SMT功率电感
HPI 13 ，螺旋缠绕
系列/型号：
发布日期：
B82559*A013
2008年3月
7ffRspp
EPCOS AG 2008.复制，出版和传播本出版物，附件
本协议及其中所载没有爱普科斯事先明确同意信息是禁止的。
SMT功率电感
螺旋缠绕
技术参数和测量条件
额定电感L
R
电感容差
饱和电流I
SAT
B82559*A013
HPI 13
测量与韦恩 - 科尔3260A / 3265B在10 kHz ， 0.1 V， 20℃
±10%
电流，这将导致约20 ％的降幅的电感值。
温度响应需要在特定的应用程序，以进行验证。
测试结果的要求。
测量温度为20℃ ，容差
±10%
（应要求提供更小的公差）
典型值
235 ℃， 5秒，润湿>90 ％ （IEC 60068-2-58 ）
JEDEC的J- STD 020C
40
°C … +130 °C
2.2克（高度= 4.95毫米） ，2.6克（高度= 5.95毫米）
直流电阻R
典型值
可焊性
焊锡耐热性
工作温度
重量
储存条件（封装） -25 °C + 40 ° C，
≤
75％RH下
特征和订购代码
L
R
μH
0.50
0.95
1.1
1.4
2.15
2.4
3.0
3.9
I
SAT
A
30
25
20
22
15
16.5
13
12
R
典型值
mΩ
0.78
1.12
1.72
1.50
3.20
2.76
4.00
4.80
高度h最大。订货代码
mm
4.95
5.95
4.95
5.95
4.95
5.95
4.95
5.95
B82559A0501A013
B82559A0951A013
B82559A0112A013
B82559A0142A013
B82559A0222A013
B82559A0242A013
B82559A0302A013
B82559A0392A013
样品套件可用。订货代码： B82559X001
欲了解更多信息，请参考“样品套件” 。
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
4
03/08
注意事项和警告
■
请注意，在我们的电感器数据手册（最新版）的建议，并在数据
床单。
- 应特别注意支付给那里的降额曲线。
- 该焊接条件也应当遵守。温度的关系援引波
焊接指的是销，而不是在壳体上。
■
如果组分被清洗上漆，需要检查是否洗涤
用于清漆剂对导线的绝缘层产生消极影响，所使用的任何塑料，
或胶合缝。特别是，能够用于洗涤漆剂残基为具有
在对电线绝缘的长期不利影响。
■
以下几点必须注意，如果组件被封装在客户应用程序：
- 许多灌封材料收缩，因为它们变硬。因此，它们施加在塑料的压力
住房和核心。这种压力可对电性能产生有害的影响，并在
极端情况下可机械损坏芯或塑料外壳。
- 这是必要的检查灌封材料是否用于攻击或破坏电线
绝缘，塑料或胶水。
- 灌封材料的效果可以改变组件的高频特性。
■
铁氧体是直接影响敏感。这可能会导致在芯材剥落，或导致
芯的破裂。
■
即使对于特定客户的产品，则该组件在电路确凿的验证可以
仅由客户来进行。
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
5
03/08
电感器
螺旋缠绕的功率电感
主要技术参数和测量条件
额定电感L
R
电感容差
饱和电流I
SAT
B82559*A013
HPI 13
测量与韦恩 - 科尔3260A / 3265B ，
测量电压为100mV
±10%
电流，这将导致约20 ％的降幅电感
值。
温度响应需要在特定的待验证
应用程序。测试结果的要求。
直流电阻
可焊性
工作温度
重量
特征和订购代码
L
R
H
0.50
0.95
1.1
1.4
2.2
2.4
3.0
3.9
I
SAT
A
30
25
20
22
15
16.5
13
12
R
最大
m
1.1
1.4
2.2
1.8
4.2
3.2
5.1
6.0
测量温度为20 ° C的环境温度
235 ℃， 5秒，润湿>90 ％
40
... +130 °C
2.2克（高度= 4.95毫米） ，2.6克（高度= 5.95毫米）
高度H
mm
4.95
5.95
4.95
5.95
4.95
5.95
4.95
5.95
订购代码
B82559A0501A013
B82559A0951A013
B82559A0112A013
B82559A0142A013
B82559A0222A013
B82559A0242A013
B82559A0302A013
B82559A0392A013
发布时间由EPCOS AG
企业传讯， P.O.箱80 17 09 ， 81617慕尼黑，德国
++ 49 89 636 09 ，传真（ 0 89 ） 636-2 26 89
EPCOS AG 2004.复制，出版和传播该宣传册和信息的
化所载没有爱普科斯事先明确同意，是禁止的。
采购订单都受到了一般条件的供应产品和服务
推荐的ZVEI （德国电气和电子电气和电子行业
制造商协会） ，除非另有约定。
这本手册将取代以前的版本。
有关技术，价格和交货请联系EPCOS AG或销售办事处
国际代表。
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关信息
有问题的类型也请联系我们的销售办事处。
2
09/04
MCP19035
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在这个业务部门所标明
说明书并不打算。暴露于最高
额定条件下长时间可能会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
IN
- V
GND
.................................................. ...... -0.3V至+ 30V
V
BOOT
.................................................. .............. -0.3V至+ 36V
VHDRV ， HDRV引脚................. + V
相
-0.3V到V
BOOT
+0.3V
VLDRV ， LDRV引脚..................... + （V
GND
-0.3V ）到（Ⅴ
CC
+0.3V)
马克斯。任何引脚........... + （V的电压
GND
-0.3V ）到（Ⅴ
CC
+0.3V)
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温................................. + 150°C
所有引脚（ HBM） .................................... 1 kV ESD保护
所有引脚的ESD保护（ MM ） ..................................... 200V
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= 12V ，女
SW
= 300千赫，C
IN
= 1.0 μF ，T
A
= + 25 ° C（典型
值） ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （最小值和最大值） 。
参数
输入
输入电压范围
UVLO （V
IN
RISING ）
UVLO （V
IN
FALLING ）
UVLO迟滞
输入静态电流
关断电流
V
IN
UVLO
ON
UVLO
关闭
UVLO
HYST
I（ V
IN
)
I
IN_SHDN
4.5
4
3.4
—
—
—
—
4.2
3.6
600
6
25
30
4.4
3.8
—
8
50
V
V
V
mV
mA
A
SHDN = GND 。
内部电压调节器
也将被禁用
6V
V
IN
＆ LT ; 30V
6.5V
V
IN
< 30V ，
注2
V
IN
= 6V ，R
负载
< 0.1Ω
注1
注1
I
VCC_OUT
= 50毫安
f
千赫兹，
I
VCC_OUT
= 50毫安
C
IN
= 0 F,
C
VCC -OUT
= 4.7 F,
注1
SEE
第4.4节，内部
振荡器
注1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
线性稳压器
输出电压
输出电流
短路
输出电流
负载调整率
线路调整
输入输出电压差
电源
抑制比
PSRR
V
CC
I
VCC -OUT
I
VCC - OUT_SC
4.875
50
—
—
—
—
—
5
—
—
0.1
0.05
0.75
70
100
—
—
1.3
—
5.125
V
mA
mA
%
%
V
dB
内部振荡器
开关
频率
斜坡信号幅度
参考电压
参考电压
发电机
注1 ：
2:
3:
V
REF
585
600
615
mV
F
SW
V
坡道
255
0.9
300
1
345
1.1
千赫
V
PP
由设计保证。未经生产测试。
通过案例的最大功耗限制。
可能性为高容量进行调整。
2012 Microchip的技术公司
DS22326A第3页
MCP19035
直流电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= 12V ，女
SW
= 300千赫，C
IN
= 1.0 μF ，T
A
= + 25 ° C（典型
值） ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （最小值和最大值） 。
参数
误差放大器器
增益带宽积
开环增益
输入失调电压
输入偏置电流
（ FB引脚）
误差放大器器
灌电流
误差放大器器
源出电流
PWM节
最大占空比
最小导通时间
软启动
软启动时间
关闭
逻辑低到高
门槛
逻辑高到低
门槛
电源良好
电源良好
门槛高
电源良好
门槛低
电源良好
阈值迟滞
电源正常延时
电源良好活动
超时时间
MOSFET驱动器
高侧驱动器上拉
阻力
高侧驱动器上拉
下拉电阻
低端驱动器上拉
阻力
低侧驱动器上拉
下拉电阻
HDRV上升时间
HDRV下降时间
LDRV上升时间
注1 ：
2:
3:
R
HI -SOURCE
R
HI- SINK
R
LO -SOURCE
R
LO- SINK
t
RH
t
FH
t
RL
—
—
—
—
—
—
—
2
2
2
1
15
15
10
3.5
3.5
3.5
2.5
35
35
25
ns
ns
ns
V
BOOT
– V
相
= 4.5V,
I
HDRV
= 100毫安，
注1
V
BOOT
– V
相
= 4.5V,
I
HDRV
= 100毫安，
注1
V
CC
= 5V,
注1
V
CC
= 5V,
注1
C
负载
= 1.0 nF的，
注1
C
负载
= 1.0 nF的，
注1
C
负载
= 1.0 nF的，
注1
PG
TH -H
PG
TH -LOW
PG
TH- HYS
t
PG -DELAY
t
PG- TIME -OUT
—
88
—
—
—
92
90
2
150
120
96
—
—
—
—
％V的
REF
％V的
REF
％V的
REF
us
ms
V
FB
= （ PG
TH- HI
+ 100毫伏）到
（ PG
TH -LOW
- 100毫伏）
V
FB
= （ PG
TH- HI
- 100毫伏）到
（ PG
TH- HI
+ 100毫伏）
SHDN
HI
SHDN
LO
0.75
—
—
—
—
0.4
V
V
4.5V
V
IN
＆ LT ; 30V
4.5V
V
IN
＆ LT ; 30V
t
SS
—
2.6
—
ms
DC
最大
t
开（分钟）
85
130
—
—
—
240
%
ns
注1
6V
V
IN
< 30V ，
注1
英镑
A
OL
V
OS
I
BIAS
I
SINK
I
来源
6.5
70
-5
—
—
—
10
80
0.1
—
5
5
—
—
5
5
—
—
兆赫
dB
mV
nA
mA
mA
注1
注1
注1
注1
注1
注1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
由设计保证。未经生产测试。
通过案例的最大功耗限制。
可能性为高容量进行调整。
DS22326A第4页
2012 Microchip的技术公司
MCP19035
直流电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= 12V ，女
SW
= 300千赫，C
IN
= 1.0 μF ，T
A
= + 25 ° C（典型
值） ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （最小值和最大值） 。
参数
LDRV下降时间
死区时间
符号
t
FL
t
DT
民
—
20
—
短路保护
高端过流
阈值电压
低端过电流
阈值电压
最小脉冲宽度
在短路
关断时间之间
尝试重新启动（ Hick-
运行时间）
热关断
热关断
热关断
迟滞
注1 ：
2:
3:
TSHD
TSHD_HYS
—
—
150
15
—
—
°C
°C
注1
注1
OC
TH- HI
OC
TH -LO
t
SS -MIN
t
SS- HT
430
130
—
30
480
180
800
60
530
230
—
—
mV
mV
ns
ms
注意事项1 ，
V
CBOOT
= 5V
注1 ，注3
注1
注1
典型值
10
—
12
最大
25
—
—
单位
ns
ns
条件
C
负载
= 1.0 nF的，
注1
两个死区时间的选项，请参见
第5.2.2节，死区时间
选择注1
由设计保证。未经生产测试。
通过案例的最大功耗限制。
可能性为高容量进行调整。
温度参数
电气特性：
除非另有说明，V
IN
= 6.0V至30V ，女
SW
= 300千赫
参数
温度范围
特定网络版温度范围
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 10L -3X3 DFN
JA
—
53.3
—
° C / W
典型的4层电路板用
互连通路
T
A
T
J- MAX
T
A
T
A
-40
—
-40
-65
—
—
—
—
+125
+150
+125
+150
°C
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2012 Microchip的技术公司
DS22326A第5页
QQ：2880707522 复制
