Warning: file_get_contents(https://uploadfile.51dzw.com/pdf_txt_cn/pdf6_html/PHILIPS/BAP1321-02_datasheet_1080606/pg_0002.txt): Failed to open stream: HTTP request failed! HTTP/1.1 404 Not Found in D:\website_51dzw\www.51dzw.com2024\2012\Include\Function.php on line 242
【分立半导体数据表M3D319BAP1321-02硅PIN二极管产品speci fi cation20】,IC型号BAP1321-02,BAP1321-02 PDF资料,BAP1321-02经销商,ic,电子元器件-51电子网
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分立半导体
数据表
M3D319
BAP1321-02
硅PIN二极管
产品speci fi cation
2001年4月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
特点
高电压，电流控制
RF电阻RF衰减器和开关
低电容二极管
低二极管正向电阻
非常低的串联电感
对于申请到3 GHz 。
手册， halfpage
BAP1321-02
钉扎
针
描述
阴极
阳极
应用
RF衰减器和开关。
描述
在SOD523超小型塑料SMD平面PIN二极管
封装。
标识代码：
K7.
Fig.1简化外形（ SOD523 ）和符号。

2
1
2
顶视图
1
MAM405
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
90
°C
条件
分钟。
65
65
马克斯。
60
100
715
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
2001年4月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向漏电流
二极管电容
I
F
= 50毫安
V
R
= 60 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
F = 100 MHz的;注1
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
|s
21
|
2
隔离
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
τ
L
L
S
记
1.保证在AQL基础：检查水平S4 ， AQL 1.0 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
载流子寿命
串联电感
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 6毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
条件
BAP1321-02
典型值。
0.95
0.4
0.35
0.25
3.4
2.4
1.2
0.85
16.3
11.4
9.2
0.23
0.27
0.33
0.18
0.22
0.27
0.10
0.16
0.20
0.08
0.13
0.18
0.5
0.6
马克斯。
1.1
100
0.45
0.32
5.0
3.6
1.8
1.3
单位
V
nA
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
nH
价值
85
单位
K / W
2001年4月17日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
图形数据
BAP1321-02
手册， halfpage
10
MLD591
手册， halfpage
rD
()
500
Cd
MLD592
(fF)
400
300
1
200
100
10
1
10
1
1
10
IF （MA ）
10
2
0
0
4
8
12
16
VR （ V）
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
Fig.2
正向电阻的一个函数
正向电流;典型值。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
s
2
0
MLD595
21
手册， halfpage
s
2
(1)
(2)
(3)
0
MLD594
(
dB
)
21
0.1
(
dB
)
10
0.2
(4)
20
0.3
30
0.4
0.5
0
1
2
(3) I
F
= 1毫安。
(4) I
F
= 0.5毫安。
F（千兆赫）
3
40
0
1
2
F（千兆赫）
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
二极管串联插入一个50
带状线电路
并通过分析T恤的网络偏颇。
T
AMB
= 25
°C.
二极管零偏压并串联插入一个50
带状线电路。
T
AMB
= 25
°C.
Fig.4
插入损耗（ | S
21
|
2
）二极管作为的
频率的函数;典型值。
Fig.5
隔离（ | S
21
|
2
）二极管作为函数的
频率;典型值。
2001年4月17日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
BAP1321-02
SOD523
A
c
HE
v
M
A
D
A
0
0.5
规模
1 mm
1
E
bp
2
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.7
0.5
bp
0.35
0.25
c
0.2
0.1
D
1.3
1.1
E
0.9
0.7
HE
1.7
1.5
v
0.15
(1)
记
1.标记栏显示的阴极。
概要
VERSION
SOD523
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-79
欧洲
投影
发行日期
98-11-25
2001年4月17日
5
分立半导体
数据表
M3D319
BAP1321-02
硅PIN二极管
产品speci fi cation
2001年4月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
特点
高电压，电流控制
RF电阻RF衰减器和开关
低电容二极管
低二极管正向电阻
非常低的串联电感
对于申请到3 GHz 。
手册， halfpage
BAP1321-02
钉扎
针
描述
阴极
阳极
应用
RF衰减器和开关。
描述
在SOD523超小型塑料SMD平面PIN二极管
封装。
标识代码：
K7.
Fig.1简化外形（ SOD523 ）和符号。

2
1
2
顶视图
1
MAM405
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
90
°C
条件
分钟。
65
65
马克斯。
60
100
715
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
2001年4月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向漏电流
二极管电容
I
F
= 50毫安
V
R
= 60 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
F = 100 MHz的;注1
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
|s
21
|
2
隔离
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
τ
L
L
S
记
1.保证在AQL基础：检查水平S4 ， AQL 1.0 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
载流子寿命
串联电感
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 6毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
条件
BAP1321-02
典型值。
0.95
0.4
0.35
0.25
3.4
2.4
1.2
0.85
16.3
11.4
9.2
0.23
0.27
0.33
0.18
0.22
0.27
0.10
0.16
0.20
0.08
0.13
0.18
0.5
0.6
马克斯。
1.1
100
0.45
0.32
5.0
3.6
1.8
1.3
单位
V
nA
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
nH
价值
85
单位
K / W
2001年4月17日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
图形数据
BAP1321-02
手册， halfpage
10
MLD591
手册， halfpage
rD
()
500
Cd
MLD592
(fF)
400
300
1
200
100
10
1
10
1
1
10
IF （MA ）
10
2
0
0
4
8
12
16
VR （ V）
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
Fig.2
正向电阻的一个函数
正向电流;典型值。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
s
2
0
MLD595
21
手册， halfpage
s
2
(1)
(2)
(3)
0
MLD594
(
dB
)
21
0.1
(
dB
)
10
0.2
(4)
20
0.3
30
0.4
0.5
0
1
2
(3) I
F
= 1毫安。
(4) I
F
= 0.5毫安。
F（千兆赫）
3
40
0
1
2
F（千兆赫）
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
二极管串联插入一个50
带状线电路
并通过分析T恤的网络偏颇。
T
AMB
= 25
°C.
二极管零偏压并串联插入一个50
带状线电路。
T
AMB
= 25
°C.
Fig.4
插入损耗（ | S
21
|
2
）二极管作为的
频率的函数;典型值。
Fig.5
隔离（ | S
21
|
2
）二极管作为函数的
频率;典型值。
2001年4月17日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
BAP1321-02
SOD523
A
c
HE
v
M
A
D
A
0
0.5
规模
1 mm
1
E
bp
2
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.7
0.5
bp
0.35
0.25
c
0.2
0.1
D
1.3
1.1
E
0.9
0.7
HE
1.7
1.5
v
0.15
(1)
记
1.标记栏显示的阴极。
概要
VERSION
SOD523
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-79
欧洲
投影
发行日期
98-11-25
2001年4月17日
5
BAP1321-02
硅PIN二极管
牧师02 - 2008年1月3日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户，
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
（电子邮件）
在每一页的底部的版权声明（或其他地方的文件，
根据版本）
- 皇家飞利浦电子N.V. （年） 。版权所有 -
被替换为：
- NXP B.V. （年） 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售
（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解，
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
特点
高电压，电流控制
RF电阻RF衰减器和开关
低电容二极管
低二极管正向电阻
非常低的串联电感
对于申请到3 GHz 。
手册， halfpage
BAP1321-02
钉扎
针
描述
阴极
阳极
应用
RF衰减器和开关。
描述
在SOD523超小型塑料SMD平面PIN二极管
封装。
标识代码：
K7.
Fig.1简化外形（ SOD523 ）和符号。

2
1
2
顶视图
1
MAM405
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
90
°C
条件
分钟。
65
65
马克斯。
60
100
715
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
牧师02 - 2008年1月3日
2 7
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向漏电流
二极管电容
I
F
= 50毫安
V
R
= 60 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
F = 100 MHz的;注1
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
|s
21
|
2
隔离
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
τ
L
L
S
记
1.保证在AQL基础：检查水平S4 ， AQL 1.0 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
载流子寿命
串联电感
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 6毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
条件
BAP1321-02
典型值。
0.95
0.4
0.35
0.25
3.4
2.4
1.2
0.85
16.3
11.4
9.2
0.23
0.27
0.33
0.18
0.22
0.27
0.10
0.16
0.20
0.08
0.13
0.18
0.5
0.6
马克斯。
1.1
100
0.45
0.32
5.0
3.6
1.8
1.3
单位
V
nA
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
nH
价值
85
单位
K / W
牧师02 - 2008年1月3日
3 7
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
图形数据
BAP1321-02
手册， halfpage
10
MLD591
手册， halfpage
rD
()
500
Cd
MLD592
(fF)
400
300
1
200
100
10
1
10
1
1
10
IF （MA ）
10
2
0
0
4
8
12
16
VR （ V）
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
Fig.2
正向电阻的一个函数
正向电流;典型值。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
s
2
0
MLD595
21
手册， halfpage
s
2
(1)
(2)
(3)
0
MLD594
(
dB
)
21
0.1
(
dB
)
10
0.2
(4)
20
0.3
30
0.4
0.5
0
1
2
(3) I
F
= 1毫安。
(4) I
F
= 0.5毫安。
F（千兆赫）
3
40
0
1
2
F（千兆赫）
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
二极管串联插入一个50
带状线电路
并通过分析T恤的网络偏颇。
T
AMB
= 25
°C.
二极管零偏压并串联插入一个50
带状线电路。
T
AMB
= 25
°C.
Fig.4
插入损耗（ | S
21
|
2
）二极管作为的
频率的函数;典型值。
Fig.5
隔离（ | S
21
|
2
）二极管作为函数的
频率;典型值。
牧师02 - 2008年1月3日
4 7
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
BAP1321-02
SOD523
A
c
HE
v
M
A
D
A
0
0.5
规模
1 mm
1
E
bp
2
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.65
0.58
bp
0.34
0.26
c
0.17
0.11
D
1.25
1.15
E
0.85
0.75
HE
1.65
1.55
v
0.1
(1)
记
1.标记栏显示的阴极。
概要
VERSION
SOD523
参考文献：
IEC
JEDEC
JEITA
SC-79
欧洲
投影
发行日期
02-12-13
06-03-16
牧师02 - 2008年1月3日
5 7
RF手册16版
th
应用和设计手册
高性能射频产品
2012年6月
BAP1321-02
恩智浦可让您释放业绩
新一代射频和微波设计
恩智浦RF手册是市场上最重要的参考工具，为今天的1
RF设计师。它具有我们完整的射频产品系列，从低到高功率信号
空调，通过应用程序和功能组织，并侧重于设计支持。
当涉及到的RF ，在设计师的心目中的第一件事就是为满足
指定的性能。恩智浦带来清晰，你的设计的每一个环节
挑战，让你可以发挥你的RF和微波的性能
设计。恩智浦推出高性能射频技术组合，
让你区分你的产品 - 无论身在何处，在RF领域
你是。这就是为什么客户信任我们与他们的任务关键型设计。
无论是LDMOS和GaN高功率RF应用或Si和
的SiGe ：C BiCMOS工艺为您的小信号的需求，我们已经得到了你覆盖。
我们广泛深远的技术组合给你自由
设计与信心。
每年出货超过四十亿的射频产品，恩智浦是一个明确的行业
领先的高性能射频。从卫星接收器，蜂窝基站
电台和广播发射机到ISM （工业，科学，医学）
与航空航天和国防应用中，你会发现高性能
RF产品，这将帮助你在你的产品实现了明显的优势，
你的声誉，与你无关。
所以，如果你正在寻找提高你的RF性能，设计高度
高效的信号链，或者有新的突破与创新的ISM
应用，恩智浦将帮助你释放的表现你
下一代射频和微波设计。
4
恩智浦半导体RF手册16
th
版
什么是新的？
该RF手册提供了有关射频应用的更新信息
分组如下：无线和宽带通信基础设施，电视
和卫星，便携设备，汽车， ISM ，以及航空航天和国防。
我们详细描述了新的发展，我们的核心技术， QUBiC4
（硅锗碳）和LDMOS 。我们还增加了氮化镓技术，我们的产品
祭。这一关键技术，使高功率放大器提供非常高的
效率在下一代无线通信系统。
新产品包括氮化镓功率放大器中，包覆成型的完整产品线
塑料（ OMP ） RF功率晶体管和MMIC产品，我们的第八代
LDMOS晶体管（ Gen8 ） 。下一代设备和改进的产品
包括GPS低噪声放大器，中功率放大器，中频增益模块，卫星高频头集成电路
和CATV模块。
我们的产品组合，为无线通信基础设施不断扩大，与
一套完整的放大器（低噪声，可变增益，中等功率和
高功率Doherty放大器） ，混频器， IQ调制和合成，让你
可以构建用于发送阵容了高效的信号链和接收链。
该设计支持部分更新，包括所有可用的工具，
文件，资料和链接，简化设计，在我们的产品中。
我们无情的在我们的射频创新的承诺，并有基础设施和洞察力，以鼓舞信心
在性能关键型应用程序。我们把重点转向复杂的RF问题，所以你可以自由地推
你的应用程序的性能极限，实现您的设计理念，并获得竞争优势的企业。
您正在阅读的是多了指南，它是一个工具，可以让您充分利用自己的射频性能： 16
th
版
的RF手册。
亲切的问候，
约翰·克罗托
高级副总裁&总经理
业务线的高性能RF
RF手册网页
www.nxp.com/rfmanual
恩智浦半导体RF手册16
th
版
5
目录
1
1.1
产品应用
1.1.1
1.1.2
1.1.3
9
无线通信基础设施
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
9
基站（所有的蜂窝标准和频率）
______________________________________________________________________________________________________________________________
9
点对点通信
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
12
中继器
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
14
1.2
宽带通信基础设施
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
15
1.2.1 CATV光（具有多个外端口光节点）
________________________________________________________________________________________________________________________________
15
1.2.2 CATV电气（线路延伸）
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
16
1.3
电视和卫星
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
17
1.3.1网络接口模块（ NIM）的电视接收
___________________________________________________________________________________________________________________________________
17
1.3.2
1.3.3
1.3.4
1.3.5
基本电视调谐器
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
19
卫星室外单元，双低噪声模块（ LNB ），与分立元件
______________________________________________________________________________________
20
卫星室外单元，双低噪声模块（ LNB ） ，集成混频器/振荡器/下变频器
__________________________________________________
21
卫星多路开关盒 - 4×4 （最高可达16×16） /的DiSEqC / SMATV
________________________________________________________________________________________________________
22
1.4
1.3.6 VSAT
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
23
便携式设备
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
25
1.4.1
1.4.2
1.4.3
1.4.4
1.4.5
1.4.6
全球定位系统
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
25
FM收音机
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
26
中国移动多媒体广播（ CMMB ）的UHF频段470 - 862兆赫
_______________________________________________________________________________________
27
蜂窝接收器
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
28
DBDC的802.11n和802.11ac标准的WLAN
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
29
通用射频前端
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
30
SDARS & HD收音机
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
31
遥控无钥匙进入系统， RF通用前端的专用天线用于接收和发射
___________________________________________________
32
轮胎压力监测系统
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
33
1.5
汽车
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
31
1.5.1
1.5.2
1.5.3
1.6
1.5.4车载无线接收器（ CREST芯片： TEF6860HL ， TEF6862HL ）
_______________________________________________________________________________________________________________________
34
工业，科学&医疗（ISM ）
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
35
1.6.1广播/ ISM
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
35
1.6.2电子计量，通用RF前端与单个天线/ ZigBee的
______________________________________________________________________________________________________________
36
1.6.3射频微波炉上的应用
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
37
1.6.4射频等离子照明
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
38
1.6.5医学影像
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
39
1.7
航空航天和国防
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
40
1.7.1微波产品L-和S波段雷达和航空电子应用
________________________________________________________________________________________________
40
2
2.1
重点应用，产品&技术
42
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
无线通信基础设施
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
42
2.1.1建立与RF元件高效率的信号链传输阵容和接收链
________________________________________________________
42
2.1.2数字宽带VGA具有高线性&柔性电流设置
___________________________________________________________________________________________________
44
2.1.3 Doherty放大器技术，先进设备，最先进的无线基础设施
______________________________________________________________________________________________
46
2.1.4新一代的LDMOS射频功率无线基础设施：恩智浦Gen8
_____________________________________________________________________________
48
宽带通信基础设施
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
49
2.2.1以人为本，保护您的网络：恩智浦CATV C家族为中国广电总局标准
_________________________________________________
49
2.2.2高效的阵容为1 GHz的GaAs模块的可持续CATV网络
___________________________________________________________________________________
52
电视和卫星
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
54
2.3.1与低噪声放大器，以提高调谐器性能的可编程增益&旁路选项
_______________________________________________________________________________
54
2.3.2完整的卫星组合的所有LNB架构
_____________________________________________________________________________________________________________________________
56
2.3.3 VSAT ，通过卫星双向通信
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________
58
2.3.4低噪声LO发生器微波毫米波&收音机
___________________________________________________________________________________________________________________
60
便携式设备
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
61
2.4.1 GNSS信号与最小尺寸的最佳接收
______________________________________________________________________________________________________________
61
工业，科学&医疗
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
63
射频功率驱动2.5.1医疗应用
________________________________________________________________________________________________________________________________________________
63
2.5.2 RF驱动的等离子照明
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
64
2.5.3 QUBiC4硅和SiGe ：C晶体管的任何RF功能
____________________________________________________________________________________________________________________________
65
2.5.4建立在数十年的创新微波和雷达
___________________________________________________________________________________________________________________
66
在其最好的2.5.5数字广播
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
68
2.5.6设置基准，超低功耗和高性能的无线连接解决方案
______________________________________________________
69
技术
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
70
2.6.1第一个主流的半导体公司提供的氮化镓产品
___________________________________________________________________________________________________
70
6
恩智浦半导体RF手册16
th
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