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B352F110T30
BCM
TM
总线转换器
352 V至11 V V I晶片
TM
变流器
300瓦( 450瓦1毫秒)
高密度 - 高达1017 W /中
3
占地面积小 - 260
W /中
2
低体重 - 0.5盎司(15克)
ZVS / ZCS正弦隔离
振幅转换器
典型效率95 %
125 ° C温度范围(T
J
)
<1微秒的瞬态响应
>3500000小时MTBF
无需输出滤波
VIN = 330 - 365 V
VOUT = 10.3 - 11.4 V
IOUT = 27.3一
K = 1/32
狂胜= 15.0 mΩ以下
产品说明
在V I晶片母线转换模块是一种高效率
( >95 % ) ,窄范围输入正弦振幅转换器
( SAC )从330到365伏主总线操作来
提供一个隔离的低压辅助( ELV ) 。
离线BCM提供了一种分离10.3 -11.4 V
配电母线,是理想的银盒子和使用
PFC前端。由于快速的响应时间和低
BCM的噪声,需要有限的生命铝
在POL的输入电解电容或钽电容
转换器是缩减或消除,从而导致
节省电路板面积,材料和系统总成本。
BCM的实现了1017 W上的功率密度/中
3
in
一个V I晶片封装与标准兼容的接机和 -
放置和表面安装装配工艺。该
V I晶片方案提供了灵活的热管理
通过低结到外壳和结对板
热阻。由于它的高转化率
效率和安全的工作温度范围,则
BCM不需要在典型的离散散热器
应用程序。超低的结到外壳及结到引线
热阻抗,保证低结温
和生活在最恶劣的环境下长时间。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
电脑-IN
+ OUT到-OUT
隔离电压
输出电流
峰值输出电流
输出功率
峰值输出功率
外壳温度
工作结温
(1)
储存温度
注意:
(1)引用结被定义为具有最高温度的半导体。
该温度是由一个关断比较监测。
-1.0到400
500
-0.3 7.0
-0.5至16.0
4,242
30.4
41.0
300
450
225
-40至125
-40至125
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
A
A
W
W
°C
°C
°C
笔记
为100毫秒
输入到输出
连续
对于1毫秒
连续
对于1毫秒
在回流MSL 5
T-级
T-级
零件编号
B
总线转换器
模块
352
输入电压
代号
F
110
输出电压
代号
(=V
OUT
x10)
T
30
输出功率
代号
(=P
OUT
/10)
CON组fi guration
F = J引线
T为通孔
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储操作(T
J
)
T
-40 to125 -40 to125
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V I晶片母线转换模块
B352F110T30
2.2版
第12页1
特定网络阳离子
输入
(条件是在352输入电压,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入欠压开启
输入欠压关断
输入过压开启
输入过压关断
输入静态电流
浪涌电流过冲
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
内部输入电感
推荐的外部输入电容
1.2
0.2
0.9
400
4.3
0.2
5
2
7.0
V I晶片母线转换模块
330
典型值
352
最大
365
1
325
315
399
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
A
ADC
毫安P-P
W
F
nH
F
275
366
PC低
使用测试电路在图20中;见图1
使用测试电路在图20中;参见图4
200 nH的最大源极电感;见图20
输入波形
图1
- 在满负荷浪涌瞬态电流和输入电压352与PC机
启用
图2
- 输出电压的导通与PC的波形在满负荷启用
352输入电压
科幻gure 3
- 输出电压的导通波形与输入端导通,在全
负载和输入电压352
图4
- 输入反映在满负载和输入电压352纹波电流
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V I晶片母线转换模块
B352F110T30
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第12页2
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
产量
(条件是在352输入电压,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输出电压
输出功率
额定直流电流
重复峰值功率
当前股价精度
效率
半载
满载
内部输出电感
内部输出电容
负载电容
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
10 μF旁路电容
短路保护设定点
平均短路电流
有效开关频率
线路调整
K
负载调整率
R
OUT
瞬态响应
电压过冲
响应时间
恢复时间
输出过冲
输入打开,在
PC ENABLE
输出开启延迟
从应用的功率
从PC引脚释放
38.0
3.3
0.0309
0.18
3.4
1/32
12.2
115
200
1
0
0
750
160
3.5
0.0316
15.0
m
mV
ns
s
mV
mV
ms
ms
100 %负载阶跃;请参阅图10和11
请参阅图10和11
请参阅图10和11
无输出滤波器;见图3
无输出滤波器;参见图2
无输出滤波器;见图3
无需输出滤波器
93.5
94.3
5
95.8
95.5
1.1
31
1,200
11.4
200
13
400
10.3
9.91
0
0
典型值
最大
11.4
11.0
300
30.4
450
10
单位
VDC
VDC
W
ADC
W
%
%
%
nH
F
F
VDC
mV的P-P
mV的P-P
ADC
A
兆赫
空载
满载
330 - 365 V
IN
P
OUT
≤300
W
最大脉冲宽度为1ms ,最大占空比10% ,
基准电源50 %
见并联运行第11页
参见图5
参见图5
有效值
参见图7和9
参见图8
模块将关闭
每相固定, 1.7兆赫
VOUT = K V
IN
在无负载
输出波形
效率与输出功率
98
16
功耗
功耗( W)
14
12
10
8
6
4
2
96
效率(%)
94
92
90
88
86
84
82
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
输出功率( W)
输出功率( W)
图6
- 功率耗散作为输出功率的函数
图5
- 效率与输出功率352输入电压
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特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
图7
- 输出电压纹波在满载和352 Vin的,没有任何
外部旁路电容。
图8
- 输出电压纹波在满载和352 Vin的10 μF
陶瓷外部旁路电容和20 nH的分布电感。
纹波与输出功率
210
输出纹波( mVpk -PK )
180
150
120
90
60
30
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
输出功率( W)
图9
- 输出电压纹波与输出功率在352 Vin的,没有任何
外部旁路电容。
图10
- 0 -27.3带有2 μF的输入电容和负载阶跃无
输出电容器。
图11
- 27.3- 0与2 μF输入电容器和无输出端的负载阶跃
电容。
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特定网络阳离子
一般
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
绝缘特性
电压
电容
阻力
机构认证
机械
重量
尺寸
宽度
高度
(续)
V I晶片母线转换模块
典型值
3.5
最大
单位
MHrs
VDC
pF
M
25 ° C, GB
输入到输出
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950-1 , EN 60950-1
低电压指令
见机械制图,图15 - 18
4,242
500
10
cTUVus等
CE标志
RoHS指令
0.53 /15
1.28 / 32,5
0.87 / 22
0.265 / 6,73
125
130
9.3
1.1
2.1
135
盎司/克
在/毫米
在/毫米
在/毫米
°C
WS / ℃,
° C / W
° C / W
结温
过温关闭
热容量
结到外壳的热阻(R
θJC
)
结到电路板的热阻抗(R
θJB
)
辅销
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
主控制( PC )
直流电压
模块禁止电压
模块使能电压
电流限制
启用延迟时间
关闭延迟时间
2.4
4.8
2.4
典型值
5.0
2.5
2.5
2.5
160
20
最大
5.2
2.6
2.9
单位
VDC
VDC
VDC
mA
ms
s
唯一来源
参见图12 ,时间由PC低输出低电平
图12
— V
OUT
在满负荷与个人电脑禁用
图13
- 电脑故障期间,信号
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V I晶片母线转换模块
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