STB120NH03L - STI120NH03L
STP120NH03L
N沟道30V - 0.005Ω - 60A - TO- 220 / D
2
PAK / I
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET的DC- DC转换器
一般特点
TYPE
STB120NH03L
STP120NH03L
STI120NH03L
V
DSS
30V
30V
30V
R
DS （ ON）
<0.0055
<0.0055
<0.0055
I
D
60
(1)
60
(1)
60
(1)
TO-220
3
1
2
3
1
D
2
PAK
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
■
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆低
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
I
2
PAK
3
12
描述
这些设备采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
它是理想的高性能的DC-DC转换器
应用是将在实现效率
非常高的输出电流。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB120NH03L
STI120NH03L
STP120NH03L
记号
B120NH03L
120NH03L
P120NH03L
包
D
2
PAK
IPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2007年2月
第七版
1/17
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17
目录
STB120NH03L - STI120NH03L - STP120NH03L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
7
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STB120NH03L - STI120NH03L - STP120NH03L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM （2）
P
合计
EAS
(3)
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0V)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
30
± 20
60
60
240
110
0.73
700
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
1.价值限于通过引线接合
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= 30A ，V
DD
＆ LT ; 30V
表2中。
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.30
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
3/17
电气特性
STB120NH03L - STI120NH03L - STP120NH03L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
分钟。
30
1
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ±20V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 5V ，我
D
= 30A
1
1.8
0.005
0.006
±
100
A
V
3
0.0055
0.0105
表4 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Rg
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS （1）
Q
GLS （2）
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4100
680
70
16
95
48
23
1.3
马克斯。
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见
图12）
F = 1MHz的栅极的直流偏压= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 15V ，我
D
= 60A
V
GS
=10V
（见
图13）
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
< 0 ，V
GS
= 0V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限门
收费
57
12
7
27
55
77
nC
nC
nC
ns
ns
1. QOSS =科斯*
V
IN
，科斯= Cgd的+光盘。见功率损耗计算
2.栅极电荷为同步操作。
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STB120NH03L - STI120NH03L - STP120NH03L
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
I
SD
= 60A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 30V ，T
J
=150°C
46
64
2.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.4
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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QQ：2881677436 复制
