超前信息
Am29LV200B
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在制造0.35
m
工艺技术
- 兼容0.5
m
Am29LV200设备
s
高性能
- 全电压范围：存取时间快80纳秒
- 稳压电压范围：存取时间快
70纳秒
s
超低功耗（在5个典型值
兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
3个32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
1/23/98
出版＃
21521
启：
A
Amendment/0
发行日期：
1998年1月
超前信息
概述
该Am29LV200B是2兆， 3.0伏，仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
该器件采用44引脚SO和48引脚TSOP
包。所述字宽的数据（ x16的）出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）数据出现在DQ7-
DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
仅使用一个3.0伏V系统
CC
供应量。无V
PP
是在用于写或擦除操作。该装置
也可以在标准EPROM编程亲
程序员。
该器件采用AMD的0.35制造
m
工艺技术，并提供所有的功能和苯并
在Am29LV200 ，这是用制造的efits
0 . 5
M·P R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N，T ^ h ê
Am29LV200B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70次，80次90次访问
和120纳秒，使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
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