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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第717页 > B120
Compact技术
B120通B1200
反向电压 -
20
to
200
伏
正向电流 -
1.0
安培
肖特基势垒整流器器
特点
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
B
SMA
SMA
DIM 。
A
A
B
C
C
D
E
F
F
E
D
G
H
分钟。
3.99
2.54
1.32
0.15
4.93
0.05
1.98
0.76
马克斯。
4.50
2.79
1.47
0.31
5.28
0.127
2.29
1.52
机械数据
案例： JEDEC SMA模压塑料
极性：颜色频带为负极
重量： 0.062克
安装位置：任意
G
H
在毫米波所有尺寸
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
最大正向电压@ 1.0A
最大DC反向电流@ TA = 25°C
在额定阻断电压DC @ TA = 100℃
典型结电容
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
符号
B120
V
RR米
V
RM S
V
D C
I
F
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
T
J
T
英镑
20
14
20
B130
B140
B150
B160
B180
B1100
B1150
B1200
单位
V
V
V
A
A
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
1.0
30.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.50
0.5
10.0
70
0.70
0.85
0.2
5.0
0.87
0.90
V
mA
60
70
-55到+125
-55到+150
50
35
pF
° C / W
°C
°C
CTC0074版本。 2.0
1
2
B120通B1200
Compact技术
B120通B1200
图。 1 ，典型正向电流降额曲线
2.0
图。 2 ，典型正向特性
100.00
B120~B140
正向电流（A ）
B150~B160
B180~B1100
平均正向电流（ A）
1.6
10.00
B1150~B1200
1.2
1.00
0.8
0.10
0.4
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度（ ）
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压（ V）
图。 3最大非重复正向浪涌电流
图。 4 ，典型的反向特性
100.000
50
峰值正向浪涌电流（ A）
反向漏电流（mA）
40
10.000
30
1.000
100
20
0.100
10
0.010
0
1
10
循环次数在60Hz
100
0.001
20%
40%
25
60%
80%
100%
百分比额定峰值反向电压（ ％ ）
图。 5 ，典型结电容
200
结电容（pF ）
B120~B140
150
B150~B160
B180~B1100
B1150~B1200
100
50
0
0
1
10
100
反向电压（ V）
CTC0074版本。 2.0
2
2
B120通B1200
LITE -ON
半导体
B120通B160
反向电压 -
20
to
60
伏
正向电流 -
1.0
安培
表面贴装
肖特基势垒整流器器
特点
对于表面安装应用程序
金属半导体结与guardring
外延建设
极低的正向电压降
高电流能力
塑料材料具有UL可燃性分类94V- 0
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
G
H
E
F
D
SMA
SMA
A
B
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
分钟。
4.06
2.29
1.27
0.15
4.83
0.05
2.01
0.76
马克斯。
4.57
2.92
1.63
0.31
5.59
0.20
2.62
1.52
机械数据
案例：模压塑料
极性：由阴极频带指示
重量： 0.002盎司， 0.064克
在毫米波所有尺寸
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
符号
B120
20
14
20
B130
30
21
30
B140
40
28
40
1.0
30
B150
50
35
50
B160
60
42
60
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JL
@T
L
=100 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在1.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结
电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
A
0.5
0.5
10
110
20
-55到+125
-55到+150
0.7
V
mA
pF
C / W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
T
J
T
英镑
-55到+150
C
C
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
2.Thermal电阻结到铅。
REV 。 4月 - 2005年， KSHA01
额定值和特性曲线
B120通B160
图1 - 正向电流降额曲线
1.00
图2 - 最大非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流，
安培
30
平均正向电流
安培
0.75
20
0.50
B120到B140
B150到B160
10
脉宽8.3ms的
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0.25
单相半波60HZ
负载电阻或电感
0.00
25
50
75
100
125
150
180
0
1
2
5
10
20
50
100
焊接温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
10
瞬时正向电流（ A）
1000
图4 - 典型结电容
B120到B140
B150到B160
1.0
电容（PF ）
T
J
= 25 C
脉冲宽度： 300US
100
0.1
T
J
= 25°C F = 1MHz的
.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压（伏）
10
0.1
1.0
4.0
10.0
100
反向电压（伏）
图5 - 典型的反向特性
100
瞬时
反向电流（毫安）
10
T
J
= 125 C
T
J
= 100 C
1.0
0.1
0.01
T
J
= 25 C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
REV 。 4月 - 2005年， KSHA01
新产品
B120通B160
威世通用半导体
表面贴装肖特基整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
Guardring过电压保护
低功率损耗，效率高
低正向压降
高浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
DO- 214AC （ SMA）的
典型应用
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
20 V至60 V
30 A
0.52 V, 0.75 V
125 °C, 150 °C
在低电压，高频率逆变器，
续流，直流到直流转换器和极性保护
应用程序。
记
这些设备不符合AEC- Q101标准
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
色环表示阴极结束
每
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
T
英镑
- 65至+ 125
- 65至+ 150
符号
B120
B12
20
B130
B13
30
B140
B14
40
1.0
30
10 000
- 65至+ 150
B150
B15
50
B160
B16
60
V
A
A
V / μs的
°C
°C
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
额定V最大反向电流
R
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
文档编号： 88946
修订： 13 - OCT- 09
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
测试条件
1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F (1)
I
R (2)
B120
B130
0.52
0.2
6.0
5.0
B140
B150
0.75
B160
单位
V
mA
新产品
B120通B160
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
(1)
B120
B130
B140
95
° C / W
30
B150
B160
单位
记
(1)
P.C.B.装有0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）铜焊盘区
订购信息
（例）
首选的P / N
B140-E3/61T
B140-E3/5AT
单位重量（g ）
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
0.8
负载电阻或电感
B150和B160
B150和B160
0.7
D = 0.8
D = 0.5
D = 0.3
0.5
0.4
0.3
T
0.2
0.1
D =吨
p
/T
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
t
p
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
正向平均整流电流（ A）
1.0
平均功耗（ W）
0.6
0.8
B120通B140
0.6
0.4
P.C.B.安装在
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
铜焊盘区
0.2
0
铅温度（ ℃）
平均正向电流（ A）
图。 1 - 最大正向电流降额曲线
图。 3 - 正向功率损耗特性
0.8
B120通B140
0.7
40
平均功耗（ W）
D = 0.5
0.6
D = 0.3
0.5
0.4
0.3
T
0.2
0.1
D =吨
p
/T
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
t
p
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
山顶前进
浪涌
电流（A ）
D = 0.8
30
20
10
0
1
10
100
平均正向电流
周期数的AT 50赫兹
图。 2 - 正向功率损耗特性
图。 4 - 典型正向特性
www.vishay.com
2
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文档编号： 88946
修订： 13 - OCT- 09
新产品
B120通B160
威世通用半导体
10
100 000
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1
B120通B140
B150和B160
10 000
T
J
= 150 °C
1000
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
10
1
B120通B140
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型正向特性
图。 7 - 典型的反向漏电特性
10
1000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
正向电流（A ）
1
结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
0.1
B150和B160
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
0.1
B120通B140
B150和B160
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图。 6 - 典型的正向特性
图。 8 - 典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
文档编号： 88946
修订： 13 - OCT- 09
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
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没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
B120通B1200
表面贴装肖特基二极管
反向电压
20至200伏
正向电流
1.0安培
产品特点：
*薄型包装
*适合自动放置
*保护环的过电压保护
*低正向压降
*按照RoHS 2002/95 / EC组件
机械数据
*外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类额定值94V- 0
*终端：无铅电镀（锡完成） 。每MIL -STD- 202方法208
*极性：负极频带
*重量： 0.062克（近似值）
SMA(DO-214AC)
SMA外形尺寸
B
单位：mm
A
C
D
J
H
E
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
SMA
民
2.20
4.00
1.27
0.15
4.48
0.10
0.76
1.70
最大
2.92
4.60
1.63
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
14-Dec-2010
B120通B1200
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流，
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大瞬时在1.0A @ TJ = 25℃
最大DC反向电流@ TJ = 25℃
在额定阻断电压DC @ TJ = 100℃
典型结电容（注1 ）
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
符号
B120 B130 B140 B150 B160 B180 B1100 B1150 B1200
单位
VRRM
VRMS
VDC
IF
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
1.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200
140
200
IFSM
VF
IR
CJ
RJ-A
JC
TJ
TSTG
-55 + 125
70
30.0
0.50
0.5
10
0.62
0.83
0.85
0.2
5
0.88
60
70
50
50
35
PF
-55到+ 150
-55到+ 150
注： 1.Measured得1.0MHz应用的4.0V直流反向电压。
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
14-Dec-2010
B120通B1200
2.5
100.00
平均正向电流（ A）
2.0
B120~B1100
B1150~B1200
1.5
正向电流（A ）
10.00
1.00
1.0
0.10
B 120~B140
B 150~B160
B 180~B1100
B 1150~B1200
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
环境温度（ ℃ ）
正向电压（ V）
图。 1 ，典型正向电流降额曲线
50
图。 2 ，典型正向特性
100.000
25℃
峰值正向浪涌电流（ A）
反向漏电流（mA）
40
10.000
100℃
30
1.000
20
0.100
10
0.010
0
1
10
循环次数在60Hz
100
0.001
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向电压（ ％ ）
图。 3最大非重复正向浪涌电流
图。 4 ，典型的反向特性
200
B120~B140
结电容（pF ）
150
B150~B160
B180~B1100
B1150~B1200
100
50
0
0
1
10
100
反向电压（ V）
图。 5 ，典型结电容
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
14-Dec-2010
新产品
B120通B160
威世通用半导体
表面贴装肖特基整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
Guardring过电压保护
低功率损耗，效率高
低正向压降
高浪涌能力
DO- 214AC （ SMA）的
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在低电压，高频率逆变器，
续流，直流 - 直流转换器和极性
保护应用。
（注：这些设备是不是Q101标准）。
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
色环表示阴极结束
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
20 V至60 V
30 A
0.52 V, 0.75 V
125 °C, 150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
T
英镑
- 65至+ 125
- 65至+ 150
符号
B120
B12
20
B130
B13
30
B140
B14
40
1.0
30
10 000
- 65至+ 150
B150
B15
50
B160
B16
60
单位
V
V
A
A
V / μs的
°C
°C
文档编号： 88946
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
B120通B160
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
最大反向
电流在额定V
R (2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
测试条件
1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F
I
R
B120
B130
0.52
0.2
6.0
5.0
B140
B150
0.75
B160
单位
V
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（1） P.C.B.安装有0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
B120
B130
B140
95
30
B150
B160
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
B140-E3/61T
B140-E3/5AT
单位重量（g ）
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
0.8
负载电阻或电感
1.0
B150 ~ B160
B120 ~ B140
0.7
D = 0.8
D = 0.5
0.6
D = 0.3
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
D =吨
p
/T
t
p
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
正向平均整流电流（ A）
0.8
B120 ~ B140
0.6
平均功耗（ W）
0.4
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
T
0.2
0
铅温度（ ℃）
平均正向电流
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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2
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文档编号： 88946
修订： 19 08年5月
新产品
B120通B160
威世通用半导体
0.8
0.7
10
平均功耗（ W）
D = 0.5
0.6
D = 0.3
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
D =吨
p
/T
t
p
D = 0.2
D = 0.1
T
D = 1.0
正向电流（A ）
B150 ~ B160
D = 0.8
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
B150 ~ B160
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
平均正向电流（ A）
正向
电压
(V)
图3.正向功率损耗特性
图6.典型的正向特性
40
100 000
瞬时反向电流（ μA ）
峰值正向浪涌电流（ A）
B120 ~ B140
B150 ~ B160
10 000
T
J
= 150 °C
30
1000
20
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
10
10
1
0
1
10
100
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
数
环，在50赫兹的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的正向特性
图7.典型的反向漏电特性
10
1000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
1
结电容（pF ）
100
0.1
T
J
= 25 °C
B120 ~ B140
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
0.1
B120 ~ B140
B150 ~ B160
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图5.典型的正向特性
图8.典型结电容
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3
新产品
B120通B160
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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4
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
BL
特点
银河电子
B120 - - - B160
反向电压： 20 --- 60 V
CURRENT ： 1.0
肖特基势垒整流器
◇
塑料包装有保险商实验室
111
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
◇
对于表面安装应用程序
◇
低廓包
◇
内置应变消除
◇
金属硅交界处，多数载流子传导
◇
高浪涌能力
◇
低功耗，效率高
◇
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
111
续流和极性保护应用
◇
Guardring过电压保护
o
◇
高温焊接保证： 250℃ / 10
111
在码头秒
DO - 214AC （ SMA ）
机械数据
◇
案例： JEDEC DO - 214AC ，在模压塑料
1111passivated
芯片
◇
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，
1111Method
2026
◇
极性：颜色频带端为负极
◇
重量： 0.002盎司， 0.064克
最大额定值和电气特性
25评分
o
除非另有说明C的环境温度
B120
开发冰标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW奥德整流电流
x
T
L
（参见图1）
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
x
正弦-W AVE叠加在额定负荷（ JEDEC
x
法）
在最大瞬时FORW ARD电压
x
1.0A(NOTE.1)
最大直流反向电流（注1 ）
x
@T
A
=25
o
C
额定直流电压blockjing
@T
A
=100 C
o
B130
30
21
30
B140
40
28
40
1.0
30.0
B150
50
35
50
B120OOOHB130OOOOIB140OOOOIB150
V
RRM
V
RWS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
R
θ
JL
0.5
0.5
10.0
88.0
20.0
-
55
---
+125
-
55
--- +150
20
14
20
B160
OOOOUNITS
B160
60
42
60
V
V
V
A
A
0.7
V
mA
典型的热性能及其（注2 ）
存储温度范围工作结
x
和储存温度范围
存储温度范围
o
C / W
o
T
j
T
英镑
C
C
o
注： 1.Pulse测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE
2. PCBmounted与0.2"X0.2" （ 5.0X5.0mm
2
）铜焊盘区
www.galaxycn.com
文档编号0281013
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 前降额曲线
B120 - - - B160
FIG.2--峰值正向浪涌电流
50
1.0
平均正向
当前，安培
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌
当前，安培
40
T
L
=100 C
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
O
30
0.5
20
0
50 60
P.C.B.mounted上
0.2X0.2(5.0X5.0mm)
COPPERPAD区
10
70 80
90 100 110 120 130 140 150 160 170
0
1
10
100
焊接温度
℃
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
正向
当前，安培
瞬时反向
当前，微安
50
TJ = 125℃
O
图4 - 典型的反向特性
100
10
B120-B140
B150-B160
10
TJ = 100℃
O
1
Puise宽度= 300
1 ％占空比
S
1
T
J
=125 C
0
0.1
T
J
=75 C
0
0.1
TJ = 25℃
O
0.01
T
J
=25
0
C
0.01
0
B120-B140
B150-B160
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
％
图5 - 典型结电容
结电容， pF的
400
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
100
10
0.1
B120-B140
B150-B160
1
10
100
反向电压，伏
www.galaxycn.com
文档编号0281013
BL
银河电子
2.
BL
特点
银河电子
B120 - - - B160
反向电压： 20 --- 60 V
CURRENT ： 1.0
肖特基势垒整流器
◇
塑料包装有保险商实验室
111
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
◇
对于表面安装应用程序
◇
低廓包
◇
内置应变消除
◇
金属硅交界处，多数载流子传导
◇
高浪涌能力
◇
低功耗，效率高
◇
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
111
续流和极性保护应用
◇
Guardring过电压保护
o
◇
高温焊接保证： 250℃ / 10
111
在码头秒
DO - 214AC （ SMA ）
机械数据
◇
案例： JEDEC DO - 214AC ，在模压塑料
1111passivated
芯片
◇
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，
1111Method
2026
◇
极性：颜色频带端为负极
◇
重量： 0.002盎司， 0.064克
最大额定值和电气特性
25评分
o
除非另有说明C的环境温度
B120
开发冰标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW奥德整流电流
x
T
L
（参见图1）
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
x
正弦-W AVE叠加在额定负荷（ JEDEC
x
法）
在最大瞬时FORW ARD电压
x
1.0A(NOTE.1)
最大直流反向电流（注1 ）
x
@T
A
=25
o
C
额定直流电压blockjing
@T
A
=100 C
o
B130
30
21
30
B140
40
28
40
1.0
30.0
B150
50
35
50
B120OOOHB130OOOOIB140OOOOIB150
V
RRM
V
RWS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
R
θ
JL
0.5
0.5
10.0
88.0
20.0
-
55
---
+125
-
55
--- +150
20
14
20
B160
OOOOUNITS
B160
60
42
60
V
V
V
A
A
0.7
V
mA
典型的热性能及其（注2 ）
存储温度范围工作结
x
和储存温度范围
存储温度范围
o
C / W
o
T
j
T
英镑
C
C
o
注： 1.Pulse测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE
2. PCBmounted与0.2"X0.2" （ 5.0X5.0mm
2
）铜焊盘区
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文档编号0281013
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 前降额曲线
B120 - - - B160
FIG.2--峰值正向浪涌电流
50
1.0
平均正向
当前，安培
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌
当前，安培
40
T
L
=100 C
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
O
30
0.5
20
0
50 60
P.C.B.mounted上
0.2X0.2(5.0X5.0mm)
COPPERPAD区
10
70 80
90 100 110 120 130 140 150 160 170
0
1
10
100
焊接温度
℃
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
正向
当前，安培
瞬时反向
当前，微安
50
TJ = 125℃
O
图4 - 典型的反向特性
100
10
B120-B140
B150-B160
10
TJ = 100℃
O
1
Puise宽度= 300
1 ％占空比
S
1
T
J
=125 C
0
0.1
T
J
=75 C
0
0.1
TJ = 25℃
O
0.01
T
J
=25
0
C
0.01
0
B120-B140
B150-B160
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
％
图5 - 典型结电容
结电容， pF的
400
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
100
10
0.1
B120-B140
B150-B160
1
10
100
反向电压，伏
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文档编号0281013
BL
银河电子
2.
BL
特点
银河电子
B120 - - - B160
反向电压： 20 --- 60 V
CURRENT ： 1.0
肖特基势垒整流器
◇
塑料包装有保险商实验室
111
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
◇
对于表面安装应用程序
◇
低廓包
◇
内置应变消除
◇
金属硅交界处，多数载流子传导
◇
高浪涌能力
◇
低功耗，效率高
◇
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
111
续流和极性保护应用
◇
Guardring过电压保护
o
◇
高温焊接保证： 250℃ / 10
111
在码头秒
DO - 214AC （ SMA ）
机械数据
◇
案例： JEDEC DO - 214AC ，在模压塑料
1111passivated
芯片
◇
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，
1111Method
2026
◇
极性：颜色频带端为负极
◇
重量： 0.002盎司， 0.064克
最大额定值和电气特性
25评分
o
除非另有说明C的环境温度
B120
开发冰标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW奥德整流电流
x
T
L
（参见图1）
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
x
正弦-W AVE叠加在额定负荷（ JEDEC
x
法）
在最大瞬时FORW ARD电压
x
1.0A(NOTE.1)
最大直流反向电流（注1 ）
x
@T
A
=25
o
C
额定直流电压blockjing
@T
A
=100 C
o
B130
30
21
30
B140
40
28
40
1.0
30.0
B150
50
35
50
B120OOOHB130OOOOIB140OOOOIB150
V
RRM
V
RWS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
R
θ
JL
0.5
0.5
10.0
88.0
20.0
-
55
---
+125
-
55
--- +150
20
14
20
B160
OOOOUNITS
B160
60
42
60
V
V
V
A
A
0.7
V
mA
典型的热性能及其（注2 ）
存储温度范围工作结
x
和储存温度范围
存储温度范围
o
C / W
o
T
j
T
英镑
C
C
o
注： 1.Pulse测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE
2. PCBmounted与0.2"X0.2" （ 5.0X5.0mm
2
）铜焊盘区
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BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 前降额曲线
B120 - - - B160
FIG.2--峰值正向浪涌电流
50
1.0
平均正向
当前，安培
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌
当前，安培
40
T
L
=100 C
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
O
30
0.5
20
0
50 60
P.C.B.mounted上
0.2X0.2(5.0X5.0mm)
COPPERPAD区
10
70 80
90 100 110 120 130 140 150 160 170
0
1
10
100
焊接温度
℃
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
正向
当前，安培
瞬时反向
当前，微安
50
TJ = 125℃
O
图4 - 典型的反向特性
100
10
B120-B140
B150-B160
10
TJ = 100℃
O
1
Puise宽度= 300
1 ％占空比
S
1
T
J
=125 C
0
0.1
T
J
=75 C
0
0.1
TJ = 25℃
O
0.01
T
J
=25
0
C
0.01
0
B120-B140
B150-B160
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
％
图5 - 典型结电容
结电容， pF的
400
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
100
10
0.1
B120-B140
B150-B160
1
10
100
反向电压，伏
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BL
银河电子
2.
B120/B - B160/B
1.0A表面贴装肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
保护环片施工
瞬态保护
非常适合自动装配
低功耗，高效率
浪涌过载额定值为30A峰值
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材料 - 防火
分类科幻阳离子94V- 0
B
SMA
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
民
2.29
4.00
1.27
0.15
4.80
0.10
0.76
2.01
最大
2.92
4.60
1.63
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
SMB
民
3.30
4.06
1.96
0.15
5.00
0.10
0.76
2.00
最大
3.94
4.57
2.21
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
A
C
D
J
机械数据
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
码头：焊接镀终端 -
每MIL -STD- 202方法208
极性：负极频带或阴极诺奇
约。重量： SMA 0.064克
SMB 0.093克
标记：型号数量
H
G
E
尺寸：mm
没有后缀指定SMA封装
“B”后缀指定SMB封装
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
T
= 130°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
@ I
F
= 1.0A
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到码头（注1 ）
工作和存储温度范围
@T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJT
T
j,
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
B120/B
20
14
B130/B
30
21
B140/B
40
28
1.0
30
B150/B
50
35
B160/B
60
42
单位
V
V
A
A
0.50
0.5
10
110
20
-65到+150
0.70
V
mA
pF
° C / W
°C
注意事项：
1.热阻：结到终端，设备安装在PC板5.0毫米
2
（0.013毫米厚），铜焊盘的散热器。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
DS13002修订版H- 2
1第3
B120/B-B160/B
I
F
瞬时正向电流（A）
10
T
A
= +125
°
C
I
O,
平均整流电流（ A）
1.0
T
A
= +75
°
C
1.0
T
A
= +25
°
C
T
A
= -25
°
C
0.5
0
25
50
75
100
125
150
T
T
，终端温度（ ℃）
图。 1正向电流降额曲线
I
F
，正向电流（A）
10
0.1
I
F
脉冲宽度= 300
m
s
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性 - B120 / B通B140 / B
40
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
30
1.0
T
A
= +125C
T
A
= +25C
20
0.1
10
T
j
= 150C
0.01
0
0.2
0.4
I
F
脉冲宽度= 300毫秒
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 4最大非重复性峰值正向浪涌电流
100
0.6
0.8
1.0
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 3典型。正向特性 - B150 / B通B160 / B
T
j
= 25°C
F = 1 MHz的
I
R
，瞬时反向电流（
m
A)
1000
10,000
1000
100
C
j
，结电容（pF ）
T
A
= +125
°
C
T
A
= +75
°
C
100
10
1
0.1
T
A
= +25
°
C
T
A
= -25
°
C
10
0.1
1
10
100
0.01
0
10
20
30
40
50
60
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 6典型的反向特性， B120 / B通B140 / B
V
R
，反向电压（V）的
图。 5典型结电容
DS13002修订版H- 2
2 3
B120/B-B160/B
I
R
，瞬时反向电流（
m
A)
10,000
1000
T
A
= +125
°
C
100
10
T
A
= +70
°
C
1
T
A
= +25
°
C
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 7典型的反向特性， B150 / B通B160 / B
DS13002修订版H- 2
3 3
B120/B-B160/B
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