A D V A N权证
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目录
连续性规格............................................... 1 .......
订购零件编号的连续性....................................... 1
欲了解更多信息............................................... ................. 1
这页有意留为空白。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
... 10
表2.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
IL
.... 11
图3.程序操作............................................. ............ 27
芯片擦除命令序列........................................... 27
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 28
图4.擦除操作............................................. ................. 28
表12. Am29DL640H命令定义.............................. 29
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 30
图5.数据＃轮询算法........................................... ....... 30
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 31
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 31
图6.切换位算法............................................ ............ 31
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字/字节配置.............................................. .......... 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 13
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表3. Am29DL640H部门架构.................................... 14
表4.银行地址............................................. ....................... 17
表5. SecSi扇区地址........................................... .... 17
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表13.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图7.最大负过冲波形...................... 34
图8.最大正过冲波形........................ 34
静电放电抗扰度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
CMOS兼容................................................ .................. 35
PSRAM DC &工作特性................................ 36
图9.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 37
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 37
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图11.测试设置............................................. ....................... 38
图12.输入波形和测量水平................. 38
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表6. Am29DL640H引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 18
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
CE＃的时机.............................................. ............................. 39
图13.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 39
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 18
表7. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 19
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 21
只读操作.............................................. ............. 40
图14.读操作时序............................................ ... 40
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 41
图15.复位时序............................................. .................. 41
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 21
硬件数据保护............................................... ....... 21
低V
CC
写禁止................................................ .......... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 22
表8. CFI查询标识字符串.......................................... 22
系统接口字符串............................................... .................... 23
表10.设备几何定义............................................ 23
表11.主要供应商特定的扩展查询...................... 24
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 42
图16. CIOf时序进行读操作................................ 42
图17. CIOf时序写操作................................ 42
擦除和编程操作.............................................. 43
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
44
44
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46
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临时机构撤消............................................... ... 48
图25.临时机构撤消时序图.............. 48
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 49
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 25
字节/字编程命令序列............................. 26
解锁绕道命令序列.................................. 26
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 50
图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 51
读周期................................................ ............................. 52
图28的伪SRAM读周期........................................... 52
图29.页读时序............................................ ............ 53
2003年12月5日
Am49DL640BH
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