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多层陶瓷电容器
X8R
订货代码系统
芯片
B37541
K
5
102
K
0
60
包装
60
62
70
72
^
^
^
^
纸板胶带, 180毫米卷筒
吸塑带, 180毫米卷筒
纸板胶带, 330毫米卷筒
吸塑带, 330毫米卷筒
内部编码
电容容差
J
^
±
5%
K
^
±
10 % (标准)
M
^
±
20 %
电容,
CODED
(例)
102
^
10 · 10
2
PF = 1 nF的
103
^
10 · 10
3
PF = 10nF的
额定电压
额定电压[伏]
CODE
50
5
终止
标准:
要求:
K
^
镍屏障对所有尺寸的情况下,
J
^
银钯导电粘合于所有尺寸的情况下,
类型和尺寸
芯片尺寸
(英寸/毫米)
0603
/ 1608
0805 /
2012
1206 /
3216
1210 /
3225
温度特性
X8R
B37531
B37541
B37472
B37550
70
10/02
多层陶瓷电容器
X8R
特点
芯片
较宽的温度范围可达150
°
C
容积效率高
非线性电容变化
绝缘电阻高
高脉冲强度
应用
汽车
闭塞
耦合
脱钩
干扰抑制
终止
焊接:镍挡板终端(镍)
选项
可应要求提供替代电容公差
配送方式
纸板和吸塑带(吸塑带芯片厚度
1,2
±
0.1毫米,外壳尺寸1210 )
180毫米和330毫米的卷筒可
电气数据
温度特性
气候类别( IEC 60068-1 )
标准
电介质
额定电压
1)
测试电压
电容范围/ E系列
马克斯。相对电容变化
耗散因子(极限值)
绝缘电阻
2)
在+ 25
°
C
绝缘电阻
2)
在125
°
C
时间常数
2)
在+ 25
°
C
时间常数
2)
在125
°
C
工作温度范围
老龄化
3)
X8R
55/150/56
EIA
2级
50
2,5 ·
V
R
/5 s
100 pF的... 150 NF( E6 )
±
15
< 25 · 10
–3
& GT ; 10
5
& GT ; 10
4
& GT ; 1000
& GT ; 100
–55 … +150
是的
V
R
V
TEST
C
R
D
C/C
黄褐色
d
R
插件
R
插件
t
t
T
op
VDC
VDC
%
M
W
M
W
s
s
°
C
1 )注意:在AC线路无操作。
2)为
C
R
> 10 nF的时间常数
t
=
C
·
R
插件
给出。
3 )请参阅章节“一般技术信息” , 197页。
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X8R
多层陶瓷电容器
X8R
电容公差
码书
公差
J
K
M
(标准)
±
5%
±
10%
±
20%
尺寸图
b
s
s
k
k
k
KKE0272-V
k
KKE0329-N
外形尺寸(mm )
表壳尺寸
l
b
s
k
(英寸)
(mm)
0603
1608
1,6
±
0,15
0,8
±
0,10
0,8
±
0,10
0,1 – 0,4
0805
2012
2,0
±
0,20
1,25
±
0,15
1,30最大。
0,13 – 0,75
1206
3216
3,2
±
0,20
1,6
±
0,15
1,30最大。
0,25 – 0,75
1210
3225
3,2
±
0,30
2,5
±
0,30
1,30最大。
0,25 – 0,75
公差CECC 32101-801
72
10/02
多层陶瓷电容器
X8R
推荐焊盘
D
X8R
C
A
KKE0308-1
最大外形尺寸(mm )
表壳尺寸
(英寸/毫米)
0603/1608
0805/2012
1206/3216
1210/3225
终止
陶瓷坯体
TYPE
单芯片
单芯片
单芯片
单芯片
A
1,0
1,2
1,2
1,2
C
3,0
3,4
4,5
4,5
D
1,0
1,3
1,8
2,8
终止
(镍阻挡层)
内电极
银钯
基板电极
中间电极
外部电极
Ag
Ni
Sn
KKE0484-W
73
10/02
X8R
多层陶瓷电容器
X8R
产品系列贴片电容
X8R
SIZE
1)
mm
TYPE
V
R
( VDC)的
C
R
100
150
220
330
470
680
pF
pF
pF
pF
pF
pF
0603
1608
B37531
50
50
0805
2012
B37541
50
1206
3216
B37472
50
1210
3225
B37550
1,0 nF的
1,5 nF的
2,2 nF的
3,3 nF的
4,7 nF的
6,8 nF的
10
15
22
33
47
68
100
150
nF
nF
nF
nF
nF
nF
nF
nF
1)
l
b
(英寸) /
l
b
(mm)
74
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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