Am29LV640MT/B
数据表
对于新的设计， S29GL064M将取代Am29LV640MT / B ，是厂家推荐的移行
化路径，此设备。请参阅S29GLxxxM系列数据表的规格和
订购信息。
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26190
调整
C
修订
+3
发行日期
2004年2月12日
对于新的设计， S29GL064M将取代Am29LV640MT / B ，是厂家推荐的迁移路径
此设备。请参阅S29GLxxxM系列数据表的规格和订购信息。
Am29LV640MT/B
64兆位（4M ×16位/ 8的M× 8位）的MirrorBit
3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
架构优势
■
单电源工作
- 3 V读取，擦除和编程操作
■
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
■
SecSi （安全硅）扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
■
灵活的部门架构
- 一百27 32 K字/ 64字节
扇区
- 八4千字/ 8 KB的引导扇区
■
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
■
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
■
20年的数据保存在125°C
性能特点
■
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间： 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字/字节更新
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
■
低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
■
封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
■
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
■
硬件特性
- 部门组保护：硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP ＃ / ACC输入：
写保护输入端（ WP ＃ ）保护顶部或底部的两个
不管扇区保护设置部门
ACC （高电压）加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
- 就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）表示程序或
擦除周期结束
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
26190
启：
C
Amendment/+3
发行日期：
2004年2月12日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV640MT / B是64兆， 3.0伏单
电源闪存装置组织成
4,194,304字或8,388,608字节。该装置具有
一个8位/ 16位总线和可以在被编程
主机系统或标准EPROM编程器。
90 ，100， 110 ，或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意，每个存取时间具有特定的操作
电压范围（Ⅴ
CC
）和一个I / O电压范围（Ⅴ
IO
），如
在特定网络版
产品选择指南
和
命令─
ING信息
部分。该器件采用一个
48针TSOP ， 63球精细间距BGA或64球Forti-
田间BGA封装。每台设备都有单独的芯片恩
能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入，高电压
加速计划
（ ACC ）
功能提供了更短的编程时间
通过增加电流的WP ＃ / ACC输入。这
功能是为了便于工厂产能很好地协同
荷兰国际集团系统的生产，但也可以在使用
字段如果需要的话。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时，主机系统只需要轮询
DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
状态位
or
监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中，
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据，而不是四个。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门，然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门，然后完成程序
操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进度和复位器件，在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET ＃引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位，从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该器件降低功耗的利弊umption在
待机模式
它检测到特定的电压电平，当
在CE ＃和RESET ＃ ，或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
该
写保护（ WP ＃ ）
功能保护的顶部或
底部的两个部门通过产生一个逻辑低电平上
WP ＃ / ACC引脚。受保护的行业仍然会亲
tected甚至在加速编程。
该
SecSi （安全硅）行业
提供
128个字/ 256字节的区域代码或数据，可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的，
该部门没有进一步的变化可能发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验，生产
的质量，可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
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Am29LV640MT/B
2004年2月12日
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