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【分立半导体数据表K, halfpageM3D088BAP65-05硅PIN二极管产品speci fi】,IC型号BAP65-05,BAP65-05 PDF资料,BAP65-05经销商,ic,电子元器件-51电子网
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分立半导体
数据表
K, halfpage
M3D088
BAP65-05
硅PIN二极管
产品speci fi cation
2001年5月7日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
特点
在共阴极配置两个元素
高电压,电流控制
RF电阻RF开关
低电容二极管
低二极管正向电阻(低损耗) 。
应用
RF衰减器和开关
波段开关电视调谐器
串联二极管,用于移动通信的发送接收
开关。
3
2
2
1
BAP65-05
钉扎
1
2
3
描述
阳极(一个
1
)
阳极(一个
2
)
共阴极
OOK , 4列
1
3
描述
拖平面PIN二极管在SOT23小型塑料SMD
封装。
顶视图
MAM108
标识代码:
7Kp.
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
90
°C
65
65
30
100
250
+150
+150
V
mA
mW
°C
°C
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2001年5月7日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
I
R
C
d
正向电压
反向漏电流
二极管电容
I
F
= 50毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 3 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的
I
F
= 5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
|s
21
|
2
隔离
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 5毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
τ
L
载流子寿命
0.9
0.7
0.575
0.525
0.425
1
0.65
0.56
0.35
9.4
4.8
3.1
0.1
0.18
0.28
0.08
0.16
0.26
0.07
0.15
0.25
0.06
0.14
0.24
1.1
20
0.9
0.8
参数
条件
典型值。
BAP65-05
马克斯。
单位
V
nA
pF
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
0.95
0.9
从我开机时,
F
= 10 mA至0.17
I
R
= 6毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
1.4
L
S
串联电感
nH
1.保证在AQL基础:检查水平S4 , AQL 1.0 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
220
单位
K / W
2001年5月7日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
图形数据
BAP65-05
手册, halfpage
10
MGW093
手册, halfpage
1000
MGW094
rD
()
Cd
(fF)
800
600
1
400
200
10
1
10
1
1
10
I F (毫安)
10
2
0
0
4
8
12
16
VR ( V)
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
Fig.2
正向电阻的一个函数
正向电流;典型值。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
手册, halfpage
2
0
MGW095
MGW096
|
s 21
|
(1)
(2)
手册, halfpage
2
0
( dB)的
0.1
(3)
|
s 21
|
( dB)的
10
0.2
(4)
20
0.3
30
0.4
0.5
0
1
(3) I
F
= 5毫安。
(4) I
F
= 1毫安。
2
F(千兆赫)
3
40
0
1
2
F(千兆赫)
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
二极管串联插入一个50
带状线电路
通过分析T恤的网络偏颇。
T
AMB
= 25
°C.
二极管零偏压并串联插入一个50
带状线电路。
T
AMB
= 25
°C.
Fig.4
插入损耗( | S
21
|
2
)在导通状态的二极管的
作为频率的函数;典型值。
Fig.5
隔离( | S
21
|
2
)在关断状态的所述二极管的
频率的函数;典型值。
2001年5月7日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BAP65-05
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-236AB
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
99-09-13
2001年5月7日
5
分立半导体
数据表
K, halfpage
M3D088
BAP65-05
硅PIN二极管
产品speci fi cation
2001年5月7日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
特点
在共阴极配置两个元素
高电压,电流控制
RF电阻RF开关
低电容二极管
低二极管正向电阻(低损耗) 。
应用
RF衰减器和开关
波段开关电视调谐器
串联二极管,用于移动通信的发送接收
开关。
3
2
2
1
BAP65-05
钉扎
1
2
3
描述
阳极(一个
1
)
阳极(一个
2
)
共阴极
OOK , 4列
1
3
描述
拖平面PIN二极管在SOT23小型塑料SMD
封装。
顶视图
MAM108
标识代码:
7Kp.
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
90
°C
65
65
30
100
250
+150
+150
V
mA
mW
°C
°C
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2001年5月7日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
I
R
C
d
正向电压
反向漏电流
二极管电容
I
F
= 50毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 3 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的
I
F
= 5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
|s
21
|
2
隔离
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 5毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
τ
L
载流子寿命
0.9
0.7
0.575
0.525
0.425
1
0.65
0.56
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9.4
4.8
3.1
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0.18
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0.16
0.26
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0.15
0.25
0.06
0.14
0.24
1.1
20
0.9
0.8
参数
条件
典型值。
BAP65-05
马克斯。
单位
V
nA
pF
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
0.95
0.9
从我开机时,
F
= 10 mA至0.17
I
R
= 6毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
1.4
L
S
串联电感
nH
1.保证在AQL基础:检查水平S4 , AQL 1.0 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
220
单位
K / W
2001年5月7日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
图形数据
BAP65-05
手册, halfpage
10
MGW093
手册, halfpage
1000
MGW094
rD
()
Cd
(fF)
800
600
1
400
200
10
1
10
1
1
10
I F (毫安)
10
2
0
0
4
8
12
16
VR ( V)
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
Fig.2
正向电阻的一个函数
正向电流;典型值。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
手册, halfpage
2
0
MGW095
MGW096
|
s 21
|
(1)
(2)
手册, halfpage
2
0
( dB)的
0.1
(3)
|
s 21
|
( dB)的
10
0.2
(4)
20
0.3
30
0.4
0.5
0
1
(3) I
F
= 5毫安。
(4) I
F
= 1毫安。
2
F(千兆赫)
3
40
0
1
2
F(千兆赫)
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
二极管串联插入一个50
带状线电路
通过分析T恤的网络偏颇。
T
AMB
= 25
°C.
二极管零偏压并串联插入一个50
带状线电路。
T
AMB
= 25
°C.
Fig.4
插入损耗( | S
21
|
2
)在导通状态的二极管的
作为频率的函数;典型值。
Fig.5
隔离( | S
21
|
2
)在关断状态的所述二极管的
频率的函数;典型值。
2001年5月7日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BAP65-05
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-236AB
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
99-09-13
2001年5月7日
5
SMD型
硅PIN二极管
BAP65-05
二极管
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
在共阴极配置两个元素
高电压,电流控制
RF电阻RF开关
低电容二极管
低二极管正向电阻(低损耗) 。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
0:N锡ü 美国再V è RS电子V LTA克é
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到TA升P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
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V
R
I
F
P
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30
100
250
0-0.1
加利IT
V
mA
mW
-6 5
-6 5
+150
+150
220
K / W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BAP65-05
二极管
电气特性TA = 25
参数
正向电压
反向漏电流
符号
V
F
V
R
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
二极管电容
C
d
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 3 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的
二极管的正向电阻
r
D
I
F
= 5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
V
R
= 0; F = 900兆赫
隔离
|s21|
2
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
插入损耗
|s21|
2
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
I
F
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插入损耗
|s21|
2
I
F
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I
F
= 5毫安; F = 2450 MHz的
I
F
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插入损耗
|s21|
2
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
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I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
插入损耗
|s21|
2
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
载流子寿命
串联电感
1.保证在AQL基础:检查水平S4 , AQL 1.0 。
从我开机时,
F
= 10 mA至
L
典型值
0.95
最大
1.1
20
单位
V
nA
0.7
0.575
0.525
0.425
1
0.65
0.56
0.35
9.4
4.8
3.1
0.1
0.18
0.28
0.08
0.16
0.26
0.07
0.15
0.25
0.06
0.14
0.24
0.17
1.4
s
nH
dB
dB
dB
dB
dB
0.95
0.9
0.9
0.8
pF
I
R
= 6毫安;
L
= 100
L
S
,
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
记号
记号
7Kp
2
www.kexin.com.cn
产品speci fi cation
BAP65-05
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
在共阴极配置两个元素
高电压,电流控制
RF电阻RF开关
低电容二极管
低二极管正向电阻(低损耗) 。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
0:N锡ü 美国再V è RS电子V LTA克é
0:N锡ü 美国FO RW一个道中④此吨
到TA升P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
S到RA克éて米P·Eラ恩重
菊N c个TIO N TE米P·Eラ恩重
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Ts
90
S YM BOL
V
R
I
F
P
给T
T
s TG
T
j
R
th
-S
米斧
30
100
250
0-0.1
加利IT
V
mA
mW
-6 5
-6 5
+150
+150
220
K / W
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1 2
产品speci fi cation
BAP65-05
电气特性TA = 25
参数
正向电压
反向漏电流
符号
V
F
V
R
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
二极管电容
C
d
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 3 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的
二极管的正向电阻
r
D
I
F
= 5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
V
R
= 0; F = 900兆赫
隔离
|s21|
2
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
插入损耗
|s21|
2
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
I
F
= 5毫安; F = 900兆赫
插入损耗
|s21|
2
I
F
= 5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 5毫安; F = 2450 MHz的
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
插入损耗
|s21|
2
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
插入损耗
|s21|
2
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
载流子寿命
串联电感
1.保证在AQL基础:检查水平S4 , AQL 1.0 。
从我开机时,
F
= 10 mA至
L
典型值
0.95
最大
1.1
20
单位
V
nA
0.7
0.575
0.525
0.425
1
0.65
0.56
0.35
9.4
4.8
3.1
0.1
0.18
0.28
0.08
0.16
0.26
0.07
0.15
0.25
0.06
0.14
0.24
0.17
1.4
s
nH
dB
dB
dB
dB
dB
0.95
0.9
0.9
0.8
pF
I
R
= 6毫安;
L
= 100
L
S
,
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
记号
记号
7Kp
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2 2
RF手册16版
th
应用和设计手册
高性能射频产品
2012年6月
BAP65-05
恩智浦可让您释放业绩
新一代射频和微波设计
恩智浦RF手册是市场上最重要的参考工具,为今天的1
RF设计师。它具有我们完整的射频产品系列,从低到高功率信号
空调,通过应用程序和功能组织,并侧重于设计支持。
当涉及到的RF ,在设计师的心目中的第一件事就是为满足
指定的性能。恩智浦带来清晰,你的设计的每一个环节
挑战,让你可以发挥你的RF和微波的性能
设计。恩智浦推出高性能射频技术组合,
让你区分你的产品 - 无论身在何处,在RF领域
你是。这就是为什么客户信任我们与他们的任务关键型设计。
无论是LDMOS和GaN高功率RF应用或Si和
的SiGe :C BiCMOS工艺为您的小信号的需求,我们已经得到了你覆盖。
我们广泛深远的技术组合给你自由
设计与信心。
每年出货超过四十亿的射频产品,恩智浦是一个明确的行业
领先的高性能射频。从卫星接收器,蜂窝基站
电台和广播发射机到ISM (工业,科学,医学)
与航空航天和国防应用中,你会发现高性能
RF产品,这将帮助你在你的产品实现了明显的优势,
你的声誉,与你无关。
所以,如果你正在寻找提高你的RF性能,设计高度
高效的信号链,或者有新的突破与创新的ISM
应用,恩智浦将帮助你释放的表现你
下一代射频和微波设计。
4
恩智浦半导体RF手册16
th
什么是新的?
该RF手册提供了有关射频应用的更新信息
分组如下:无线和宽带通信基础设施,电视
和卫星,便携设备,汽车, ISM ,以及航空航天和国防。
我们详细描述了新的发展,我们的核心技术, QUBiC4
(硅锗碳)和LDMOS 。我们还增加了氮化镓技术,我们的产品
祭。这一关键技术,使高功率放大器提供非常高的
效率在下一代无线通信系统。
新产品包括氮化镓功率放大器中,包覆成型的完整产品线
塑料( OMP ) RF功率晶体管和MMIC产品,我们的第八代
LDMOS晶体管( Gen8 ) 。下一代设备和改进的产品
包括GPS低噪声放大器,中功率放大器,中频增益模块,卫星高频头集成电路
和CATV模块。
我们的产品组合,为无线通信基础设施不断扩大,与
一套完整的放大器(低噪声,可变增益,中等功率和
高功率Doherty放大器) ,混频器, IQ调制和合成,让你
可以构建用于发送阵容了高效的信号链和接收链。
该设计支持部分更新,包括所有可用的工具,
文件,资料和链接,简化设计,在我们的产品中。
我们无情的在我们的射频创新的承诺,并有基础设施和洞察力,以鼓舞信心
在性能关键型应用程序。我们把重点转向复杂的RF问题,所以你可以自由地推
你的应用程序的性能极限,实现您的设计理念,并获得竞争优势的企业。
您正在阅读的是多了指南,它是一个工具,可以让您充分利用自己的射频性能: 16
th
的RF手册。
亲切的问候,
约翰·克罗托
高级副总裁&总经理
业务线的高性能RF
RF手册网页
www.nxp.com/rfmanual
恩智浦半导体RF手册16
th
5
目录
1
1.1
产品应用
1.1.1
1.1.2
1.1.3
9
无线通信基础设施
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
9
基站(所有的蜂窝标准和频率)
______________________________________________________________________________________________________________________________
9
点对点通信
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
12
中继器
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
14
1.2
宽带通信基础设施
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
15
1.2.1 CATV光(具有多个外端口光节点)
________________________________________________________________________________________________________________________________
15
1.2.2 CATV电气(线路延伸)
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
16
1.3
电视和卫星
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
17
1.3.1网络接口模块( NIM)的电视接收
___________________________________________________________________________________________________________________________________
17
1.3.2
1.3.3
1.3.4
1.3.5
基本电视调谐器
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
19
卫星室外单元,双低噪声模块( LNB ),与分立元件
______________________________________________________________________________________
20
卫星室外单元,双低噪声模块( LNB ) ,集成混频器/振荡器/下变频器
__________________________________________________
21
卫星多路开关盒 - 4×4 (最高可达16×16) /的DiSEqC / SMATV
________________________________________________________________________________________________________
22
1.4
1.3.6 VSAT
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
23
便携式设备
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
25
1.4.1
1.4.2
1.4.3
1.4.4
1.4.5
1.4.6
全球定位系统
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
25
FM收音机
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
26
中国移动多媒体广播( CMMB )的UHF频段470 - 862兆赫
_______________________________________________________________________________________
27
蜂窝接收器
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
28
DBDC的802.11n和802.11ac标准的WLAN
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
29
通用射频前端
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
30
SDARS & HD收音机
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
31
遥控无钥匙进入系统, RF通用前端的专用天线用于接收和发射
___________________________________________________
32
轮胎压力监测系统
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
33
1.5
汽车
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
31
1.5.1
1.5.2
1.5.3
1.6
1.5.4车载无线接收器( CREST芯片: TEF6860HL , TEF6862HL )
_______________________________________________________________________________________________________________________
34
工业,科学&医疗(ISM )
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
35
1.6.1广播/ ISM
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
35
1.6.2电子计量,通用RF前端与单个天线/ ZigBee的
______________________________________________________________________________________________________________
36
1.6.3射频微波炉上的应用
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
37
1.6.4射频等离子照明
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
38
1.6.5医学影像
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
39
1.7
航空航天和国防
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
40
1.7.1微波产品L-和S波段雷达和航空电子应用
________________________________________________________________________________________________
40
2
2.1
重点应用,产品&技术
42
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
无线通信基础设施
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
42
2.1.1建立与RF元件高效率的信号链传输阵容和接收链
________________________________________________________
42
2.1.2数字宽带VGA具有高线性&柔性电流设置
___________________________________________________________________________________________________
44
2.1.3 Doherty放大器技术,先进设备,最先进的无线基础设施
______________________________________________________________________________________________
46
2.1.4新一代的LDMOS射频功率无线基础设施:恩智浦Gen8
_____________________________________________________________________________
48
宽带通信基础设施
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
49
2.2.1以人为本,保护您的网络:恩智浦CATV C家族为中国广电总局标准
_________________________________________________
49
2.2.2高效的阵容为1 GHz的GaAs模块的可持续CATV网络
___________________________________________________________________________________
52
电视和卫星
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
54
2.3.1与低噪声放大器,以提高调谐器性能的可编程增益&旁路选项
_______________________________________________________________________________
54
2.3.2完整的卫星组合的所有LNB架构
_____________________________________________________________________________________________________________________________
56
2.3.3 VSAT ,通过卫星双向通信
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________
58
2.3.4低噪声LO发生器微波毫米波&收音机
___________________________________________________________________________________________________________________
60
便携式设备
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
61
2.4.1 GNSS信号与最小尺寸的最佳接收
______________________________________________________________________________________________________________
61
工业,科学&医疗
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
63
射频功率驱动2.5.1医疗应用
________________________________________________________________________________________________________________________________________________
63
2.5.2 RF驱动的等离子照明
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
64
2.5.3 QUBiC4硅和SiGe :C晶体管的任何RF功能
____________________________________________________________________________________________________________________________
65
2.5.4建立在数十年的创新微波和雷达
___________________________________________________________________________________________________________________
66
在其最好的2.5.5数字广播
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
68
2.5.6设置基准,超低功耗和高性能的无线连接解决方案
______________________________________________________
69
技术
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
70
2.6.1第一个主流的半导体公司提供的氮化镓产品
___________________________________________________________________________________________________
70
6
恩智浦半导体RF手册16
th
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAP65-05
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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NXP
2019
36000
SOT23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
BAP65-05
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联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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NXP
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
BAP65-05
NXP/恩智浦
18+
6000
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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NXP USA Inc.
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10000
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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