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半导体
标识特定网络阳离子
B5A45VI
TO- 220IS包装
1.标记方法
激光打标或墨水标记。
2.标记
1
2
B5A45VI
K
016
3
设备名称
KEC
LOT号
记号
B5A45VI
K
0
016
16
描述
B5A45VI
KEC CORP 。
YEAR
0~9 : 2000~2009
16 :第16周
2008. 1. 16
版本号: 1
1/1
半导体
技术参数
开关型电源中的应用。
转换&斩波应用。
A
B5A45VI
肖特基型二极管
C
平均输出整流电流
: I
O
= 5A (TC = 115) 。
反向重复峰值电压
: V
RRM
=45V.
快速反向恢复时间:吨
rr
=35ns.
低正向峰值电压: 0.50V (典型值)。
E
G
B
P
特点
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
H
S
K
L
L
R
M
D
D
MILLIMETERS
_
10.0 + 0.3
_ 0.3
15.0 +
_
2.70 + 0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+ 0.2
_
3.0 + 0.3
_
12.0 + 0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6 + 0.5
_
3.7 + 0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54 + 0.1
_
6.8 + 0.1
_
4.5 + 0.2
_
2.6 + 0.2
0.5 TYP
F
N
N
最大额定值( TA = 25
特征
反向重复峰值电压
平均输出整流
电流(TC = 115 )
峰值一个周期正向浪涌
电流(不重复60赫兹)
结温
存储温度范围
)
符号
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
45
5
100
-40 150
-55 150
单位
V
A
A
1
2
3
J
Q
1.阴极
2. NC
3.阳极
TO-220IS
电气特性( TA = 25 )
特征
峰值正向电压
反向重复峰值电流
反向恢复时间
热阻
符号
V
FM
I
RRM
t
rr
R
日(J -C )
测试条件
I
FM
= 5A , TC = 25
V
RRM
Rated
I
F
= 1.0A ,的di / dt = -20A / S
Juction到案
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.50
-
-
-
马克斯。
0.55
0.5
35
4.5
单位
V
mA
ns
/W
2007. 5. 21
版本号: 1
1/2
B5A45VI
I
F
- V
F
50
30
100
I
R
- V
R
反向电流I
R
(MA )
正向电流I
F
(A)
T
J
=125 C
10
1.0
0.1
0.01
T
J
=150 C
T
J
=125 C
T
J
=100 C
T
J
=75 C
10
5.0
3.0
T
J
=75 C
T
J
=25 C
1.0
0.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
=25 C
0.001
0
10
20
30
40
50
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
电流降额( CASE )
平均正向电流
I
F( AV )
(A)
平均正向电流
I
F( AV )
(A)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100
110
120
130
140
150
180方波
DC
电流降额(环境)
8
施加额定电压
R
θJA
= 16℃ / W
额定电压
应用的
R
θJC
= 4.5 C / W
6
DC
R
θJA
= 60℃ / W
(无散热片)
4
180
WAVE
DC
2
0
0
40
80
120
160
壳温度( C)
环境温度T
A
( C)
正向平均功耗
P
F( AV )
(W)
P
F( AV )
- I
F( AV )
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
(阻性负载)
I
PK
π
I
AV
=
DC
180方波
平均正向电流I
F( AV )
(A)
2007. 5. 21
版本号: 1
2/2
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