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分立半导体
数据表
K, halfpage
M3D119
BAQ800
上午PIN二极管
产品speci fi cation
在分离式半导体文件, SC01
1997年08月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
上午PIN二极管
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
可在ammopack 。
应用
RF衰减器的低失真
频率超过100千赫。
Fig.1简化外形( SOD81 )和符号。
手册中, 4列
BAQ800
描述
腔免费的圆柱形玻璃封装
通过Implotec
(1)
技术。
这个包是密封的
并强调自由作为系数
扩展使用的所有部件都
匹配。
(1) Implotec是飞利浦公司的商标。
k
a
MAM123
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC134 ) 。
符号
V
RRM
V
R
I
F( AV )
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
平均正向电流
T
tp
= 25
°C;
导线长度= 10毫米;
见图2
T
AMB
= 60
°C;
印刷电路板
安装(见图17 ) ;见图3
T
英镑
T
j
储存温度
结温
条件
分钟。
65
65
马克斯。
100
100
1.25
600
+175
+150
V
V
A
mA
°C
°C
单位
1997年08月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
上午PIN二极管
BAQ800
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED ;因为光灵敏度的所有特征必须在黑暗中进行测试
这款产品。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 100毫安;参见图4和图5
I
F
= 100毫安;牛逼
j
= T
j max的情况
;
参见图4和图5
I
R
τ
反向电流
载流子寿命
V
R
= 100V ;见图14
V
R
= 100V ;牛逼
j
= 125
°C;
见图14
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 6毫安;在我的10%测量的
R
;
见图15
F = 1兆赫;参见图6 ,图7,图8和9
V
R
= 0
V
R
= 2 V
r
D
二极管的正向电阻
F = 100千赫;参见图10和16
I
F
= 10
A
I
F
= 100
A
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
r
s
二极管串联电阻
F = 100千赫;参见图11 ,图12和13
V
R
= 0
V
R
= 2 V
F = 1兆赫;参见图11 ,图12和13
V
R
= 0
V
R
= 2 V
25
100
50
220
k
k
1000
5000
2200
11000
k
k
3100
380
42
5
6000
800
80
10
10
5
12
6
pF
pF
分钟。
10
典型值。
0.9
0.7
20
马克斯。
1.1
0.9
0.1
30
V
V
A
A
s
单位
C
d
二极管电容
热特性
因为该产品的光敏感度的所有特征必须在黑暗中进行测试。
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板, 1.5mm厚; Cu层的厚度
≥40 m,
见图17 。
欲了解更多信息,请参阅
“总则手册SC01的” 。
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
导线长度= 10毫米
价值
60
120
单位
K / W
K / W
1997年08月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
上午PIN二极管
图形数据
BAQ800
手册, halfpage
1.5
MGG498
手册, halfpage
1.5
MGG499
IF ( AV )
(A)
1.0
IF ( AV )
(A)
1.0
0.5
0.5
0
0
100
TTP ( ° C)
200
0
0
100
TAMB ( ° C)
200
DC应用。
DC应用。
Fig.2
最大允许正向平均
当前,作为扎点温度的函数。
Fig.3
最大允许正向平均
当前环境温度的函数。
10
4
手册, halfpage
IF
(MA )
10
3
10
2
MGG500
10
4
手册, halfpage
IF
(MA )
10
3
10
2
MGG501
10
10
1
10
1
10
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VF ( V)
2.0
1
10
1
10
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VF ( V)
2.0
虚线:T已
j
= 150
°C.
实线:T已
j
= 25
°C.
虚线:T已
j
= 150
°C.
实线:T已
j
= 25
°C.
Fig.4
正向电压的一个函数
正向电流;典型值。
Fig.5
正向电压的一个函数
正向电流;最大值。
1997年08月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
上午PIN二极管
BAQ800
手册, halfpage
12
MGG503
手册, halfpage
12
MGL101
(1)
Cd
(PF )
8
Cd
(PF )
8
(2)
4
4
0
0
2
4
6
8
VR ( V)
10
0
10
10
2
10
3
F(千赫)
10
4
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
T
j
= 25
°C.
(1) V
R
= 0.
(2) V
R
= 2 V.
Fig.6
二极管电容的一个函数
反向电压;典型值。
Fig.7
二极管电容的一个函数
频率;典型值。
手册, halfpage
C
24
d
(PF )
20
MGK448
手册, halfpage
C
(1)
(2)
(3)
(1)
6
d
(PF )
5
MGK449
16
4
12
(2)
(3)
3
8
2
4
1
0
10
2
F(千赫)
10
3
0
10
2
F(千赫)
10
3
(1) T
j
= 85
°C.
(2) T
j
= 25
°C.
(3) T
j
=
40 °C.
V
R
= 0.
(1) T
j
= 85
°C.
(2) T
j
= 25
°C.
(3) T
j
=
40 °C.
V
R
= 2 V.
Fig.8
二极管电容的一个函数
频率;典型值。
Fig.9
二极管电容的一个函数
频率;典型值。
1997年08月26日
5
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