Am70PDL127CDH/
Am70PDL129CDH
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30651
调整
A
修订
+2
发行日期
2003年11月24日
超前信息
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
堆叠多芯片封装（ MCP / XIP ）快闪记忆体，
数据存储的MirrorBit闪存， PSRAM和（ XIP ）
2× 64兆比特（8M ×16位） CMOS 3.0伏只页面模式闪存数据存储
128兆位（8M ×16位） CMOS 3.0伏只，同时操作闪存和
64兆位（4M ×16位） CMOS伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
■
由Am29PDL127H / Am29PDL129H ， 64兆
PSRAM和两个Am29LV640M 。
■
2.7至3.1伏的电源电压
■
高性能（ XIP ）
- 存取时间快65纳秒的初始/ 25 ns的页面
- 银行2A ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
- 银行2B ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
■
SecSi
TM
（安全硅）扇形区域
- 最多可以访问128个字，通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户，可锁定的话
■
高性能（数据存储）
- 存取时间快110 ns的初始/ 30 ns的页面
■
在一个设备中底部和顶部的引导块
■
在0.13微米制程技术制造的
■
20年的数据保存在125°C
■
每个部门最少百万擦除周期保证
■
包
- 93球FBGA
■
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
性能特点
■
高性能
- 页面访问时间快25纳秒
- 随机存取时间快65纳秒
闪存功能（ XIP ）
AM29PDL127H/AM29PDL129H
架构优势
■
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小：快速页面读取访问随机
在页面内的位置
■
功耗（在10 MHz时的典型值）
- 45毫安有效的读电流
- 25毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
■
双芯片使能输入（ PDL129只）
- 两个CE＃输入控制选择内存各占一半
空间
软件特点
■
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
■
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.1伏读取，擦除和编程
对于电池供电的应用操作
■
CFI （通用闪存接口）投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中，从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
■
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
■
FlexBank架构
- 4个独立的银行，拥有最多两个同步操作
每个器件
■
解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
PDL127 ：
—
—
—
—
A银行： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
B组： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行C： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行D： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
硬件特性
■
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
PDL129 ：
- 银行1A ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
- 银行1B ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
30651
启：
A
修订
+2
发行日期：
2003年11月24日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
■
WP ＃ / ACC （写保护/加速）输入
我N· R M一T I O 4 N
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
- 在V
IL
，第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
FLASH内存功能（数据存储）
AM29LV640M架构优势
■
单电源工作
- 3 V读取，擦除和编程操作
■
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
■
SecSi
（安全硅）扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
■
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
■
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
■
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
■
20年的数据保存在125
°
C
性能特点
■
高性能
- 110 ns访问时间
- 30 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间： 16字写缓冲整体降低
编程时间多字的更新
- 读4字的页面缓冲区
- 16字写缓冲
■
低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
软件&硬件功能
■
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
■
硬件特性
- 部门组保护：硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP ＃ / ACC输入：
写保护输入端（ WP ＃ ）保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
ACC （高电压）加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
—
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）表示程序或
擦除周期结束
2
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
2003年11月24日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
■
数据保持电源电压： 2.7 3.1 V
■
使用CE＃ 1和CE2s关机功能
■
CE1S ＃和CE2s片选
■
字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）
PSRAM产品特点
■
功耗
- 操作：35 mA（最大值）
- 待机： 80 μA最大
- 深度掉电待机： 20 μA
2003年11月24日
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
3
Am70PDL127CDH/
Am70PDL129CDH
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30651
调整
A
修订
+2
发行日期
2003年11月24日
超前信息
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
堆叠多芯片封装（ MCP / XIP ）快闪记忆体，
数据存储的MirrorBit闪存， PSRAM和（ XIP ）
2× 64兆比特（8M ×16位） CMOS 3.0伏只页面模式闪存数据存储
128兆位（8M ×16位） CMOS 3.0伏只，同时操作闪存和
64兆位（4M ×16位） CMOS伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
■
由Am29PDL127H / Am29PDL129H ， 64兆
PSRAM和两个Am29LV640M 。
■
2.7至3.1伏的电源电压
■
高性能（ XIP ）
- 存取时间快65纳秒的初始/ 25 ns的页面
- 银行2A ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
- 银行2B ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
■
SecSi
TM
（安全硅）扇形区域
- 最多可以访问128个字，通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户，可锁定的话
■
高性能（数据存储）
- 存取时间快110 ns的初始/ 30 ns的页面
■
在一个设备中底部和顶部的引导块
■
在0.13微米制程技术制造的
■
20年的数据保存在125°C
■
每个部门最少百万擦除周期保证
■
包
- 93球FBGA
■
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
性能特点
■
高性能
- 页面访问时间快25纳秒
- 随机存取时间快65纳秒
闪存功能（ XIP ）
AM29PDL127H/AM29PDL129H
架构优势
■
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小：快速页面读取访问随机
在页面内的位置
■
功耗（在10 MHz时的典型值）
- 45毫安有效的读电流
- 25毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
■
双芯片使能输入（ PDL129只）
- 两个CE＃输入控制选择内存各占一半
空间
软件特点
■
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
■
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.1伏读取，擦除和编程
对于电池供电的应用操作
■
CFI （通用闪存接口）投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中，从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
■
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
■
FlexBank架构
- 4个独立的银行，拥有最多两个同步操作
每个器件
■
解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
PDL127 ：
—
—
—
—
A银行： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
B组： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行C： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行D： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
硬件特性
■
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
PDL129 ：
- 银行1A ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
- 银行1B ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
30651
启：
A
修订
+2
发行日期：
2003年11月24日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
■
WP ＃ / ACC （写保护/加速）输入
我N· R M一T I O 4 N
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
- 在V
IL
，第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
FLASH内存功能（数据存储）
AM29LV640M架构优势
■
单电源工作
- 3 V读取，擦除和编程操作
■
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
■
SecSi
（安全硅）扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
■
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
■
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
■
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
■
20年的数据保存在125
°
C
性能特点
■
高性能
- 110 ns访问时间
- 30 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间： 16字写缓冲整体降低
编程时间多字的更新
- 读4字的页面缓冲区
- 16字写缓冲
■
低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
软件&硬件功能
■
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
■
硬件特性
- 部门组保护：硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP ＃ / ACC输入：
写保护输入端（ WP ＃ ）保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
ACC （高电压）加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
—
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）表示程序或
擦除周期结束
2
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
2003年11月24日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
■
数据保持电源电压： 2.7 3.1 V
■
使用CE＃ 1和CE2s关机功能
■
CE1S ＃和CE2s片选
■
字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）
PSRAM产品特点
■
功耗
- 操作：35 mA（最大值）
- 待机： 80 μA最大
- 深度掉电待机： 20 μA
2003年11月24日
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
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