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分立半导体
数据表
M3D176
BA221
高速二极管
产品speci fi cation
取代1996年4月数据
1996年9月3日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
特点
密封铅玻璃
SOD27 （DO- 35）包
高开关速度：最大。 4纳秒
一般应用
连续反向电压：
最大。 30 V
反向重复峰值电压：
最大。 30 V
重复峰值正向电流：
最大。 400毫安。
该二极管是类型品牌。
手册， halfpage
k
BA221
描述
该BA221是一个高速开关二极管编造平面技术，
并封装在密封的铅玻璃SOD27 （DO- 35）
封装。
a
MAM246
应用
高速开关。
Fig.1简化外形（ SOD27 ; DO -35）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
t = 100
s
t=1s
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板;铅长度为10毫米。
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
65
9
3
1
350
+200
200
A
A
A
mW
°C
°C
见图2 ;注1
条件
分钟。
马克斯。
30
30
200
400
V
V
mA
mA
单位
1996年9月3日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
见图5
V
R
= 10 V
V
R
= 30 V
V
R
= 10 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
从我开机时，
F
= 10 mA至
I
R
= 60毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图7
从我开机时，
F
= 400毫安;
t
r
= 30纳秒;参见图8
25
200
50
100
625
950
1050
条件
分钟。
马克斯。
BA221
单位
mV
mV
mV
nA
nA
A
A
pF
ns
2.5
4
V
fr
正向恢复电压
2.0
V
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
记
1.装置安装在印刷电路板上无金属化焊盘。
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
条件
引线长度10毫米
铅长度为10毫米;注1
价值
240
500
单位
K / W
K / W
1996年9月3日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
图形数据
BA221
手册， halfpage
300
MBG451
手册， halfpage
600
MBG461
IF
（MA ）
200
IF
（MA ）
(1) (2)
(3)
400
100
200
0
0
100
TAMB （
o
C)
200
0
0
(1) T
j
= 175
°C;
典型值。
1
VF （ V）
2
设备安装在一FR4印刷电路板;铅长度为10毫米。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBG703
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1996年9月3日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
BA221
10
3
手册， halfpage
IR
(A)
MGD012
MGD002
手册， halfpage
4
10
2
Cd
（PF ）
3
10
(1)
(2)
(3)
2
1
10
1
1
10
2
0
100
TJ （ C）
o
200
0
0
10
20
VR （ V）
30
(1) V
R
= 30 V ;最大值。
(2) V
R
= 30 V ;典型值。
(3) V
R
= 10 V ;典型值。
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.5
反向电流交界处的函数
温度。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1996年9月3日
5
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