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初步
V I晶片母线转换模块
BCM
V I晶片 - BCM
母线转换模块
TM
B352F110T24
352 V至11.0 V V I晶片转换器
240瓦( 360瓦1毫秒)
高密度 - 高达876 W /中
3
占用空间小 - 210 W /中
2
低体重 - 0.5盎司(14克)
ZVS / ZCS分离正弦
振幅转换器
典型效率95 %
125°C操作
<1微秒的瞬态响应
>2600000小时MTBF
无需输出滤波
VIN = 330 - 365 V
VOUT = 10.3 - 11.4 V
IOUT = 21.8一
K = 1/32
狂胜= 15.0 mΩ以下
实际尺寸
产品说明
在V I晶片母线转换模块( BCM )是一种高
效率( >95 % ) ,窄范围输入正弦振幅
转换器( SAC )从330到365 VDC工作
主总线,提供一个独立的低电压二次。
离线BCM提供了一种分离10.3 -11.4 V
配电母线,是理想的银盒子和使用
PFC前端。由于快速的响应时间和低
BCM的噪声,需要有限的生命铝
在POL的输入电解电容或钽电容
转换器是缩减或消除,从而导致
节省电路板面积,材料和系统总成本。
BCM的实现了876 W上的功率密度/中
3
in
一个V I晶片封装与标准兼容的接机和 -
放置和表面安装装配工艺。在V I
芯片封装提供了灵活的热管理
通过低结到外壳和结对板
热阻。由于它的高转化率
效率和安全的工作温度范围,则
BCM不需要在典型的离散散热器
应用程序。超低的结到外壳和交界处领导
热阻抗,保证低结温
和生活在最恶劣的环境下长时间。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
电脑-IN
+ OUT到-OUT
隔离电压
输出电流
峰值输出电流
输出功率
峰值输出功率
外壳温度
工作结温
(1)
储存温度
-1.0到400
500
-0.3 7.0
-0.5至16.0
4,242
24.1
32.7
240
360
208
-40至125
-55至125
-40至150
-65到150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
A
A
W
W
°C
°C
°C
°C
°C
笔记
为100毫秒
输入到输出
连续
对于1毫秒
连续
对于1毫秒
在回流
牛逼 - 级
米 - 级
牛逼 - 级
米 - 级
注意:
(1)引用结被定义为具有最高温度的半导体。
该温度是由一个关断比较监测。
零件编号
B
总线转换器
模块
352
输入电压
代号
F
110
输出电压
代号
(=V
OUT
x10)
T
24
输出功率
代号
(=P
OUT
/10)
CON组fi guration
(图15)
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储
操作
T
-40至150 -40 to125
M
-65至150 -55 to125
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V I晶片母线转换模块
B352F110T24
修订版1.1
分页: 13 1
初步
特定网络阳离子
输入
(条件是在352输入电压,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入欠压开启
输入欠压关断
输入过压开启
输入过压关断
输入静态电流
浪涌电流过冲
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
内部输入电感
推荐的外部输入电容
V I晶片母线转换模块
330
典型值
352
最大
365
1
325
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
VDC
275
370
395
1.2
0.2
0.7
610
4.9
0.25
5
2
7.0
VDC
mA
A
ADC
毫安P-P
W
F
nH
F
PC低
使用测试电路在图25中;见图1
使用测试电路在图25中;参见图4
200 nH的最大源极电感;见图25
输入波形
图1-
浪涌瞬态电流在满负载和输入电压352与PC机
启用
图2-
在满负荷使输出电压的导通波形与PC
352输入电压
图3-
输出电压的导通波形与输入开启全
负载和输入电压352
图4 ?
输入反射纹波电流在满负载和输入电压352
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V I晶片母线转换模块
B352F110T24
修订版1.1
分页: 13 2
初步
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
产量
(条件是在352输入电压,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输出电压
输出功率
额定直流电流
重复峰值功率
当前股价精度
效率
半载
满载
内部输出电感
内部输出电容
负载电容
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
10 μF旁路电容
短路保护设定点
平均短路电流
有效开关频率
线路调整
K
负载调整率
R
OUT
瞬态响应
电压过冲
响应时间
恢复时间
输出过冲
输入打开,在
PC ENABLE
输出开启延迟
从应用的功率
从PC引脚释放
30.0
3.3
0.0309
0.12
3.5
1/32
11.0
46
200
1
0
0
800
250
3.7
0.0316
15.0
mV
ns
s
mV
mV
ms
ms
100 %负载阶跃;请参阅图10和11
请参阅图10和11
请参阅图10和11
无输出滤波器;见图3
无输出滤波器;参见图2
无输出滤波器;见图3
无需输出滤波器
94.5
94.7
5
95.6
95.8
1.1
31
1,000
11.6
240
14
300
10.3
9.99
0
0
典型值
最大
11.4
11.1
240
24.1
360
10
单位
VDC
VDC
W
ADC
W
%
%
%
nH
F
F
VDC
mV的P-P
mV的P-P
ADC
A
兆赫
空载
满载
330 - 365 V
IN
P
OUT
≤240
W
最大脉冲宽度为1ms ,最大占空比10% ,
基准电源50 %
见并联运行的第9页
参见图5
参见图5
有效值
参见图7和9
参见图8
模块将关闭
每相固定, 1.75 MHz的
VOUT = K V
IN
在无负载
输出波形
效率与输出功率
100
13
功耗
功耗( W)
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
98
96
效率(%)
94
92
90
88
86
84
82
80
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
输出功率( W)
图5
效率与输出功率352输入电压
输出功率( W)
图6功率
耗散作为输出功率的函数
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修订版1.1
第13 3
初步
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
图7-
输出电压纹波在满载和352 Vin的;没有任何
外部旁路电容。
图8的输出
电压纹波在满载和352 Vin的10 μF
陶瓷外部旁路电容和20 nH的分布电感。
纹波与输出功率
236
216
输出纹波(MV )
196
176
156
136
116
96
76
56
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240
输出功率( W)
图9-
输出电压纹波与输出功率在352 Vin的,没有任何
外部旁路电容。
图10
0 -21.8带有2 μF的输入电容和负载阶跃无
输出电容器。
图11 ?
21.8- 0与2 μF的输入电容载荷步。
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修订版1.1
第13 4
初步
特定网络阳离子
一般
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
绝缘特性
电压
电容
阻力
机构认证(待定)
力学参数
重量
尺寸
宽度
高度
0.50 / 14
1.26 / 32
0.87 / 22
0.25 / 6,2
盎司/克
在/毫米
在/毫米
在/毫米
(续)
V I晶片母线转换模块
典型值
2.6
最大
单位
MHrs
VDC
pF
25 ° C, GB
输入到输出
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950 , EN 60950
低电压指令
见机械制图,图15
4,242
500
10
cTUVus等
CE标志
辅销
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
主控制( PC )
直流电压
模块禁止电压
模块使能电压
电流限制
启用延迟时间
关闭延迟时间
4.8
2.4
2.4
典型值
5.0
2.5
2.5
2.5
250
20
最大
5.2
2.6
2.9
单位
VDC
VDC
VDC
mA
ms
s
唯一来源
参见图12 ,时间由PC低输出低电平
图12-
V
OUT
在满负荷与个人电脑禁用
图13 ?
故障期间, PC信号
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V I晶片母线转换模块
B352F110T24
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第13个5
B352F110T24
BCM
TM
总线转换器
352 V至11 V V I晶片
TM
变流器
240瓦( 360瓦1毫秒)
高密度 - 高达813 W /中
3
占地面积小 - 210
W /中
2
低体重 - 0.5盎司(15克)
ZVS / ZCS正弦隔离
振幅转换器
典型效率95 %
125 ° C温度范围(T
J
)
<1微秒的瞬态响应
>2600000小时MTBF
无需输出滤波
VIN = 330.0 - 365 V
VOUT = 10.3 - 11.4 V
IOUT = 21.8一
K = 1/32
狂胜= 15.0 mΩ以下
产品说明
在V I晶片母线转换模块是一种高效率
( >95 % ) ,窄范围输入正弦振幅转换器
( SAC )从330.0到365伏主总线操作来
提供一个隔离的低压辅助( ELV ) 。
离线BCM提供了一种分离10.3 -11.4 V
配电母线,是理想的银盒子和使用
PFC前端。由于快速的响应时间和低
BCM的噪声,需要有限的生命铝
在POL的输入电解电容或钽电容
转换器是缩减或消除,从而导致
节省电路板面积,材料和系统总成本。
BCM的实现了813 W上的功率密度/中
3
in
一个V I晶片封装与标准兼容的接机和 -
放置和表面安装装配工艺。该
V I晶片方案提供了灵活的热管理
通过低结到外壳和结对板
热阻。由于它的高转化率
效率和安全的工作温度范围,则
BCM不需要在典型的离散散热器
应用程序。超低的结到外壳及结到引线
热阻抗,保证低结温
和生活在最恶劣的环境下长时间。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
电脑-IN
+ OUT到-OUT
隔离电压
输出电流
峰值输出电流
输出功率
峰值输出功率
外壳温度
工作结温
(1)
储存温度
注意:
(1)引用结被定义为具有最高温度的半导体。
该温度是由一个关断比较监测。
-1.0到400
500
-0.3 7.0
-0.5至16.0
4,242
24.1
32.7
240
360
225
-40至125
-40至125
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
A
A
W
W
°C
°C
°C
笔记
为100毫秒
输入到输出
连续
对于1毫秒
连续
对于1毫秒
在回流MSL 5
T-级
T-级
零件编号
B
总线转换器
模块
352
输入电压
代号
F
110
输出电压
代号
(=V
OUT
x10)
T
24
输出功率
代号
(=P
OUT
/10)
CON组fi guration
F = J引线
T为通孔
产品等级温度( ℃)
GRADE
存储操作(T
J
)
T
-40 to125 -40 to125
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V I晶片母线转换模块
B352F110T24
修订版2.5
第12页1
特定网络阳离子
输入
(条件是在352输入电压,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输入电压范围
输入的dv / dt
输入欠压开启
输入欠压关断
输入过压开启
输入过压关断
输入静态电流
浪涌电流过冲
输入电流
输入反射纹波电流
无负载功耗
内置输入电容
内部输入电感
推荐的外部输入电容
1.2
0.2
0.7
610
4.9
0.3
5
2
7.0
V I晶片母线转换模块
330.0
典型值
352
最大
365
1
325.0
单位
VDC
V / μs的
VDC
VDC
VDC
275.0
370.0
395.0
VDC
mA
A
ADC
毫安P-P
W
F
nH
F
PC低
使用测试电路在图20中;见图1
使用测试电路在图20中;参见图4
200 nH的最大源极电感;见图20
输入波形
图1
- 在满负荷浪涌瞬态电流和输入电压352与PC机
启用
图2
- 输出电压的导通与PC的波形在满负荷启用
352输入电压
科幻gure 3
- 输出电压的导通波形与输入端导通,在全
负载和输入电压352
图4
- 输入反映在满负载和输入电压352纹波电流
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V I晶片母线转换模块
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修订版2.5
第12页2
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
产量
(条件是在352输入电压,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
输出电压
输出功率
额定直流电流
重复峰值功率
当前股价精度
效率
半载
满载
内部输出电感
内部输出电容
负载电容
输出过压设定值
输出纹波电压
无需外部旁路
10 μF旁路电容
短路保护设定点
平均短路电流
有效开关频率
线路调整
K
负载调整率
R
OUT
瞬态响应
电压过冲
响应时间
恢复时间
输出过冲
输入打开,在
PC ENABLE
输出开启延迟
从应用的功率
从PC引脚释放
30.0
3.3
0.0309
0.12
3.5
1/32
11.0
46
200
1
0
0
800
250
3.7
0.0316
15.0
m
mV
ns
s
mV
mV
ms
ms
100 %负载阶跃;请参阅图10和11
请参阅图10和11
请参阅图10和11
无输出滤波器;见图3
无输出滤波器;参见图2
无输出滤波器;见图3
无需输出滤波器
94.5
94.7
5
95.6
95.8
1.1
31
1,200
11.6
240
14
300
10.3
9.99
0
0
典型值
最大
11.4
11.1
240
24.1
360
10
单位
VDC
VDC
W
ADC
W
%
%
%
nH
F
F
VDC
mV的P-P
mV的P-P
ADC
A
兆赫
空载
满载
330 - 365 V
IN
P
OUT
≤240
W
最大脉冲宽度为1ms ,最大占空比10% ,
基准电源50 %
见并联运行第11页
参见图5
参见图5
有效值
参见图7和9
参见图8
模块将关闭
每相固定, 1.8兆赫
VOUT = K V
IN
在无负载
输出波形
效率与输出功率
100
96
13
功耗
功耗( W)
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
98
效率(%)
94
92
90
88
86
84
82
80
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
输出功率( W)
图5
- 效率与输出功率352输入电压
输出功率( W)
图6
- 功率耗散作为输出功率的函数
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修订版2.5
第12页3
特定网络阳离子
(续)
V I晶片母线转换模块
图7
- 输出电压纹波在满载和352 Vin的,没有任何
外部旁路电容。
图8
- 输出电压纹波在满载和352 Vin的10 μF
陶瓷外部旁路电容和20 nH的分布电感。
纹波与输出功率
236
216
输出纹波(MV )
196
176
156
136
116
96
76
56
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240
输出功率( W)
图9
- 输出电压纹波与输出功率在352 Vin的,没有任何
外部旁路电容。
图10
- 0 -21.8带有2 μF的输入电容和负载阶跃无
输出电容器。
图11
- 21.8- 0与2 μF输入电容器和无输出端的负载阶跃
电容。
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V I晶片母线转换模块
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修订版2.5
第12页4
特定网络阳离子
一般
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
绝缘特性
电压
电容
阻力
机构认证
机械
重量
尺寸
宽度
高度
(续)
V I晶片母线转换模块
典型值
2.6
最大
单位
MHrs
VDC
pF
M
25 ° C, GB
输入到输出
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950-1 , EN 60950-1
低电压指令
见机械制图,图15 - 18
4,242
500
10
cTUVus等
CE标志
RoHS指令
0.53 /15
1.28 / 32,5
0.87 / 22
0.265 / 6,73
125
130
9.3
1.1
2.1
135
盎司/克
在/毫米
在/毫米
在/毫米
°C
WS / ℃,
° C / W
° C / W
结温
过温关闭
热容量
结到外壳的热阻(R
θJC
)
结到电路板的热阻抗(R
θJB
)
辅销
(条件是在48 Vin的,满载和25 ° C环境除非另有说明)
参数
主控制( PC )
直流电压
模块禁止电压
模块使能电压
电流限制
启用延迟时间
关闭延迟时间
2.4
4.8
2.4
典型值
5.0
2.5
2.5
2.5
250
20
最大
5.2
2.6
2.9
单位
VDC
VDC
VDC
mA
ms
s
唯一来源
参见图12 ,时间由PC低输出低电平
图12
— V
OUT
在满负荷与个人电脑禁用
图13
- 电脑故障期间,信号
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V I晶片母线转换模块
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修订版2.5
第12页5
V
I
BCM芯片
高压母线转换器系列
TM
TM
6,73
0.265
In
+ IN
VICOR公司
MADE IN USA
PC RSV TM
效率: 95 %(典型)
输入: HV三百五十〇分之二百七十/ 380 V
功率密度: >1000 W /中
产品说明
3
电流共享: 5 %
隔离: 4242伏
占地面积: 1.1
2
BCM
Out
VIB0003TFJ
AP4141PRS724558
S
22,0
0.87
RoHS指令
C
NRTL
US
美国专利。上市对包装材料&数据表
+ OUT
Out
+ OUT
32,5
1.28
实际尺寸
mm
in
高压母线转换模块系列包括六种型号,提供了一个隔离的中间总线电压,功率非隔离
POL转换器。高压带宽模型提供了从PFC母线电压直接转换为12 V负载点高达300 W和隔离4242
VDC 。高压系列产品提供卓越的性能,最高的效率和功率密度最小的封装。
模型
号码*
B352F110T24
B384F120T30
VIB0001TFJ
VIB0002TFJ
VIB0003TFJ
VMB0004MFJ
输入
电压
(V)
330 – 365
360 – 400
330 – 365
360 – 400
330 – 365
240 – 330
产量
电压
(V)
10.3 – 11.4
11.25 – 12.5
10.3 – 11.4
45.0 – 50.0
41.25 – 45.62
30.0 – 41.25
产量
动力
(W)
240
300
300
300
325
240
产量
当前
(A)
24.0
25.0
28.0
7.0
7.7
7.3
温度。
GRADE
T
T
T
T
T
MIL COTS
*产品还通过孔模型可用。请参阅单独的数据表。
典型应用
VICOR公司
MADE IN USA
美国专利。上市对包装材料&数据表
+ IN
C
NRTL
S
US
+ OUT
BCM
In
Out
+ OUT
HV
PC RSV TM
12 V
Out
RoHS指令
POL
负载
负载
VICOR公司
MADE IN USA
CD NC操作系统SG SC VH
PR NC IL TM PC VC
VICOR公司
MADE IN USA
美国专利。上市对包装材料&数据表
VICOR公司
MADE IN USA
+ OUT
美国专利。上市对包装材料&数据表
美国专利。上市对包装材料&数据表
+ IN
+ IN
NRTL
NRTL
S
S
+ OUT
BCM
PRM
VTM
In
Out
Out
In
vicorpower.com
800-735-6200
修订版1.3
Out
In
+ OUT
HV
PC RSV TM
+ OUT
PC VC TM
48 V
C
Out
C
NRTL
C
S
US
+ OUT
US
US
0.8 – 55 V
RoHS指令
RoHS指令
Out
RoHS指令
负载
+ IN
9/2009
第1页2
一般特定网络阳离子
参数
MTBF
MIL-HDBK-217F
隔离
电压
电容
阻力
法规遵从
过温关闭
外壳到环境热阻
工作结温
工作结温
储存温度
典型值
单位
3.5
4,242
500–660
10
cTUVus等
CE标志
RoHS指令
125
3.7
-40至125
-55至125
-40至125
MHrs
VDC
pF
25 ° C, GB
输入输出(基本绝缘)
输入到输出
输入到输出
UL / CSA 60950 , EN60950
低电压指令
°C
C / W
°C
°C
°C
最低限度,结温
0.25 “散热器@ 300 LFM
T-级
MIL- COTS
BCM机械外形图*
散热器图钉孔型
2.95±0.07
(2) PL
[0.116±0.003]
非电镀
通孔
见注1 。
(36.50)
1.437
(18.25)
0.719
虚线
即表示VIC
位置
见注
3
(4.37)
0.172
(11.37)
0.448
(7.00)
0.276
底部视图
(2.510)
0.099
(31.48)
1.240
(39.50)
1.555
见注释2 。
散热器图钉孔型
(TOP端)
见注
3
推荐地格局
(元件面SH OWN )
注意事项:
1.保持
3.5/[0.138]
DIA 。保持出区免费
铜。所有PCB层。
2.推荐的最低间距
39.50/[1.555].
这为7.00 / [ 0.276 ]元件边缘到边缘的间距。
0.50 / [ 0.020 ]清除率VICOR散热片。
3.
V I晶片焊盘布局仅供参考;
土地实际格局可能会有所不同。
尺寸与焊盘图形边缘图钉
孔将是相同的所有全尺寸V I晶片。
(mm)
4.维数
寸。
注意事项:
mm
1.尺寸为英寸。
2.除非另有规定,公差为:
.X / [.XX] = +/-0.25 / [.01]; .XX / [.XXX] = +/-0.13 / [.005]
3.产品标识开顶面
DXF和PDF文件可在vicorpower.com
TOP VIEW (元件面)
*对于通孔机械制图看到个别的数据表。
此数据表中所描述的产品保护通过以下美国专利号: 5945130 ; 6403009 ; 6710257 ; 6911848 ; 6930893 ; 6934166 ; 6940013 ;
6969909 ; 7038917 ; 7166898 ; 7187263 ; 7361844 ; D496,906 ; D505,114 ; D506,438 ; D509,472和使用在6975098和6984965
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修订版1.3
9/2009
第2页2
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