A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
特殊包装处理说明.................................... 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作闪字模式.................... 11
图5.擦除操作............................................. ................. 38
擦除暂停/删除恢复命令........................... 38
表22. Am29DL640H和Am29DL320G命令定义39
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 40
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 40
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 41
图7.切换位算法............................................ ............ 41
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
同时读/写操作零延迟....... 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29DL640H部门架构.................................... 14
表3. Am29DL640H银行地址............................................ 17
表4. Am29DL640H SecSi 扇区地址....................... 17
表5. Am29DL320G热门引导扇区地址..................... 18
表6. Am29DL320G顶部引导SecSi
TM
扇区地址........ 19
表7. Am29DL320G底部引导扇区地址................. 20
表8. Am29DL320G底部引导SecSi
TM
扇区地址... 21
表9. Am29DL640H引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 22地址
表10. Am29DL320G热门引导扇区/扇区
为保护/ unprotection的.................................. 23块地址
表11. Am29DL320G底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 23
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 42
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 42
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 42
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 42
表23.写操作状态............................................ ....... 43
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
图8.最大负过冲波形...................... 44
图9.最大正过冲波形........................ 44
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
CMOS兼容................................................ ..................... 45
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 46
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 46
伪SRAM和DC
工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
图12.待机电流ISB CMOS ......................................... 47
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
图13.测试设置............................................. ....................... 48
图14.输入波形和测量水平................. 48
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 24
表12. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................. 24
闪光交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
伪SRAM CE＃的时机............................................ .......... 49
图15.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 49
临时机构撤消............................................... ... 24
图1.临时机构撤消操作........................... 25
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 26
只读操作.............................................. ................ 50
图16.读操作时序............................................ ... 50
SecSi （安全硅）行业
SectorFlash内存区域............................................... .. 27
表13. SecSi部门规划............................................ .... 27
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 28
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........... 51
图17.复位时序............................................. .................. 51
擦除和编程操作.............................................. ... 52
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
53
53
54
55
55
56
56
硬件数据保护............................................... ....... 28
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 28
表14. Am29DL640H CFI查询标识字符串................ 29
表15. Am29DL640H系统接口字符串........................... 29
表16. Am29DL640H设备几何定义..................... 30
表17. Am29DL640H主要供应商特定
扩展查询................................................ .............................. 31
表18. Am29DL320G CFI查询标识字符串................ 32
表19. Am29DL320G系统接口字符串........................... 32
表20. Am29DL320G设备几何定义..................... 33
表21. Am29DL320G主要供应商特定
扩展查询................................................ .............................. 34
临时机构撤消............................................... ...... 57
图25.临时机构撤消时序图.............. 57
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 58
备用CE ＃楼控擦除和编程操作....... 59
图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 60
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
读阵列数据............................................... ................. 35
复位命令................................................ ..................... 35
自选命令序列............................................ 35
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 35
程序命令序列............................................... 36
图4.程序运行............................................. ............. 37
伪SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
电时间............................................... ........................... 61
读周期................................................ ................................ 61
图28.伪SRAM读周期，地址控制......... 61
图29.伪SRAM读周期........................................... 62
写周期................................................ ................................ 63
图30.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 63
图31.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 64
图32.伪SRAM写的逐
UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ........................ 65
芯片擦除命令序列........................................... 37
扇区擦除命令序列........................................ 37
2003年11月17日
Am75DL9608HG
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