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半导体
技术参数
开关型电源中的应用。
转换&斩波应用。
特点
平均输出整流电流
: I
O
= 10A(锝= 110)。
反向重复峰值电压
: V
RRM
=100V.
快速反向恢复时间:吨
rr
=35ns.
低正向峰值电压: 0.75V (典型值)。
D
U
E
B10A100VIC
肖特基型二极管堆栈
A
C
S
K
L
M
L
T
D
N
N
T
最大额定值( TA = 25
特征
反向重复峰值电压
平均输出整流
)
符号
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
100
10
单位
O
T
V
A
Q
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
R
H
J
K
L
M
V
N
O
P
Q
R
H
S
T
U
V
MILLIMETERS
10.30 MAX
15.30 MAX
2.70 0.30
0.85最大
Φ3.20
0.20
3.00 0.30
12.30 MAX
0.75最大
13.60 0.50
3.90 MAX
1.20
1.30
2.54
4.50 0.20
6.80
2.60 0.20
10
25
5
0.5
2.60 0.15
F
G
J
B
电流(TC = 110 ) (额定V
R
) (注)
峰值一个周期正向浪涌
电流(不重复60赫兹)
结温
存储温度范围
100
-40 150
-55 150
A
TO-220IS
注: centertap全波连接的平均正向电流。
2
1
3
电气特性( TA = 25 )
特征
峰值正向电压
重复峰值
反向电流
反向恢复时间
热阻
注:一个单元的值
(注)
(注)
(注)
(注)
符号
V
FM
I
RRM
t
rr
R
日(J -C )
I
FM
=5A
V
RRM
Rated
I
F
= 1.0A ,的di / dt = -30A /
Juction到案
测试条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.75
-
-
-
马克斯。
0.80
3
35
3.5
单位
V
mA
ns
/W
2002. 9. 10
版本号: 0
P
1.阳极
2.阴极
3.阳极
1/2
B10A100VIC
I
F
- V
F
50
T
J
=125 C
I
R
- V
R
100
反向电流I
R
(MA )
T
J
=150 C
正向电流I
F
(A)
30
10
1.0
0.1
0.01
0.001
T
J
=125 C
T
J
=100 C
T
J
=75 C
T
J
=50 C
T
J
=25 C
10
5.0
3.0
T
J
=75 C
T
J
=25 C
1.0
0.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
20
40
60
80
100
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
平均正向电流I
F( AV )
(A)
平均正向电流I
F( AV )
(A)
I
F
16
- T
C
额定电压
应用的
R
θJC
= 3.5 C / W
I
F
- T
C
16
施加额定电压
R
θJA
= 16℃ / W
R
θJA
= 60℃ / W
(无散热片)
DC
180
DC
WAVE
12
12
8.0
DC
8
4.0
180
方波
4
0
100
110
120
130
140
150
0
0
40
80
120
160
壳温度( C)
环境温度T
A
( C)
正向平均功耗
P
F( AV )
(W)
P
F( AV )
- I
F( AV )
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
2.0
180
方波
正弦波
0
4.0
6.0
8.0
10
12
平均正向电流I
F( AV )
(A)
2002. 9. 10
版本号: 0
2/2
半导体
技术参数
开关型电源中的应用。
转换&斩波应用。
A
B10A100VIC
肖特基型二极管堆栈
C
平均输出整流电流
: I
O
= 10A (TC = 120) 。
反向重复峰值电压
: V
RRM
=100V.
快速反向恢复时间:吨
rr
=35ns.
低正向峰值电压: 0.73V (典型值)。
E
G
B
P
特点
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
H
S
K
L
L
R
M
D
D
MILLIMETERS
_
10.0 + 0.3
_ 0.3
15.0 +
_
2.70 + 0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+ 0.2
_
3.0 + 0.3
_
12.0 + 0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6 + 0.5
_
3.7 + 0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54 + 0.1
_
6.8 + 0.1
_
4.5 + 0.2
_
2.6 + 0.2
0.5 TYP
F
N
N
最大额定值( TA = 25
特征
反向重复峰值电压
平均输出整流
电流(锝= 120) (注)
峰值一个周期正向浪涌
电流(不重复60赫兹)
结温
存储温度范围
)
符号
V
RRM
I
O
等级
100
10
单位
V
A
Q
1
2
3
J
1.阳极
2.阴极
3.阳极
I
FSM
T
j
T
英镑
100
-40 150
-55 150
A
TO-220IS
注: centertap全波连接的平均正向电流。
2
1
3
电气特性( TA = 25 )
特征
峰值正向电压
重复峰值
反向电流
反向恢复时间
热阻
注:一个单元的值
(注)
(注)
(注)
(注)
符号
V
FM
I
RRM
t
rr
R
日(J -C )
I
FM
=5A
V
RRM
Rated
I
F
= 1.0A ,的di / dt = -30A /
Juction到案
测试条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.73
-
-
-
马克斯。
0.78
150
35
3.5
ns
/W
单位
V
2007. 9. 18
版本号: 3
1/2
B10A100VIC
I
F
- V
F
反向电流I
R
(MA )
100
100
T
j
=150 C
I
R
- V
R
正向电流I
F
(A)
10
T
j
=150 C
T
j
=25 C
10
T
j
=100 C
1
T
j
=75 C
T
j
=100 C
0.1
T
j
=50 C
1
0.01
0.001
T
j
=25 C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
20
40
60
80
100
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
I
F
- T
C
平均正向电流
I
F( AV )
(A)
平均正向电流
I
F( AV )
(A)
16
16
额定电压
应用的
R
θJC
= 3.5 C / W
I
F
- T
a
施加额定电压
R
θJA
= 16℃ / W
12
DC
12
DC
R
θJA
= 60℃ / W
(无散热片)
8
8
180
WAVE
4
180
方波
4
DC
0
100
0
0
40
80
120
160
110
120
130
140
150
壳温度( C)
环境温度T
A
( C)
正向平均功耗
P
F( AV )
(W)
P
F( AV )
- I
F( AV )
10
8
180
方波
DC
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流I
F( AV )
(A)
2007. 9. 18
版本号: 3
2/2
半导体
标识特定网络阳离子
B10A100VIC
TO- 220IS包装
1.标记方法
激光打标或墨水标记。
2.标记
1
B10A100V
IC
K
501
3
2
设备名称
KEC
LOT号
记号
B10A100VIC
K
5
501
01
描述
B10A100VIC
KEC CORP 。
YEAR
0~9 : 2000~2009
01 :1周
2005. 11. 1
版本号: 0
1/1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    B10A100VIC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
B10A100VIC
KEC
24+
18500
PBFREETO-220IS
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
B10A100VIC
KEC
21+
15360
TO
全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
B10A100VIC
KEC
21+
15360
TO
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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