30
-
0.26
-
-
-
马克斯。
-
500
0.33
0.45
0.8
5
单位
V
nA
V
F
V
t
rr
ns
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2006年10月9日
BAR43 / A / C / S
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2006年10月9日
QQ：2880707522 复制
