线性湾
激励线性电源
N沟道DMOS FET开关
高增益电平转换器
B3520/B3540
系列
描述
在B3520系列包括增强型
专为高速低干扰开关MOSFET
在音频，视频，和高频无线
应用程序。的CT3520被优化为高速
驱动程序。与源反馈电阻就可以使用的
高速LED驱动器。
在B3520系列采用线性湾ULTRA REL DMOS
过程的可靠性和强大的性能。
这些MOSFET采用横向结构来实现
低电容和超快速开关速度。一
集成的齐纳二极管提供ESD保护。
特点
低电容 - 0.3pF典型
低门槛 - <1.5V最大
快速开关 - ton<1ns
CMOS和TTL兼容输入
应用
LED驱动器
电平转换
开关驱动器
VHF / UHF放大器
引脚连接
SOT- 143封装
前导码识别
（ TOP VIEW ）
订购信息
包
SOT-143
SOT-143
产品型号
B3520K4 -X.X
B3540K4-XX
体
基板
1
4
门
来源
2
3
漏
湾线性，公司
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
www.baylinear.com
B3520/B3540
电气规格（ TC = + 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源
击穿
电压
源极 - 漏极
击穿
电压
漏极
基板
击穿
电压
源 -
基板
击穿
电压
漏源
泄漏
源 -
漏
泄漏
栅极泄漏
门
门槛
电压
漏源
ON
阻力
符号
BVDS
BVSD
测试条件
ID = 1 μA
VGS=VBS=0
IS = 50 nA的
VGD=VBD=-5
ID = 50 nA的， VGB = 0
源代码开放
I
D
= 10 μA ， VGB = 0
开漏
V
GS / BS
=-5
V
GS
/
BS
=0
V
GD / BS
=-5
V
GS / BS
=0
V
DB / SB
= 0
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
GS
=20V
0.3
1
0.7
140
40
10
1.5
175
60
0.3
民
15
10
B3520
典型值
25
15
最大
民
15
B3540
典型值
25
最大
单位
V
V
BVDB
10
15
V
B
VSB
10
15
1
1
50
0.1
50
0.1
1
0.7
140
40
1
10
1.5
175
60
1
V
nA
A
nA
A
A
V
欧姆
欧姆
湾线性，公司
STATIC
I
D（ OFF
)
IS
（关
)
I
GBS
V
GS
（ TH ）
r
DS （ ON）
V
DS
=V
GS
ID = 1 μA
V
SB
=0
ID = 1毫安
V
SB
= 0V
V
GS
=2.4V
V
GS
=4.5V
参数
共源
前锋
跨
符号
测试条件
V
DS
= 10V
I
D
= 20mA下
F = 1MHz时， VSB = 0
脉冲
民
14
B3520
典型值
18
4.5
2.0
5.5
0.3
0.7
0.8
1.5
最大
民
14
B3540
典型值
18
4.5
2.0
5.5
0.3
0.7
0.8
1.5
最大
单位
政府飞行服务队
V
6.0
3.0
7.0
0.5
1.0
1.0
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
门节点
C（ GS + GD + GB）
电容
漏极节点
C（ GD + DB ）
V
DS
= 10V
电容
V
GS
=V
BS
= -15V
源节点
F = 1MHz的
C（ GS + SB ）
电容
反向传输
C（ DG ）
电容
开启延迟
V∞= 10V
TD （上）
时间
VG （ ON） = 10V
上升时间
tr
R
L
= 680
R
G
= 51
延时关闭
TD （关闭）
C
L
=取1.5pF
时间
6.0
3.0
7.0
0.5
1.0
1.0
动态
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
www.baylinear.com
B3520
开关时间测试电路
To
范围
+V
DD
510
R
L
V
OUT
To
范围
V
IN
51
输入脉冲：吨
d
, t
r
< 1ns的
脉冲宽度： 100纳秒
重复频率： 1 MHz的
采样示波器
T
r
< 360 PS
R
IN
= 1 M
C
IN
= 2 pF的
BW = 500 MHz的
+5 V
V
IN
0V
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
50%
V
DD
V
OUT
0V
t
f
50%
10%
t
f
湾线性，公司
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
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B3520
绝对最大额定值，T
c
= +25°C
参数
单位
绝对最大
[1]
SOT-143
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
连续漏电流
功耗锝= 25
线性降额因子
结温
储存温度
V
V
V
mA
mW
毫瓦/ C
°C
°C
+15
-0.3 / +20
-0.3 / +20
50
300
3
-55到+125
-55到+125
注意事项：
1.
2.
操作中过量的这些条件下，可能会导致在任一
对设备造成永久性损坏
T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在该温度下
封装引脚，其中的接触是由至电路板。
ESD警告：处理应采取预防措施，防止静电放电。
推进信息 -
这些数据表包含了正在开发中的产品说明。的规格是基于工程计算，
计算机模拟和/或最初的原型评估。
初步信息 -
这些数据表包含被基于所述初始设备表征的最小和最大规格。这些限制是
受试者在完成充分表征的经改变在特定的温度和电源电压范围。
应用电路的实施例仅解释本装置的有代表性的应用程序和不旨在保证任何电路
设计或允许任何工业产权，以执行其他权利。湾线性花费与任何任何问题概不负责
工业产权与使用中的数据显示书中的内容产生。典型参数可以做不同在不同的
应用程序。客户的技术专家必须验证所有的运行参数，包括“典型”为每一个客户应用程序。
生活配套的核政策
湾线性产品不授权，不应该在其中用于外科生命支持系统中使用
植入体进入人体后，以支持或维持生命，飞机，航天设备，潜艇，或核设施应用，而不
湾线性总统的明确书面同意。
湾线性，公司
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
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线性湾
激励线性电源
N沟道DMOS FET开关
高增益电平转换器
B3520/B3540
系列
描述
在B3520系列包括增强型
专为高速低干扰开关MOSFET
在音频，视频，和高频无线
应用程序。的CT3520被优化为高速
驱动程序。与源反馈电阻就可以使用的
高速LED驱动器。
在B3520系列采用线性湾ULTRA REL DMOS
过程的可靠性和强大的性能。
这些MOSFET采用横向结构来实现
低电容和超快速开关速度。一
集成的齐纳二极管提供ESD保护。
特点
低电容 - 0.3pF典型
低门槛 - <1.5V最大
快速开关 - ton<1ns
CMOS和TTL兼容输入
应用
LED驱动器
电平转换
开关驱动器
VHF / UHF放大器
引脚连接
SOT- 143封装
前导码识别
（ TOP VIEW ）
订购信息
包
SOT-143
SOT-143
产品型号
B3520K4 -X.X
B3540K4-XX
体
基板
1
4
门
来源
2
3
漏
湾线性，公司
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
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B3520/B3540
电气规格（ TC = + 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源
击穿
电压
源极 - 漏极
击穿
电压
漏极
基板
击穿
电压
源 -
基板
击穿
电压
漏源
泄漏
源 -
漏
泄漏
栅极泄漏
门
门槛
电压
漏源
ON
阻力
符号
BVDS
BVSD
测试条件
ID = 1 μA
VGS=VBS=0
IS = 50 nA的
VGD=VBD=-5
ID = 50 nA的， VGB = 0
源代码开放
I
D
= 10 μA ， VGB = 0
开漏
V
GS / BS
=-5
V
GS
/
BS
=0
V
GD / BS
=-5
V
GS / BS
=0
V
DB / SB
= 0
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
GS
=20V
0.3
1
0.7
140
40
10
1.5
175
60
0.3
民
15
10
B3520
典型值
25
15
最大
民
15
B3540
典型值
25
最大
单位
V
V
BVDB
10
15
V
B
VSB
10
15
1
1
50
0.1
50
0.1
1
0.7
140
40
1
10
1.5
175
60
1
V
nA
A
nA
A
A
V
欧姆
欧姆
湾线性，公司
STATIC
I
D（ OFF
)
IS
（关
)
I
GBS
V
GS
（ TH ）
r
DS （ ON）
V
DS
=V
GS
ID = 1 μA
V
SB
=0
ID = 1毫安
V
SB
= 0V
V
GS
=2.4V
V
GS
=4.5V
参数
共源
前锋
跨
符号
测试条件
V
DS
= 10V
I
D
= 20mA下
F = 1MHz时， VSB = 0
脉冲
民
14
B3520
典型值
18
4.5
2.0
5.5
0.3
0.7
0.8
1.5
最大
民
14
B3540
典型值
18
4.5
2.0
5.5
0.3
0.7
0.8
1.5
最大
单位
政府飞行服务队
V
6.0
3.0
7.0
0.5
1.0
1.0
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
门节点
C（ GS + GD + GB）
电容
漏极节点
C（ GD + DB ）
V
DS
= 10V
电容
V
GS
=V
BS
= -15V
源节点
F = 1MHz的
C（ GS + SB ）
电容
反向传输
C（ DG ）
电容
开启延迟
V∞= 10V
TD （上）
时间
VG （ ON） = 10V
上升时间
tr
R
L
= 680
R
G
= 51
延时关闭
TD （关闭）
C
L
=取1.5pF
时间
6.0
3.0
7.0
0.5
1.0
1.0
动态
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
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To
范围
+V
DD
510
R
L
V
OUT
To
范围
V
IN
51
输入脉冲：吨
d
, t
r
< 1ns的
脉冲宽度： 100纳秒
重复频率： 1 MHz的
采样示波器
T
r
< 360 PS
R
IN
= 1 M
C
IN
= 2 pF的
BW = 500 MHz的
+5 V
V
IN
0V
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
50%
V
DD
V
OUT
0V
t
f
50%
10%
t
f
湾线性，公司
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
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c
= +25°C
参数
单位
绝对最大
[1]
SOT-143
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
连续漏电流
功耗锝= 25
线性降额因子
结温
储存温度
V
V
V
mA
mW
毫瓦/ C
°C
°C
+15
-0.3 / +20
-0.3 / +20
50
300
3
-55到+125
-55到+125
注意事项：
1.
2.
操作中过量的这些条件下，可能会导致在任一
对设备造成永久性损坏
T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在该温度下
封装引脚，其中的接触是由至电路板。
ESD警告：处理应采取预防措施，防止静电放电。
推进信息 -
这些数据表包含了正在开发中的产品说明。的规格是基于工程计算，
计算机模拟和/或最初的原型评估。
初步信息 -
这些数据表包含被基于所述初始设备表征的最小和最大规格。这些限制是
受试者在完成充分表征的经改变在特定的温度和电源电压范围。
应用电路的实施例仅解释本装置的有代表性的应用程序和不旨在保证任何电路
设计或允许任何工业产权，以执行其他权利。湾线性花费与任何任何问题概不负责
工业产权与使用中的数据显示书中的内容产生。典型参数可以做不同在不同的
应用程序。客户的技术专家必须验证所有的运行参数，包括“典型”为每一个客户应用程序。
生活配套的核政策
湾线性产品不授权，不应该在其中用于外科生命支持系统中使用
植入体进入人体后，以支持或维持生命，飞机，航天设备，潜艇，或核设施应用，而不
湾线性总统的明确书面同意。
湾线性，公司
2418年阿姆斯特朗街，利弗莫尔，CA 94550电话： （ 925 ） 606-5950 ，传真： （ 925 ） 940-9556
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