片式钽电容器
低调，标准和低ESR
系列/型号：
发布日期：
B45190E / R， B45192E / R
B45194E / R， B450
2006年7月
2006 KEMET复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的
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片式钽电容器
低调，标准和低ESR
施工
极地钽电容与固态
电解质
传统TaMnO
2
技术
阻燃塑料外壳（ UL 94 V- 0 ）
镀锡端子
特点
降低高度：H
最大
= 1.2 / 1.5 / 2.0 mm
容积效率高
优良的可焊性
稳定的温度和频率特性
低漏电流，低耗散因数
低自感
高耐冲击和振动
B45190E / R， B45192E / R， B45194E / R， B450
适合使用，无需串联电阻
（推荐使用特殊的操作条件）
无铅并符合RoHS物质含量兼容
应用
电信及通讯（如手机，基础设施）
数据处理（例如膝上型计算机，大型机）
测量和控制设备（如电压调节器）
汽车电子（如导航系统，电子控制单元）
医学工程
开关模式电源具有非常高的时钟频率（ 300千赫）
DC / DC转换器
焊接
适用于回流焊接（红外和汽相，符合JEDEC J -STD - 020 C）和
波峰焊
配送方式
卷带封装，符合IEC 60286-3
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重要提示
和
注意事项和警告
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片式钽电容器
低调，标准和低ESR
尺寸图
B45190E / R， B45192E / R， B45194E / R， B450
封装：模塑环氧树脂
镍铁;镀锡表面的锡100
表壳尺寸
基美
尺寸mm （英寸）
EIA / IECQ
L
W
H
3.5
±0.2
(.138
±0.008)
6.0
±0.3
(.236
±0.012)
6.0
±0.3
(.236
±0.012)
7.3
±0.3
(.287
±0.012)
7.3
±0.3
(.287
±0.012)
2.8
±0.2
(.110
±0.008)
3.2
±0.3
(.126
±0.012)
3.2
±0.3
(.126
±0.012)
4.3
±0.3
(.169
±0.012)
4.3
±0.3
(.169
±0.012)
R
3528-12
（足迹B）
W
6032-15
（足迹C）
U
6032-20
（足迹C）
X
7343-15
（足迹D）
V
7343-20
（足迹D）
W
2
±0.1
±(.004)
1.2 MAX
3.5
2.2
（最大值0.047 ）（ 0.138 ） （ 0.087 ）
L
2
典型值。
1.5 MAX
5.9
2.2
（ .059最大值） （ 0.232 ） （ 0.087 ）
2.0 MAX
6.1
2.2
（ .079最大值） （ 0.240 ） （ 0.087 ）
1.5 MAX
7.2
2.4
（ .059最大值） （ 0.283 ） （ 0.094 ）
2.0 MAX
7.3
2.4
（ .079最大值） （ 0.287 ） （ 0.094 ）
H
2
典型值。
P
±0.3
±(.012)
1.0
0.8
(.039) (.031)
1.3
1.3
(.051) (.051)
1.8
1.3
(.071) (.051)
1.3
1.3
(.051) (.051)
1.7
1.3
(.067) (.051)
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和
注意事项和警告
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第16页3
片式钽电容器
低调，标准和低ESR
记号
表壳大小为R
B45190E / R， B45192E / R， B45194E / R， B450
外形尺寸W， U， X，V
电容编码
第1和第2位
第三个数字
电容的单位为pF
事半功倍：
6 = 10
6
pF
7 = 10
7
pF
8 = 10
8
pF
日期编码
YEAR
S = 2004
T = 2005
U = 2006
V = 2007
W = 2008
X = 2009
MONTH
1 =一月
2 =二月
3月=
4月=
5月=
6月=
7月=
8月=
9月=
O =十月
N =十一月
D =月
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低调，标准和低ESR
B45190E / R， B45192E / R， B45194E / R， B450
规格与特性标准和低ESR系列简单
系列
订购代码
LowProfile ，
标准
B45190E,
B45192E,
B45194E
TA- MnO的
2
听装
（最多85
°C)
(20
°C,
120赫兹）
(20
°C,
100千赫）
(20
°C,
100千赫）
V
R
C
R
Z
最大
ESR
最大
T
op
（在40
°C; ≤
V
R
,
R
S
≥
3
/V)
≤8
≤24
（在40
°C; ≤
V
R
,
R
S
≤
0.1
/V)
≤40
≤288
(V
R
，5分钟， 20
°C)
（镀锡端子）
( 55
°C/+125 °C/56
天湿热试验）
I
泄漏
>500000
10
CECC
30801-802
55/125/56
CECC
30801-805
h
NA / ℃，
FIT
55 ... +125
4 ... 35
6.8 ... 470
±20%, ±10%
0.3 ... 4.0
100 ... 1500 m
°C
FIT
4 ... 35
6.8 ... 470
VDC
F
LowProfile ，
低ESR
B45190R,
B45192R,
B45194R,
B450
技术
码头
额定电压
额定容量
电容容差
最大阻抗
最大等效串联
阻力
工作温度范围
故障率
（适合1 = 1 10
-9
故障/ h）的
C
R
V
R
≤
330
F
V
C
R
V
R
> 330
F
V
故障率
（适合1 = 1 10
-9
故障/ h）的
C
R
V
R
≤
330
F
V
C
R
V
R
> 330
F
V
使用寿命
漏电流
详细规范。
气候类别
（符合IEC 60068-1 ）
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参考： QOD -510
客户变更通知
钽贴片的MnO
2
埃武拉淘汰
发布日期：
01-11-2012
受影响的产品
身份证号码（ MMDDYY ） ：
CCN-01112012CMC
所有KEMET钽表面贴装（ SMD ）二氧化锰（ MnO的
2
）系列产于葡萄牙埃武拉：
SMD钽二氧化锰
基美命名
T491
T495
T498
T499
T510
T_xxxx
变化
Evora的定位
老爱普科斯命名
B45196E / H B45194E ， B45192E ， B45190E
B45197A / R B45194R ， B45192R ， B45190R ，
B45196/7L
B45196P
B45196T
B45396R
B45xxxS特殊部位类型
ON 1
st
2012年11月Kemet公司将开始制造的整合对所有钽表面
设备安装与MnO的
2
反电极马塔莫罗斯现有KEMET生产基地
维多利亚和墨西哥。
这种变化会影响所有钽贴片的MnO
2
目前在KEMET的葡萄牙埃武拉制造的产品
设施。
理由和
好处
在墨西哥的地点制造过程中的整合将允许Kemet的优化
资源（设备和人工电源），并提供一个联络点，相关的所有要求
MNO
2
技术。这种整合允许KEMET采取从所有地点的最佳实践
为客户提供质量更好的工艺/产品。
在转型过程中Kemet公司将为变化提供必要的支持（重
资质要求，安全过渡的股票， ... ）
生效日期
st
st
在整合过程starts1十一月2012年2013年3月31日有效截止日期。
和鉴定
联系
克里斯蒂娜·莫塔卡埃塔诺
TA BG技术产品市场总监
KEMET电子公司（ www.kemet.com ）
电话： +351 96 330 84 59
电子信箱：
cristinacaetano@kemet.com
KEMET专有信息
所有内容不被未经KEMET电子公司的明确书面许可，共享。
1
第1页1
P.O.盒5928 ，格林维尔，南卡罗来纳州29606 U.S.A.
电话： 864.963.6300传真： 864.963.6521
QQ：2880707522 复制
