Battrax
单端口负SLIC保护
RoHS指令
(G)
5
这种可编程
Battrax
装置被引用到一个负电压源。这
双芯片封装，包括内部二极管从正的浪涌瞬变保护
事件。
SIDACtor装置
的di / dt
安/微秒
500
500
1
(T)
2
(-V
REF
)
3
(R)
供的一个的图
Battrax
应用程序，请参阅图6.47中的第6 ， “参考
设计这个“
电信设计指南。
电气参数
部分
号码*
B1101U_L
B1161U_L
B1201U_L
V
DRM
伏
|-V
REF
| + |-1.2V|
|-V
REF
| + |-1.2V|
|-V
REF
| + |-1.2V|
V
S
伏
|-V
REF
| + |-10V|
|-V
REF
| + |-10V|
|-V
REF
| + |-10V|
V
T
伏
4
4
4
V
F
伏
5
5
5
I
DRM
μAMPS
5
5
5
I
GT
毫安
100
100
100
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
100
160
200
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。
对于个别“ UA ”和“ UC”浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
I
PP
收视率假设为V
REF
= -48 V.
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
V
REF
为B1101 ， B1161 ，和/或B1201最大值为-200V。
在安培的浪涌额定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
A
C
20
50
安培
150
500
安培
150
400
10x160 *
10x160 **
安培
90
200
10x560 *
10x560 **
安培
50
150
5x320 *
9x720 **
安培
75
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
75
175
安培
45
100
安培
75
200
安培
20
50
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
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Battrax单端口负SLIC保护
散热注意事项
包
莫迪网络编MS- 013
6
5
4
1
2
3
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到环境
价值
-40到+125
-65到+150
60
单位
°C
°C
° C / W
电容值
pF
产品型号
B1101UAL
B1101UCL
B1161UAL
B1161UCL
B1201UAL
B1201UCL
民
50
50
50
50
50
50
最大
200
200
200
200
200
200
注：关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
+I
V
F
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
100
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
V
S
V
DRM
-V
V
T
+V
波形= T
r
x深
d
I
DRM
I
H
I
GT
I
T
-I
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
的V-I特性
14
12
10
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
I
H
(T
C
= 25 C)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
外壳温度（T
C
) – C
归DC控股电流与外壳温度
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