陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层瞬态电压抑制器，无线电
变频系列
系列/型号：
发布日期：
2008年8月
EPCOS AG 2008.复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的
禁止所载没有爱普科斯事先明确同意信息。
多层压敏电阻（ MLV的）
射频系列
特点
超低电容收视率下降到0.6 pF的
超低直流泄露电流
低插入损耗
无信号衰减
ESD保护ACC 。符合IEC - 61000-4-2第4级
极快的响应
符合RoHS标准
适用于无铅焊接
应用
ESD保护在移动电话，手持设备
和无线局域网/笔记本电脑和外围设备：
RF天线
射频模块
高速数据线
USB 2.0和IEEE 1394接口
设计
多层技术
缺胶或环氧树脂进行封装的
阻燃等级优于UL 94 V- 0
终止（见“焊接方向” ） ：
CT型镍挡板终端（ AgNiSn ）
推荐用于无铅焊接，并
与锡/铅焊料兼容。
主要技术参数
最大RMS工作电压
最大直流工作电压
接触放电ESD能力
空气放电ESD能力
最大电容
工作温度
工作温度
储存温度
储存温度
单芯片
内部电路
可用封装尺寸：
EIA
0402
0603
公
1005
1608
符合IEC 61000-4-2
符合IEC 61000-4-2
（ 1兆赫， 1 V）
对于外壳尺寸0402
对于外壳尺寸0603
对于外壳尺寸0402
对于外壳尺寸0603
V
RMS ，最大
V
DC ，最大
V
ESD，接触
V
ESD，空气
C
最大
T
op
T
op
T
英镑
T
英镑
4 ... 14
5.5 ... 16
8
15
1 ... 5
40/+85
40/+125
40/+125
40/+150
V
V
kV
kV
pF
°C
°C
°C
°C
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
第26 3
陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层瞬态电压抑制器，无线电
变频系列
系列/型号：
发布日期：
2010年11月
EPCOS AG 2010.复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的
禁止所载没有爱普科斯事先明确同意信息。
多层压敏电阻（ MLV的）
射频系列
特点
超低电容收视率下降到0.6 pF的
超低直流泄露电流
低插入损耗
无信号衰减
ESD保护ACC 。符合IEC - 61000-4-2第4级
极快的响应
符合RoHS标准
适用于无铅焊接
应用
ESD保护在移动电话，手持设备
和无线局域网/笔记本电脑和外围设备：
RF天线
射频模块
高速数据线
USB 2.0和IEEE 1394接口
设计
多层技术
缺胶或环氧树脂进行封装的
阻燃等级优于UL 94 V- 0
终止（见“焊接方向” ） ：
CT型镍挡板终端（ AgNiSn ）
推荐用于无铅焊接，并
与锡/铅焊料兼容。
主要技术参数
最大RMS工作电压
最大直流工作电压
接触放电ESD能力
空气放电ESD能力
最大电容
工作温度
工作温度
储存温度
储存温度
单芯片
内部电路
可用封装尺寸：
EIA
0402
0603
公
1005
1608
符合IEC 61000-4-2
符合IEC 61000-4-2
（ 1兆赫， 1 V）
对于外壳尺寸0402
对于外壳尺寸0603
对于外壳尺寸0402
对于外壳尺寸0603
V
RMS ，最大
V
DC ，最大
V
ESD，接触
V
ESD，空气
C
最大
T
op
T
op
LCT / UCT
LCT / UCT
4 ... 14
5.5 ... 16
8
15
1 ... 5
40/+85
40/+125
40/+125
40/+150
V
V
kV
kV
pF
°C
°C
°C
°C
请阅读
注意事项和警告
和
重要提示
在这个文件的结尾。
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