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陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层瞬态电压抑制器，
高速系列
系列/型号：
发布日期：
2008年8月
EPCOS AG 2008.复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的
禁止所载没有爱普科斯事先明确同意信息。
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
高速系列EPCOS型号命名系统
CA
结构：
CT单芯片
镍屏障
终止
（ AgNiSn ）
CA芯片阵列
镍屏障
终止
（ AgNiSn ）
表壳尺寸：
0201 0201单芯片
0402 0402单芯片
0603 0603单芯片
04 0405阵列
05 0508阵列
06 0612阵列
每个组成元素的数量：
单芯片
有2个元素P2阵列
有4个元素P4阵列
宽容的压敏电压：
L
±15%
的特殊宽容
V特殊公差
最大RMS操作电压（V
RMS
):
14 14 V
典型的压敏电压（V
v
):
150 150 V
内部编码
高速系列
录音方式：
摹180毫米卷筒
04
P2
S
14
T
HS
G
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第28 2
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
特点
ESD保护水平累计。到ISO 10605 ，
IEC 61000-4-2第4级
双向保护
电容收视率下降到2 pF的
低插入损耗
低漏电流
无信号失真
符合RoHS标准
适用于无铅焊接
应用
用于高速数据线，如ESD保护
USB 2.0 ，火线等。
用于视频和音频线I / O端口的ESD保护
集成的解决方案为移动连接器
通信和手持设备
设计
多层技术
缺胶或环氧树脂进行封装的
阻燃等级优于UL 94 V- 0
终止（见“焊接方向” ） ：
CT和CA类型的镍挡板终端
（ AgNiSn ） ，推荐用于无铅焊接，
与锡/铅焊料兼容。
单芯片
内部电路
可用封装尺寸：
EIA
0201
0402
0603
ARRAY
内部电路
公
0603
1005
1608
2倍阵列
4倍阵列
可用封装尺寸：
EIA
0405
0508
0612
公
1014
1220
1632
VERSION
2倍阵列
4倍阵列
4倍阵列
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第28 3
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
主要技术参数
最大RMS工作电压
最大直流工作电压
接触放电ESD能力
空气放电ESD能力
最大浪涌电流
典型电容
最大钳位电压
工作温度
工作温度
储存温度
储存温度
温度降额
气候类别：
40/+85
°C
芯片尺寸0201 ， 0402
和阵列
气候类别：
55/+125
°C
芯片尺寸0603
V
RMS ，最大
V
DC ，最大
符合IEC 61000-4-2
V
ESD，接触
符合IEC 61000-4-2
V
ESD，空气
(8/20 s)
I
浪涌，最大
（ 1兆赫， 1 V）
C
典型值
(8/20 s)
V
钳，最大
0201 ， 0402和数组牛逼
op
FOR 0603
T
op
0201 ， 0402和数组牛逼
英镑
FOR 0603
T
英镑
4 ... 25
5.5 ... 32
8
15
1 ... 5
2 ... 15
59 ... 350
40/+85
55/+125
40/+125
55/+150
V
V
kV
kV
A
pF
V
°C
°C
°C
°C
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第28 4
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
电气规格和订购代码
最大额定值（T
OP ，最大
)
TYPE
订购代码
V
RMS ，最大
V
2倍阵列
CA04P2S14THSG
CA04P2V150THSG
4倍阵列
CA05P4S14THSG
CA06P4V150THSG
单芯片
CT0201S4AHSG
CT0402S14AHSG
CT0402V150HSG
CT0603S14AHSG
CT0603L25HSG
B72762A8140S160
B72762A8251V060
B72714A8140S160
B72724A8151V062
B72440T8040S160
B72590T8140S160
B72590T8151V060
B72500T8140S160
B72500T8250L060
14
14
14
14
4
14
14
14
25
V
DC ，最大
V
16
16
16
16
5.5
16
16
16
32
I
浪涌，最大
(8/20 s)
A
1
1
2
1
-
2
1
5
5
W
最大
（ ESD ）
1)
mJ
30
30
30
30
-
30
30
30
50
T
OP ，最大
°C
+85
+85
+85
+85
+85
+85
+85
+125
+125
特性（T
A
= 25
°C)
TYPE
V
五，分
（1 mA）的
V
23
-
24
-
21
23
-
23
51.9
V
V，最大
（1 mA）的
V
33
175
32
175
39
33
200
33
70.1
V
钳，最大
V
66
350
59
350
70
66
290
66
120
I
钳
C
典型值
C
最大
（ 8/20微秒） （ 1兆赫， 1 V） （ 1兆赫， 1 V）
A
pF
pF
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
3
10
3
-
10
2
15
10
15
5
15
5
10
15
3
30
15
2倍阵列
CA04P2S14THSG
CA04P2V150THSG
4倍阵列
CA05P4S14THSG
CA06P4V150THSG
单芯片
CT0201S4AHSG
CT0402S14AHSG
CT0402V150HSG
CT0603S14AHSG
CT0603L25HSG
1 ）符合IEC 61000-4-2 4级
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第28 5
陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层瞬态电压抑制器，
高速系列
系列/型号：
发布日期：
2012年11月
EPCOS AG 2012.复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的
禁止所载没有爱普科斯事先明确同意信息。
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
高速系列EPCOS型号命名系统
CA
结构：
CT单芯片
镍屏障
终止
（ AgNiSn ）
CA芯片阵列
镍屏障
终止
（ AgNiSn ）
表壳尺寸：
0201 0201单芯片
0402 0402单芯片
0603 0603单芯片
05 0508阵列
06 0612阵列
每个组成元素的数量：
单芯片
有4个元素P4阵列
宽容的压敏电压：
L
±15%
的特殊宽容
V特殊公差
最大RMS操作电压（V
RMS
):
14 14 V
典型的压敏电压（V
v
):
150 150 V
内部编码
高速系列
录音方式：
摹180毫米卷筒
04
P2
S
14
T
HS
G
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
分页： 30 2
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
特点
ESD保护水平累计。到ISO 10605 ，
IEC 61000-4-2第4级
双向保护
电容收视率下降到2 pF的
低插入损耗
低漏电流
无信号失真
符合RoHS标准
适用于无铅焊接
应用
用于高速数据线，如ESD保护
USB 2.0 ，火线等。
用于视频和音频线I / O端口的ESD保护
集成的解决方案为移动连接器
通信和手持设备
设计
多层技术
缺胶或环氧树脂进行封装的
阻燃等级优于UL 94 V- 0
终止（见“焊接方向” ） ：
CT和CA类型的镍挡板终端
（ AgNiSn ） ，推荐用于无铅焊接，
与锡/铅焊料兼容。
单芯片
内部电路
可用封装尺寸：
EIA
0201
0402
0603
ARRAY
内部电路
公
0603
1005
1608
4倍阵列
可用封装尺寸：
EIA
0508
0612
公
1220
1632
VERSION
4倍阵列
4倍阵列
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第30 3
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
主要技术参数
最大RMS工作电压
最大直流工作电压
接触放电ESD能力
空气放电ESD能力
最大浪涌电流
典型电容
最大钳位电压
工作温度
工作温度
储存温度
储存温度
温度降额
气候类别：
40/+85
°C
芯片尺寸0201 ， 0402
和阵列
气候类别：
55/+125
°C
芯片尺寸0603
V
RMS ，最大
V
DC ，最大
符合IEC 61000-4-2
V
ESD，接触
符合IEC 61000-4-2
V
ESD，空气
(8/20 s)
I
浪涌，最大
（ 1兆赫， 1 V）
C
典型值
(8/20 s)
V
钳，最大
0201 ， 0402和数组牛逼
op
FOR 0603
T
op
0201 ， 0402和数组LCT / UCT
FOR 0603
LCT / UCT
4 ... 25
5.5 ... 32
8
15
1 ... 5
2 ... 15
59 ... 350
40/+85
55/+125
40/+125
55/+150
V
V
kV
kV
A
pF
V
°C
°C
°C
°C
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第30 4
多层压敏电阻（ MLV的）
高速系列
电气规格和订购代码
最大额定值（T
OP ，最大
)
TYPE
订购代码
V
RMS ，最大
V
4倍阵列
CA05P4S14THSG
CA06P4V150THSG
单芯片
CT0201S4AHSG
CT0402S14AHSG
CT0402V150HSG
CT0603S14AHSG
CT0603L25HSG
B72714A8140S160
B72724A8151V062
B72440T8040S160
B72590T8140S160
B72590T8151V060
B72500T8140S160
B72500T8250L060
14
14
4
14
14
14
25
V
DC ，最大
V
16
16
5.5
16
16
16
32
I
浪涌，最大
(8/20 s)
A
2
1
-
2
1
5
5
W
最大
（ ESD ）
1)
mJ
30
30
-
30
30
30
50
T
OP ，最大
°C
+85
+85
+85
+85
+85
+125
+125
特性（T
A
= 25
°C)
TYPE
V
五，分
（1 mA）的
V
24
-
21
23
-
23
51.9
V
V，最大
（1 mA）的
V
32
175
39
33
200
33
70.1
V
钳，最大
V
59
350
70
66
290
66
120
I
钳
C
典型值
C
最大
（ 8/20微秒） （ 1兆赫， 1 V） （ 1兆赫， 1 V）
A
pF
pF
1
1
1
1
1
1
1
10
3
-
10
2
15
10
15
5
10
15
3
30
15
4倍阵列
CA05P4S14THSG
CA06P4V150THSG
单芯片
CT0201S4AHSG
CT0402S14AHSG
CT0402V150HSG
CT0603S14AHSG
CT0603L25HSG
1 ）符合IEC 61000-4-2 4级
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
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